Расчет нагрузочной способности

Этот теоретический результат неверен. Так как в схеме нет резисторов, то токи I_Н / N для каждого транзистора будут различными, поскольку сопротивления эмиттерных переходов у транзисторов различаются. Транзистор, имеющий меньшее сопротивление перехода, захватывает в базу больший ток от инжектора транзистор с большим сопротивлениемполучает в базу меньший ток этот транзистор выйдет из насыщения. Это эфект перехвата токов. Для элементов величина нагрузочной способности равна 1.

Реализация логических функций на базе.И2л Элементы и2л с многоколлекторным транзистором Использование диодов Шоттки в элементах и2л.

В этой схеме отсутствует эффект перехвата токов, так как транзистор с меньшим сопротивлением не может перехватить ток “чужого” инжектора из-за дида Шоттки. Но в подобной схеме ухудшается помехоустойчивость элемента на вличину падения напряжения на диоде (на 0.2 - 0.3В). Логические функции могут реализовываться двумя способами:

1) С помощью диодов Шоттки

2И-НЕ ЛВУ

Недостаток схемы - малая помехоустойчивость.

2) С помощью монтажной логики

Если хотя бы один из транзисторов-источников открыт, то весь ток будет поступать в коллектор транзистора-источника и транзистор-приемник будет закрыт. Если оба закрыты, то ток инжектора поступает в базу транзистора-приемника.

X1	X2	Y
Н	Н	В
Н	В	В
В	Н	В
В	В	Н

Это элемент 2ИЛИ-НЕ в ЛВУ

Схемы с непосредственной связью

Принцип работы:

Если VT₁ закрыт - ток от ER поступает в базу VT₂ и VT₂ открывается (и должен войти в насыщение). Сопротивление R должно обеспечивать ток не меньше I_БН.

;

Предполагаем, что VT₂ находится в насыщении

Насыщение обеспечивается автоматически.

Пусть VT₁ открыт.

Этого напряжения недостаточно для отпирания следующего транзистора. Поэтому VT₂ будет закрыт и весь ток цепочки ER будет поступать в коллектор VT₁. Эта схема относится к классу переключателей тока.

Расчет нагрузочной способности

N=1; Для этой схемы худший случай, когда VT₁ - закрыт. Теоретический расчет даст формулу .Практически в схеме присутствует эффект перехвата токов N=1.

Методы борьбы заключаются в введении в схему диодов Шоттки

Реализация Логических Функций

1) С помощью монтажной логики. Если хотя бы один транзистор -источник открыт, на выходе ВУ.

2) С помощью диодов Шоттки

Логические элементы на моп-транзисторах.

МОП-транзисторы делятся по типу проводимости на n-канальные и р-канальные, а также по способу реализации канала - с индуцированным каналом и со встроенным каналом

4 электрода

n-канальный транзистор с индуцированным каналом.

Если в схеме транзистора линия разрывная, то это транзистор с индуцированным каналом, а если сплошная - со встроенным). В цифровой технике применяются транзисторы с индуцированнымканалом. В аналоговой - со встроенным.

Входная характеристика для транзисторов с индуцированным (левая кривая) и со встроенным (правая кривая) каналами