Система элементов резистивно транзисторной логики (ртл).

Буква Р означает, что логическая функция выполняется резистором.

2ИЛИ-НЕ для положительной логики.

При расчете схемы когда транзистор открыт худшим случаем является ситуация когда на один из входов подается ВУ. Схема инвертора может иметь диоды фиксации, НООС и емкости. Для расчета нагрузочной способности худший случай, когда транзистор закрыт. Чем больше ВУ, тем транзистор быстрее включается.

Синтез инвертора.

1. Выбор транзистора и диода (из справочника получают графики входных и выходных характеристик). По входным характеристикам определяют U_БЭ. По выходным ‑ U_КЭНАС и h₂₁ (бета). Также выбирают граничную частоту усиления транзистора. Определяют емкости между переходами, кроме этого выбирают максимально допустимые характеристики I_{К ДОП} и I_{Б ДОП} (если нет I_{Б ДОП} его можно получить исходя из выходной характеристики), а также максимально допустимые обратные напряжения U_{кэ обр}, U_{бэ обр}, для диода U_{д обр} и I_дт.

2. В соответствии с характеристиками транзистора и диода производят выбор источников питания. Для схемы инвертора Е_К  U_{кэ обр}. Если используется диод фиксации, то Е_Ф  U _{кэ обр}, тогда E_К = (25)*E_Ф.

Е_с U_{бэ обр}

3. Начинают расчет с R_К. Когда транзистор в насыщении, R_К задает ток I_K,HAC (I_K,HAC  I_{K ДОП}). Следовательно I_{К ДОП}  (-U_K + E_K +U_K -U_КЭ,НАС)/R_K. Следовательно R_K=(E_K - U_КЭ,НАС)/I_{К ДОП} (справедлива для инвертора и РТЛ);

Пусть на входе ВУ, тогда переход БЭ должен быть открыт :

((U_ХВ - U_БЭ)/R_Б) -((U_БЭ + E_С)/R_C)  I_Б,НАС (1)

Прежде чем рассчитывать R_Б и R_С нужно выбрать величину НУ и ВУ (в том случае, если они не заданы). Эти значения определяются выходной цепью. Для инвертора НУ=U_КЭ,НАС, ВУ при холостом ходе можно прибдиженно посчитать равным Е_К. Так как ВУ с подключением нагрузки понижается, то может быть между Е_К и U_П2. Пусть считаем U_Х,В=E_К .

Рассмотрим режим когда на входе НУ, т. е. транзистор закрыт:

I_RC - I_Rб > I_КТ (2)

U_Б=((U_х,н/R_б) - (Eс/Rc) - Iкт)/(1/Rб+1/Rс)0

Для увеличения бы стродействия можнo двигать вниз

Если задано быстродействие, то исходя из величины времени рассасывания необходимо определить величины включающих и выключающих токов I _Б1 и I_Б2.

После определения резисторов необходимо выполнить анализ схемы, то есть определить полученные характеристики схемы: коэффициент разветвления, быстродействие, помехоустойчивость.

Элементы диодно-транзисторной логики с переключением напряжения (дтл пн).

Элементы ДТЛ представляют собой каскадные соединения диодных элементов и инвертора.

Различают два режима работы диодов ‑ А и Б. Для того чтобы определить режим работы диодов необходимо инвертор представить схемой замещения со стороны базы. В результате получится диодный элемент нагруженный на линейную нагрузку. Для того чтобы рассчитать транзисторную схему необходимо диоды заменить соотствествующей схемой замещения и расчет схемы превратится в рассчет инвертора. Единственное различие в рассчете нагрузочной способности ‑ это то, что худшим режимом работы схемы является режим, когда транзистор источник открыт.

Рассчет схемы.

Транзистор источник открыт на выходе НУ. Транзистор приемник закрыт. На выходе ВУ.

I_Rк=I_К - I_Н=I_К - N*I_ВХ;

I_К=I_Rк+N*I_ВХ;

I_Rк=(E - U_КЭ,Н)/R_К;

I_ВХ=I_R& - I_Rб;

U_А=U_Х,Н+U_Д=U_КЭ,Н+U_Д= =0,8 В;

I_R&=(E_& - U_A)/R

Всвязи с тем, что ток I_rк , I_R& и I_Rб не зависят от N, то с увеличением N происходит увеличение I_K транзистора источника.

Условием правильной работы является выражение I_K=I_RK+N*I_ВХ < I_{K ДОП}