- •Гусев б. С. Цифровая схемотехника эвм. Конспект лекций.
- •Содержание
- •Введение.
- •Параметры интегральных схем
- •Обозначения на микросхемах.
- •Полупроводниковые диоды.
- •Методика расчета диодных схем.
- •Диодные логические элементы.
- •Расчет диодного элемента с нагрузкой .
- •Динамика диодного элемента .
- •Диодные логические элементы “или” логики высокого уровня.
- •Двухступенчатые диодные элементы.
- •Динамика двухступенчатых элементов .
- •Полупроводниковые транзисторы.
- •Биполярные транзисторы
- •Схемы замещения транзисторов. Модель Эберса-Молла.
- •Динамика транзисторного ключа.
- •Инвертор.
- •Расчет инвертора.
- •Определение порогового напряжения переключения транзистора.
- •Расчет коэффициента разветвления.
- •Цепочка фиксации.
- •Организация базовой цепи инвертора. Оптимальная фома базового тока.
- •Нелинейная отрицательная обратная связь (ноос).
- •Система элементов резистивно транзисторной логики (ртл).
- •Синтез инвертора.
- •Элементы диодно-транзисторной логики с переключением напряжения (дтл пн).
- •Элементы дтл с переключением тока (дтл пт).
- •Расчет элементов дтл пн.
- •Расчет элементов дтл пт.
- •Элемент дтл пт со сложным инвектором.
- •Элементы ттл. Ттл с простым инвертором .
- •Ттл со сложным инвертором.
- •Расчет коэффициента рзветвления.
- •Характеристики элементов ттл
- •1 Uвх uвых . Передаточная характеристика.
- •Входная характеристика.
- •3. Выходная характеристика.
- •Модификации элементов ттл. Использование схемы Дарлингтона.
- •Элементы ттлш. (c диодом Шоттки).
- •Современные серии ттл.
- •Элементы ттл с открытым коллектором
- •Подключение индикации.
- •Организация монтажной логики
- •Расчет резисторов для организации монтажной логики.
- •Логические элементы с тремя состояниями.
- •Реализация логических функций на базе элементов ттл. Элементы и-не с помощью многоэмиттерного исполнения транзисторов vt1.
- •Характеристики серийных элементов ттл
- •Схемы замещения элементов ттл для серии к155. Схемы замещения со стороны входа
- •Элементы эмиттерно-связанной логики (эсл).
- •Характеристики элементов эсл
- •Реализация логических функций на базе эсл
- •Расчет элемента эсл.
- •1. Выбор высоких и низких уровней напряжения
- •3. Выбор источников напряжений
- •6. Расчет нагрузочных сопротивлений.
- •Элементы инжекционной логики (и 2л)
- •Расчет нагрузочной способности
- •Реализация логических функций на базе.И2л Элементы и2л с многоколлекторным транзистором Использование диодов Шоттки в элементах и2л.
- •Схемы с непосредственной связью
- •Расчет нагрузочной способности
- •Реализация Логических Функций
- •Логические элементы на моп-транзисторах.
- •Реализация логических функций на моп транзисторах Инвертор.
- •Характеристики логических элементов на моп транзисторах
- •Реализация логических функций на базе элементов на моп транзисторах.
- •Логические элементы на кмоп транзисторах
- •Реализация логических функций на кмоп элементах
- •Элемент 2и-не
- •Элемент с тремя состояниями
- •Практическое использование кмоп элементов
- •Защитная цепочка кмоп элементов
- •Двунаправленный ключ на базе кмоп-элементов.
- •Монтажная логика на элементах кмоп
- •Практическое использование элементов ттл
- •Использование свободных элементов в микросхемах.
- •Совместное использование различных серии ттл
- •Перспективные системы элементов
- •Новые элементы эсл
- •Заключение.
Определение порогового напряжения переключения транзистора.
Инвертор имеет два пороговых напряжения переключения ‑ UП1 и UП2, причем UП2 более положительный чем UП1 (для n-p-n). UП1 ‑ это такое входное напряжение при котором транзистор переходит из отсечки в линейный режим. Определяется исходя из неравенства UБ,ХХUБЭ, решается относительно UХ. UП2 это такое входное напряжение при котором транзистор переходит из линейного режима в насыщение.
IRБ-IС=IБ,Н ‑ это уравнение также решается относительно UХ.
На входе НУ:
Отключаем транзистор от UБ и ищем UБ,ХХ=((UХ,Н/RБ)-(EС/RC))/(1/RБ+1/RС)0
Так как Iкт повышает напряжение в Б то
UБ=((UХ,Н/RБ)-(EС/RC)-IКТ)/(1/RБ+1/RС)0
UY=EК - IКТ*RК=EК=UY
Таким образом величина НУ=0,1В, а ВУ=ЕК.
Расчет коэффициента разветвления.
Считаем что к инвертору подключены такие же инверторы при этом коэффициент считаем для двух режимов:
когда транзистор источник открыт;
когда транзистор источник закрыт.
N0 - при открытом; N1 - при закрытом.
N=min(N0,N1).
Запишем уравнение по первому закону Кирхгофа для узла коллектора
IRк=IКТ+IК=IКТ+N*IRб,
Анализ формулы показывает что с увеличением N увеличивается ток нагрузки, что вызывает увеличение тока Irк , это приводит к увеличению падения напряжения на RК и следовательно UY уменьшается. Таким образом при подключении нагрузки происходит понижение ВУ на выходе и следовательно при увеличении нагрузок будет нарушена логика работы схемы. Следовательно, условием нормальной работоспособности схемы будет неравенство
UY,В>UП2,
UY находится по методу двух узлов.
((EК/RК)-IКТ+(N*UБЭ/RБ))/((1/R)+(N/RБ))>UП2;
Из этого неравенства находится N .
Цепочка фиксации.
Величина ЕФ должна быть в 25 раз меньше ЕК. Когда транзистор открыт, на выходе НУ, поэтому VDФ закрыт и практически не влияет на работу схемы. Когда транзистор начинает закрываться напряжение на выходе начинает повышается и стремится к ЕК. Когда оно достигает величины приблизительно ЕФ, диод VDФ открывается и напряжение на выходе фиксируется на уровне UY,В=ЕФ+UVDф. Таким образом при подключении нагрузки UY остается постоянным. С увеличением нагрузок происходит уменьшение тока через диод VDФ и когда ток IVDф будет приблизительно равен нулю, VDФ закроется и напряжение начнет понижаться. Таким образом неравенство для расчета нагрузочной способности с диодом IVDф>0.
Исходя из принципа работы цепочки фиксации можно определить что эта цепочка также уменьшает длительность переходного процесса на выходе всвязи с тем ,что напряжение на выходе увеличивается не до ЕК, а до ЕФ . Построим временные диаграммы без цепочки и с цепочкой фиксации .
В исходном состоянии НУ напряжения . В базе протекает IКТ , на выходе ЕК (без цепочки) , и ЕФ (с цепочкой ) . На выходе переключается в ВУ, поэтому IБ переключит транзистор в насыщение .
