- •Гусев б. С. Цифровая схемотехника эвм. Конспект лекций.
- •Содержание
- •Введение.
- •Параметры интегральных схем
- •Обозначения на микросхемах.
- •Полупроводниковые диоды.
- •Методика расчета диодных схем.
- •Диодные логические элементы.
- •Расчет диодного элемента с нагрузкой .
- •Динамика диодного элемента .
- •Диодные логические элементы “или” логики высокого уровня.
- •Двухступенчатые диодные элементы.
- •Динамика двухступенчатых элементов .
- •Полупроводниковые транзисторы.
- •Биполярные транзисторы
- •Схемы замещения транзисторов. Модель Эберса-Молла.
- •Динамика транзисторного ключа.
- •Инвертор.
- •Расчет инвертора.
- •Определение порогового напряжения переключения транзистора.
- •Расчет коэффициента разветвления.
- •Цепочка фиксации.
- •Организация базовой цепи инвертора. Оптимальная фома базового тока.
- •Нелинейная отрицательная обратная связь (ноос).
- •Система элементов резистивно транзисторной логики (ртл).
- •Синтез инвертора.
- •Элементы диодно-транзисторной логики с переключением напряжения (дтл пн).
- •Элементы дтл с переключением тока (дтл пт).
- •Расчет элементов дтл пн.
- •Расчет элементов дтл пт.
- •Элемент дтл пт со сложным инвектором.
- •Элементы ттл. Ттл с простым инвертором .
- •Ттл со сложным инвертором.
- •Расчет коэффициента рзветвления.
- •Характеристики элементов ттл
- •1 Uвх uвых . Передаточная характеристика.
- •Входная характеристика.
- •3. Выходная характеристика.
- •Модификации элементов ттл. Использование схемы Дарлингтона.
- •Элементы ттлш. (c диодом Шоттки).
- •Современные серии ттл.
- •Элементы ттл с открытым коллектором
- •Подключение индикации.
- •Организация монтажной логики
- •Расчет резисторов для организации монтажной логики.
- •Логические элементы с тремя состояниями.
- •Реализация логических функций на базе элементов ттл. Элементы и-не с помощью многоэмиттерного исполнения транзисторов vt1.
- •Характеристики серийных элементов ттл
- •Схемы замещения элементов ттл для серии к155. Схемы замещения со стороны входа
- •Элементы эмиттерно-связанной логики (эсл).
- •Характеристики элементов эсл
- •Реализация логических функций на базе эсл
- •Расчет элемента эсл.
- •1. Выбор высоких и низких уровней напряжения
- •3. Выбор источников напряжений
- •6. Расчет нагрузочных сопротивлений.
- •Элементы инжекционной логики (и 2л)
- •Расчет нагрузочной способности
- •Реализация логических функций на базе.И2л Элементы и2л с многоколлекторным транзистором Использование диодов Шоттки в элементах и2л.
- •Схемы с непосредственной связью
- •Расчет нагрузочной способности
- •Реализация Логических Функций
- •Логические элементы на моп-транзисторах.
- •Реализация логических функций на моп транзисторах Инвертор.
- •Характеристики логических элементов на моп транзисторах
- •Реализация логических функций на базе элементов на моп транзисторах.
- •Логические элементы на кмоп транзисторах
- •Реализация логических функций на кмоп элементах
- •Элемент 2и-не
- •Элемент с тремя состояниями
- •Практическое использование кмоп элементов
- •Защитная цепочка кмоп элементов
- •Двунаправленный ключ на базе кмоп-элементов.
- •Монтажная логика на элементах кмоп
- •Практическое использование элементов ттл
- •Использование свободных элементов в микросхемах.
- •Совместное использование различных серии ттл
- •Перспективные системы элементов
- •Новые элементы эсл
- •Заключение.
Реализация логических функций на моп транзисторах Инвертор.
Если
,
транзистор открыт.
;
Коэффициент разветвления МОП транзисторов велик, так как IЗ практически равен нулю и измеряется в пикоамперах.
,
транзистор закрыт.
Резистор
дорого делать в микросборке, Поэтому
применяется другая схема:
Определим рабочую точку (Р.Т.)
В приведенной схеме Р.Т. находится
на наклонном участке характеристики,
который можно считать линейным.
Схема с нелинейной нагрузкой.
Определим рабочую точку (Р.Т.)
IC не зависит от UCK - это так называемое насыщение МОП транзистора. Это инвертор с нелинейной нагрузкой, так как здесь VTН фактически является источником тока. Эту схему можно использовать в интегральных схемах.
Характеристики логических элементов на моп транзисторах
Элементы изготавливаемые по МОП технологии имеют наилучшие показатели по коэффициенту функциональной интеграции. Первые микропроцессоры были реализованы на p-канальных транзисторах.
Скорость срабатывания:
- р-канал - сотни нс
- n-канал - десятки (до 50) нс
Их применение ограничивается низким быстродействием
(Лучшая скорость - 20 нс)
Логические элементы на МОП - не критичны к величине напряжения питания. Имеют оптимальную помехоустойчивость. UП - между общим выводом и питанием.
В связи с большим входным сопротивлением на затворе транзистор может накапливать электростатическое электричество.
Реализация логических функций на базе элементов на моп транзисторах.
Если UX1 = UX2 = HУ, то оба нижних транзистора закрыты и к выходу подключается источник питания через нагрузочный транзистор. Если хотя бы на одном из входов - ВУ, соответствующий транзистор открыт и к выходной схеме через сопротивление канала подключается общий вывод.
Таким образом, это схема элемента 2ИЛИ-НЕ.
Если хотя бы на одном из входов НУ, то соответствующий транзистор закрыт и будет отсутствовать цепь между общим выводом и выходом схемы, а так как нагрузочный транзистор всегда открыт, то на выходе - ВУ.
Если на входе - ВУ, то оба транзистора открыты в схеме существует цепь для протекания тока между общим выводом и выходом. На выходе - НУ.
Таким образом, это элемент 2И-НЕ, недостаток схемы - снижение помехоустойчивости из-за повышения величины НУ.
Логические элементы на кмоп транзисторах
Если на входе ВУ (ЕС), то VT1 открыт, так как разность напряжений UЗИ для VT1 больше UП. При этом UЗИ для VT2 приблизительно равно нулю. Поэтому VT2 закрыт, UY = HУ.
Если на входе НУ, то
,
а
.
Так как VT2 является р-канальным транзистором, то он открывается, а VT1 закрыт. На выходе схемы - ВУ.
Из принципа работы следует, что в статическом режиме в схеме отсутствуют цепи для протекания каких-либо токов. Присутствуют только токи утечки между подложкой и электродами транзистора,но они очень малы - порядка нескольких пикоампер. Таким образом, в статическом режиме схемы на КМОП элементах практически не потребляют мощности. Ток потребления таких микросхем измеряется в мкА.
ПМОП:
К1816ВЕ31
К1816ВЕ51
КМОП:
К1830ВЕ31
К1830ВЕ51
При переключении входного напряжения в схеме существует промежуток времени, когда открыты оба транзистора. В этом случае между EC и общим выводом возникает сквозной ток, который вызывает повышенное энергопотребление у источника питания. Таким образом при расчете источника питания необходимо учитывать динамическую мощность.
КМОП элементы имеют малое потребление энергии и малое быстродействие (10-100 нс), но они хорошо “пакуются” (MSI)
К КМОП элементам относятся:
К564, К561, МПС, ОЗУ
