- •Гусев б. С. Цифровая схемотехника эвм. Конспект лекций.
- •Содержание
- •Введение.
- •Параметры интегральных схем
- •Обозначения на микросхемах.
- •Полупроводниковые диоды.
- •Методика расчета диодных схем.
- •Диодные логические элементы.
- •Расчет диодного элемента с нагрузкой .
- •Динамика диодного элемента .
- •Диодные логические элементы “или” логики высокого уровня.
- •Двухступенчатые диодные элементы.
- •Динамика двухступенчатых элементов .
- •Полупроводниковые транзисторы.
- •Биполярные транзисторы
- •Схемы замещения транзисторов. Модель Эберса-Молла.
- •Динамика транзисторного ключа.
- •Инвертор.
- •Расчет инвертора.
- •Определение порогового напряжения переключения транзистора.
- •Расчет коэффициента разветвления.
- •Цепочка фиксации.
- •Организация базовой цепи инвертора. Оптимальная фома базового тока.
- •Нелинейная отрицательная обратная связь (ноос).
- •Система элементов резистивно транзисторной логики (ртл).
- •Синтез инвертора.
- •Элементы диодно-транзисторной логики с переключением напряжения (дтл пн).
- •Элементы дтл с переключением тока (дтл пт).
- •Расчет элементов дтл пн.
- •Расчет элементов дтл пт.
- •Элемент дтл пт со сложным инвектором.
- •Элементы ттл. Ттл с простым инвертором .
- •Ттл со сложным инвертором.
- •Расчет коэффициента рзветвления.
- •Характеристики элементов ттл
- •1 Uвх uвых . Передаточная характеристика.
- •Входная характеристика.
- •3. Выходная характеристика.
- •Модификации элементов ттл. Использование схемы Дарлингтона.
- •Элементы ттлш. (c диодом Шоттки).
- •Современные серии ттл.
- •Элементы ттл с открытым коллектором
- •Подключение индикации.
- •Организация монтажной логики
- •Расчет резисторов для организации монтажной логики.
- •Логические элементы с тремя состояниями.
- •Реализация логических функций на базе элементов ттл. Элементы и-не с помощью многоэмиттерного исполнения транзисторов vt1.
- •Характеристики серийных элементов ттл
- •Схемы замещения элементов ттл для серии к155. Схемы замещения со стороны входа
- •Элементы эмиттерно-связанной логики (эсл).
- •Характеристики элементов эсл
- •Реализация логических функций на базе эсл
- •Расчет элемента эсл.
- •1. Выбор высоких и низких уровней напряжения
- •3. Выбор источников напряжений
- •6. Расчет нагрузочных сопротивлений.
- •Элементы инжекционной логики (и 2л)
- •Расчет нагрузочной способности
- •Реализация логических функций на базе.И2л Элементы и2л с многоколлекторным транзистором Использование диодов Шоттки в элементах и2л.
- •Схемы с непосредственной связью
- •Расчет нагрузочной способности
- •Реализация Логических Функций
- •Логические элементы на моп-транзисторах.
- •Реализация логических функций на моп транзисторах Инвертор.
- •Характеристики логических элементов на моп транзисторах
- •Реализация логических функций на базе элементов на моп транзисторах.
- •Логические элементы на кмоп транзисторах
- •Реализация логических функций на кмоп элементах
- •Элемент 2и-не
- •Элемент с тремя состояниями
- •Практическое использование кмоп элементов
- •Защитная цепочка кмоп элементов
- •Двунаправленный ключ на базе кмоп-элементов.
- •Монтажная логика на элементах кмоп
- •Практическое использование элементов ттл
- •Использование свободных элементов в микросхемах.
- •Совместное использование различных серии ттл
- •Перспективные системы элементов
- •Новые элементы эсл
- •Заключение.
Характеристики элементов эсл
Элемент ЭСЛ обладает более высоким быстродействием, чем ТТЛ (в 3 - 4 раза). В перспективных сериях в 2-3 раза ( сотни пс) - субнаносекундном диапазоне.
