Вопрос №5. Опишите структуру проводящих полимеров и механизм проводимости в этих твердых телах? (8 баллов)
Вопрос №6. Напишите уравнение брутто-реакции осаждения эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе металлоорганической -гидридной эпитаксии с использованием триметилгаллия и арсина (8 баллов)
Вопрос №7. Рассчитайте длину поверхностной диффузии адсорбированного атома кремния на поверхности кремния при 1000 К. Принять, что энергия адсорбции εs = 55,5 ккал/моль, а энергия поверхностной диффузии Ud = 25,3 ккал/моль. Параметр решетки кремния a= 4,5Å. (12 баллов)
Вопрос
№8.
Уровень Ферми полупроводника расположен
на
выше дна зоны проводимости
.
Какова вероятность обнаружить электрон
с энергией, на
превышающей
?
(12 баллов)
Вопрос №9. Напишите алгоритм настройки датчика абсолютного давления с применением внешней схемы термокомпенсации и нормализации выходного сигнала прибора без использования цифровой обработки сигнала
(12 баллов)
Вопрос №10. Вычислите коэффициенты нормального отражения оптической волны (примите длину волны равной 0,5 мкм) от поверхности типичного металла (α, коэффициент поглощения, равен 106 см-1) и типичного не прямозонного полупроводника (α, коэффициент поглощения, равен 103 см-1). (16 баллов)
Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ
протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.
Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин
КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02
ЭИУК4-КФ «Наноинженерия»
Вариант №ДМЭИУК404
Вопрос
№1. Определить
положение уровня Ферми в кремнии,
легированном донорами до уровня
при
температуре
.
Эффективную массу плотности состояний
зоны проводимости
принять равной 1,08 массы свободного
электрона
. (8
баллов)
Вопрос №2. Запишите условие невырожденности полупроводника n – типа (8 баллов)
Вопрос №3. Напишите, как рассчитываются индексы стабильности и воспроизводимости процессов (возможностей процесса) Ср,Сркв и Сркн (8 баллов)
Вопрос №4. Напишите, как изменится давление в сосуде, если молекулы воздуха заменить на молекулы водорода при неизменной температуре (8 баллов)
Вопрос №5. Рассмотрите способы получения нанопорошков методом термического разложения и методом химического восстановления в газовой и жидкой фазах (8 баллов)
Вопрос №6. Напишите соотношение Бертрана – Дюрафура. Что оно определяет? (8 баллов)
Вопрос №7. Рассчитайте толщину отрезаемых пластин при раскрое слитка кремния, если на выходе необходимо получить полированные с двух сторон подложки кремния 14 класса обработки толщиной 400 мкм (12 баллов)
Вопрос №8. Найти угол между кристаллографическими плоскостями (100) и (110) для кубической решетки. (12 баллов)
Вопрос №9. Определить изменение туннельного тока СТМ при изменении зазора между поверхностью и зондом на Δ = 0,1 нм. Работа выхода φ материала металлического зонда равняется 4 эВ.
(12 баллов)
Вопрос №10. Рассчитайте плотность адсорбированных атомов кремния и время их жизни на поверхности кремния при температуре 1200 К и 1000 К. Примите следующие численные значения : Равновесное давление кремния при 1200 К P=1,2 × 10-7 мм рт.ст. ;
Масса атома кремния 28×1,7×10-24 г.;
Энергия адсорбции εs = 55,5 ккал/моль = 3,85 × 10-19 Дж/атом;
Частота колебаний в вертикальной плоскости ν┴ = 1013 Гц (16 баллов).. (16 баллов)
Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ
протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.
Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин
КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02
ЭИУК4-КФ «Наноинженерия»
Вариант №ДМЭИУК405
Вопрос №1. В чём состоит физический смысл одночастичной волновой функции в координатном представлении по М. Борну (8 баллов)
Вопрос №2. Объясните с чем связано диффузионное перемещение компонентов, запишите уравнение первого закона Фика (8 баллов)
Вопрос №3. Сформулируйте, что такое эффективность ионизации молекул газа (8 баллов)
Вопрос №4. Напишите, какие факторы учитываются при уточненном расчете параметров надежности электронных устройств
(8 баллов)