- •Вопрос 1.
- •Вопрос 2.
- •Вопрос 3.
- •Вопрос 4.
- •Вопрос 5.
- •Вопрос 6.
- •Билет 7.
- •Вопрос 8.
- •Билет 9.
- •Билет 10.
- •Билет 11.
- •Билет 12.
- •Билет 13
- •Билет 14.
- •Вопрос 15.
- •Билет 16.
- •Билет 17.
- •Вопрос 18.
- •Билет 19.
- •Билет 20.
- •Билет 21.
- •Билет 22.
- •Билет 23.
- •Билет 24.
- •Билет 25.
- •Билет 26.
- •Вопрос 27.
- •Билет 28.
- •Билет 29.
- •Билет 30.
- •Билет 31.
- •Билет 32. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках. Зонные диаграммы, примесных полупроводников, основные и не основные носители тока.
- •Билет 33.
- •Билет 34.
- •Билет 35.
- •Вопрос 36.
- •Вопрос 38.
Билет 26.
Дрейф электронов проводимости в кристалле под действием электрического поля. Сила сопротивления, действующая на носители тока. Скорость дрейфа, подвижность носителей тока.
Дрейф электрона – возникновение тока в проводнике, означающие направление движение электронов.
Подвижность носителей тока — отношение скорости направленного движения электронов проводимости и дырок (дрейфовой скорости uдр), вызванного электрическим полем, к напряжённости этого поля или коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах иполупроводниках реагировать на внешнее воздействие.
Дрейфовая скорость — средняя скорость упорядоченного движения V, вызванная воздействием на электроны с помощью внешнего поля. В отсутствие внешнего электрического поля электроны совершают только тепловое движение. Поэтому нет преимущественных направлений движения, и поэтому среднее значение дрейфовой скорости равно нулю.
Вопрос 27.
Время релаксации носителей тока в проводниках. Направленное и хаотическое движение носителей тока, оценка скорости направленного движения, Длина свободного пробега носителя тока, Формула проводимости металлов.
Время релаксации – время, через которое скорость уменьшается в е-раз.
Электри́ческий ток — направленное (упорядоченное) движение заряженных частиц.
Свободные электроны движутся хаотично и при своем движении сталкиваются с ионами решетки.
Билет 28.
Температурная зависимость сопротивления металлов, Факторы влияющие на электрическое сопротивление металлов, при низких и высоких температурах, Правило Маттисена. Понятие о сверхпроводимости.
Температурная зависимость сопротивления проводника объясняется тем, чтовозрастает интенсивность рассеивания (число столкновений) носителей зарядов при повышении температуры; изменяется их концентрация при нагревании проводника.
При увеличении температуры атомы металла совершают колебания около узлов решетки, что вызывает рассеяние электронных волн, приводящее к увеличению электрического сопротивления.
При уменьшении этого интервала (в пределе) до нуля получается истинное значение температурного коэффициента при температуре T.
правило Маттиссена
закономерность, которой подчиняется удельное электросопротивление твёрдого проводника, если оно определяется несколькими механизмами. СогласноМ. п., полное удельное сопротивление равно сумме удельных сопротивлений, отвечающих каждому измеханизмов в отдельности.
Сверхпроводимость - способность вещества пропускать электрический ток, не оказывая ему ни малейшего сопротивления. Это явление тесно связано со сверхнизкими температурами, близкими к абсолютному нулю.
Билет 29.
Собственные полупроводники. Температурная зависимость концентрация электронов и дырок в собственных полупроводниках
Собственный полупроводник это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации свободных электронов, так как она определяется не легированием, а собственными свойствами материала, а именно термически возбуждёнными носителями, излучением и собственными дефектами.