Недостатки:
- малый коэффициент интеграции;
- сильное нагревание;
- высокое быстродействие приводит к тому, что печатные проводники длиной несколько сантиметров представляют собой длинную линию;
- малая помехоустойчивость;
- критичность к нестабильным источникам питания (при большой интеграции);
- для согласования выходного сопротивления с волновым сопротивлением необходима величина нагрузки [50-200]Ом.
Величины выходных токов относительно значительны, что вызывает помехи по общему выводу. В элементе ЭСЛ используются два общих вывода:
1-й - для элемента ЭСЛ
2-й - для его эмиттерных повторителей.
Необходимость уменьшения IВХ приводит к тому, что эмиттерные повторители питаются не от EЭ, а от дополнительного источника питания с меньшим напряжением питания.
Для увеличения помехоустойчивости эмиттерные повторители в ЭСЛ выпускаются без нагрузочного резистора RН, то есть с открытым эмиттером. RН подключается внешним монтажом, причем на стороне приемника сигнала. Наличие открытого эмиттера дает и положительный момент, который связан с организацией монтажной логики.
EЭ = -5.2 В;
ЕЭ эмиттерных повторителей равно -5.2 В или -2 В.
Е0 = -1.1 В.
(Обычно -1.4 В).
от -1В до -0.5В (Обычно -0.7В).
При повышении входного напряжения VT1
открыт, VT2 закрыт.
Выходное напряжение резко изменяется,
что соответствует II. Это нерабочая
и динамическая область. При дальнейшем
повышении напряжения VT1
окончательно открыт, VT2
окончательно закрыт. При этом в III
характеристика имеет наклон, который
определяется соотношением
.
При дальнейшем повышении напряжения
характеристика переходит в IV и VT1
- в насыщении. Это происходит на уровне
0,5. Это нерабочая область.
I- VT1 закрыт в его базе течет IKT. При повышении входного напряжения VT1 открывается и IВХ резко увеличивается - II (Динамическая)
III соответствует линейному режиму. VT1 и имеет небольшой наклон, который определяется RЭ*
RBX = 40 50 кОм
Начиная с UBX = 0,5 и выше IBX резко увеличивается. В связи с большим входным сопротивлением элемент ЭСЛ имеет большой коэффициент разветвления. C эмиттерными пoвторителями - несколько десятков (до сотни), a без эмиттерных повторителей - до 10, но они не применяются.
Наклон характеристики определяется R1 или R2, для схем без эмиттерных повторителей, или R1 / или R2 / для схем с эмиттерным повторителем. Чем круче наклон, тем выше сопротивление. При дальнейшем увеличении тока IH ВУ понижается и транзисторы могут "сгореть". В составе ИС, ЭСЛ выпускаются в сериях К500 и К1500.
Реально ЭСЛ выпускаются все с эмиттерными повторителями, но без эмиттерной нагрузки, то есть все ЭСЛ - с открытым эмиттером.
Эта схема самостоятельно не применяется, априменяется только с нагрузочными резисторами. ЕЭ = UП = -5.2 В. Сопротивления нагрузки могут подключаться к источникам питания -5,2 В и к источникам с пониженным питанием - 2 В для уменьшения потребляемой мощности.
RВН ВШ = 50 200 Ом
Такая схема может применяться для:
1. Согласование спротивления нагрузки с волновым сопротивлением линии (длинная дорожка печатного проводника);
2. Возможность реализации монтажной логики. (Объединение выходов в одну точку, в результате которой получится другая логическая функция).
Это схема ИЛИ по отношению к выходам.
Достоинства схемы:
1. RН позволяет при отсутствии соединения входа с источником сигнала задавать на выход НУ. Таким образом, если в ЭСЛ есть неиспользованные входы, их можно оставлять висеть в воздухе (в ТТЛ тоже можно, но это не всегда верно работает или падает быстродействие).
2. RН может быть использовано в качестве элемента нагрузки предыдущего элемента ЭСЛ. Это редко используется, если не нужно согласовывать сопротивление нагрузки, так как RН = 50 кОм (используется очень редко).
При монтаже схем на печатных платах нагрузочные резисторы устанавливаются на стороне приемников, что увеличивает помехоустойчивость. То есть выход с открытым коллектором на одном конце кабеля, а на другом резистор нагрузки и сразу же за ним приемник. Иначе - ВУ не дойдет до приемника.
