Билет 30.

Электропроводность собственных полупроводников, два типа носителей тока. Температурная зависимость сопротивления, температурный коэффициент сопротивления. Фотопроводимость.

Удельное сопротивление, а следовательно, и сопротивление металлов, зависит от температуры, увеличиваясь с ее ростом. Температурная зависимость сопротивления проводника объясняется тем, что

1. возрастает интенсивность рассеивания (число столкновений) носителей зарядов при повышении температуры;

2. изменяется их концентрация при нагревании проводника.

Температурный коэффициент сопротивления — это отношение относительного изменения сопротивления к изменению температуры:

1.	α= R2−R1 R1(T2−T1)

Фотопроводимость – это внутренний или фоторезисторный эффект изменения сопротивления полупроводника воздействием на него излучения.

Билет 31.

Процессы генерации и рекомбинации носителей тока в собственных полупроводниках. Динамическое равновесие этих процессов, собственная концентрация носителей.

Генерация – образование собственных носителей заряда в полупроводниках в результате отрывка электрона от собственных и примесных атомов.

Рекомбинация – исчезновение пары свободных носителей и образование законченных химических связей между собственными атомами.

В состоянии термодинамического равновесия процессы генерации и рекомбинации носителей заряда взаимно уравновешены. Но при этом генерация является ведущим в этом единстве и связана с воздействием энергетических факторов: теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки (тепловая генерация), поглощенных полупроводником квантов света (световая генерация) и других. Так как полупроводник всегда находится под действием всех этих факторов или хотя бы одного ( ), генерация носителей происходит непрерывно. Рекомбинация представляет собой внутреннюю реакцию системы на появление и возрастание числа носителей. Именно рекомбинация, противодействуя накоплению носителей, обусловливает равновесные концентрации электронов  и дырок .

Билет 32. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках. Зонные диаграммы, примесных полупроводников, основные и не основные носители тока.

Донорная примесь – в случае пятивалентной примеси имеется только электронная проводимость (n-типа).

Акцепторная примесь – трехвалентная примесь, из которой получается вакантное место – дырка (р-типа).

Основные носители – одновременно электроны и дырки.

Неосновные носители – n-типа дырки, p-типа электроны.

Билет 33.

Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников. Нахождение энергии активации примеси по графику этой температурной зависимости.

Температурная зависимость электропроводности п/п определяется температурной зависимостью как концентрации носителей заряда, так и их подвижности.

В общем случае удельная электропроводность п/п может быть представлена формулой:

 = N0 e  (Ом-1м-1),

(1)

где N₀ - концентрация носителей заряда;

e - заряд электрона;

- подвижность носителей заряда.

lnln₀- (E₀ / 2k) (1 / T).

Где,₀ - электропроводность при Т ;

E₀ - термическая ширина запрещенной зоны.