- •Гусев б. С. Цифровая схемотехника эвм. Конспект лекций.
- •Содержание
- •Введение.
- •Параметры интегральных схем
- •Обозначения на микросхемах.
- •Полупроводниковые диоды.
- •Методика расчета диодных схем.
- •Диодные логические элементы.
- •Расчет диодного элемента с нагрузкой .
- •Динамика диодного элемента .
- •Диодные логические элементы “или” логики высокого уровня.
- •Двухступенчатые диодные элементы.
- •Динамика двухступенчатых элементов .
- •Полупроводниковые транзисторы.
- •Биполярные транзисторы
- •Схемы замещения транзисторов. Модель Эберса-Молла.
- •Динамика транзисторного ключа.
- •Инвертор.
- •Расчет инвертора.
- •Определение порогового напряжения переключения транзистора.
- •Расчет коэффициента разветвления.
- •Цепочка фиксации.
- •Организация базовой цепи инвертора. Оптимальная фома базового тока.
- •Нелинейная отрицательная обратная связь (ноос).
- •Система элементов резистивно транзисторной логики (ртл).
- •Синтез инвертора.
- •Элементы диодно-транзисторной логики с переключением напряжения (дтл пн).
- •Элементы дтл с переключением тока (дтл пт).
- •Расчет элементов дтл пн.
- •Расчет элементов дтл пт.
- •Элемент дтл пт со сложным инвектором.
- •Элементы ттл. Ттл с простым инвертором .
- •Ттл со сложным инвертором.
- •Расчет коэффициента рзветвления.
- •Характеристики элементов ттл
- •1 Uвх uвых . Передаточная характеристика.
- •Входная характеристика.
- •3. Выходная характеристика.
- •Модификации элементов ттл. Использование схемы Дарлингтона.
- •Элементы ттлш. (c диодом Шоттки).
- •Современные серии ттл.
- •Элементы ттл с открытым коллектором
- •Подключение индикации.
- •Организация монтажной логики
- •Расчет резисторов для организации монтажной логики.
- •Логические элементы с тремя состояниями.
- •Реализация логических функций на базе элементов ттл. Элементы и-не с помощью многоэмиттерного исполнения транзисторов vt1.
- •Характеристики серийных элементов ттл
- •Схемы замещения элементов ттл для серии к155. Схемы замещения со стороны входа
- •Элементы эмиттерно-связанной логики (эсл).
- •Характеристики элементов эсл
- •Реализация логических функций на базе эсл
- •Расчет элемента эсл.
- •1. Выбор высоких и низких уровней напряжения
- •3. Выбор источников напряжений
- •6. Расчет нагрузочных сопротивлений.
- •Элементы инжекционной логики (и 2л)
- •Расчет нагрузочной способности
- •Реализация логических функций на базе.И2л Элементы и2л с многоколлекторным транзистором Использование диодов Шоттки в элементах и2л.
- •Схемы с непосредственной связью
- •Расчет нагрузочной способности
- •Реализация Логических Функций
- •Логические элементы на моп-транзисторах.
- •Реализация логических функций на моп транзисторах Инвертор.
- •Характеристики логических элементов на моп транзисторах
- •Реализация логических функций на базе элементов на моп транзисторах.
- •Логические элементы на кмоп транзисторах
- •Реализация логических функций на кмоп элементах
- •Элемент 2и-не
- •Элемент с тремя состояниями
- •Практическое использование кмоп элементов
- •Защитная цепочка кмоп элементов
- •Двунаправленный ключ на базе кмоп-элементов.
- •Монтажная логика на элементах кмоп
- •Практическое использование элементов ттл
- •Использование свободных элементов в микросхемах.
- •Совместное использование различных серии ттл
- •Перспективные системы элементов
- •Новые элементы эсл
- •Заключение.
Элементы ттлш. (c диодом Шоттки).
Все транзисторы изготавливающиеся с диодом Шоттки работают на границе насыщения. Поэтому UНУ повышен на 0.10.2 В. Если есть схема Дарлингтона, то VT3 изготавливается без диода Шоттки.
Современные серии ттл.
К1531, К1533. У элементов этих серий быстродействие 5нс.
Вместо VT1 в них используется диод Шоттки. Поэтому, фактически, это ДТЛ.
Элементы ттл с открытым коллектором
Используется для:
- Подключения нестандартной нагрузки (элемент индикации, при согласовании сигналов различных серий, при необходимости управления более мощной нагрузкой);
- При организации магистралей типа "общая шина";
- Для организации монтажной логики.
При UX = ВУ транзистор VT1 находится в инверсном режиме, VT2 и VT4 - в насыщении.
При UX = НУ транзистор VT1 - в насыщении,
VT2 и VT4 - закрыты.
Эта схема является инвертором без цепей VT3, но схема в таком виде не будет работать. Для нормальной работы необходима внешняя нагрузка на коллектор.
Напряжение источника Е2 может достигать 12В.
Подключение индикации.
Обычно используется светодиод.
IД = 11.5 mА
IMAX = 1020 mА
Если UX = НУ, то VT4 закрыт и отсутствует цепь для протекания тока через диод - диод не светится.
Если на вход подать логическую единицу, то VT4 - открыт, UК=0,1 В. Этого напряжения недостаточно для отпирания диода. Транзистор шунтирует диод и диод закрыт. Диод не светится.
Если на входе логический ноль, то VT4 закрыт, через диод течет ток, ограничивающийся сопротивлением R0 .
Организация монтажной логики
Монтажная логика ‑ способ реализации логических функций, при котором выполняется электрическое объединение выходов логических элементов.
Рассмотрим на примере:
Каждый элемент выполнял функцию инвертора
Пусть на входах два НУ, тогда выходные транзисторы обоих элементов закрыты и напряжение на выходе без нагрузки ВУ и равны ЕК.
Если хотя бы на одном из входов ВУ, то соответствующий транзистор будет открыт UY =НУ.
Такую логику называют “монтажной ИЛИ” по отношению ко входам и “монтажной И” по отношению к выходам.
- относительно входа
- относительно выхода
Расчет резисторов для организации монтажной логики.
Предполагается, что с помощью монтажной логики объединяется N логических элементов, к выходу элемента-источника может быть подключено М элементов-приемников.
Все транзисторы - источники закрыты, на выходе ВУ и в приемниках протекает IВХ. Составим уравнения по первому закону Кирхгофа для узла коллектора:
IR=NIKT+MIВХ ;
IR=(E - UyВУ ) / R ;
UyВУ >UП ;
UyВУ > 2.4В ;
Решая последнее неравенство относительно R, находится одна из границ нагрузки.
б) UY = НУ
Наиболее тяжелый режим, когда открыт хотя бы один источник (рисунок (б)).
Составим уравнение :
IK=IR+MIВХ0-(N-1)*IKT
С повышением М происходит повышение IK и при достаточно большом М IR может превысить IK ДОП и транзистор сгорит.
(IR+MIВХ0- (N-1)IKT < IK ДОП Получаем вторую границу для нагрузки, решив неравенство относительно R.
