еКФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02

ЭИУК4-КФ «Наноинженерия» 

Вариант №ДМЭИУК401

Вопрос №1. Объясните механизм отрицательного влияния водородного отжига меди на её механические свойства (8 баллов)

Вопрос №2. Приведите схему фотолитографического процесса получения наноструктур с участием негативного и позитивного фоторезистов (8 баллов)

Вопрос №3. Сформулируйте, что такое диаграмма Парето в системе управления качеством.. (8 баллов)

Вопрос №4. Назовите основные методы микропрофилирования кремния. (8 баллов)

Вопрос №5. Назовите и приведите основное уравнение, описывающее скорость испарения вещества в вакууме. (8 баллов)

Вопрос №6. Напишите, от чего зависит средняя длина свободного пробега молекул газа (8 баллов)

Вопрос №7. Дайте определение понятию “предел обнаружения” элемента при проведении микроанализа состава образца. (12 баллов)

Вопрос №8. Вычислить длину волны излучения, испускаемого атомом водорода при переходе электрона из первого возбуждённого состояния в основное состояние (12 баллов)

Вопрос №9. Рассчитайте, сколько молекул останется в V=1 м³ газа в вакуумной установке, в которой создан высокий вакуум при температуре Т=273К и давлении Р=10^-9 Па.

(12 баллов)

Вопрос №10. Выведете выражение и вычислите радиус первой Боровской орбиты атома водорода. (16 баллов)

Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ

протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.

Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин

КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02

ЭИУК4-КФ «Наноинженерия» 

Вариант №ДМЭИУК402

Вопрос №1. Запишите закон адсорбции Генри. (8 баллов)

Вопрос №2. Перечислите 4 основные алгоритмические конструкции и дайте определение рекурсивному алгоритму (8 баллов)

Вопрос №3. Опишите технологию глубокого травления кремния, известную как «Бош-процесс».

(8 баллов)

Вопрос №4. Дайте определение понятию фотонный кристалл. Каковы возможные связи электронных и фотонных энергетических зон. (8 баллов)

Вопрос №5. Назовите основные эксплуатационные показатели надежности.. (8 баллов)

Вопрос №6. Опишите процесс ионизации в тлеющем разряде и объясните, что такое «темное» катодное пространство. . (8 баллов)

Вопрос №7. Считая, что плотность мест адсорбции на поверхности подложки составляет 10¹⁵ см^-2, а адсорбирующиеся атомы из окружающей газовой фазы имеют коэффициент адсорбции равный единице, определить время монослойного покрытия поверхности при давлении газовой фазы кислорода 10^-3 Па и температуре 300 К. (12 баллов)

Вопрос №8. Рассчитайте, во сколько раз изменится быстрота откачки вакуумного объекта Sэф при увеличении проводимости трубопровода Uв два раза.. (12 баллов)

Вопрос №9. Собственная концентрация носителей в германии при комнатной температуре равна . При какой температуре она уменьшится в 100 раз? Зависимостью эффективной плотности состояний от температуры пренебречь.

(12 баллов)

Вопрос №10. Определить индекс процесса производства вала Ср при условии, что размер вала должен соответствовать требованиям 50⁺²⁰₀мм при стандартном отклонении σ=0.0185. Дайте характеристику процесса. (16 баллов)

Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ

протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.

Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин

КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02

ЭИУК4-КФ «Наноинженерия» 

Вариант №ДМЭИУК403

Вопрос №1. Изобразите энергетическую диаграмму равновесного p-n – перехода при концентрации доноров в n- области в два раза большей концентрации акцепторов в p – области (8 баллов)

Вопрос №2. Напишите на чем основаны методы получения нанопорошков, такие как метод газофазного синтеза при испарении и конденсации, метод плазмохимического синтеза оксидов нитридов, фуллеренов (8 баллов)

Вопрос №3. Назовите основные режимы работы сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). (8 баллов)

Вопрос №4. Напишите, что подразумевается под коэффициентом электрической нагрузки в теории надежности. (8 баллов)