6.2 Підготовка до лабораторної роботи
6.2.1 Ознайомитися з короткими теоретичними положеннями, що викладені в п.р. 6.1.
Більш детальна інформація наведена в лекції «Каскад підсилювача змінної напруги на біполярному транзисторі за схемою з спільним емітером з негативним зворотним зв’язком»
6.2.2 Розрахувати параметри підсилювача змінної напруги на біполярному транзисторі за схемою зі спільним емітером з негативним зворотним зв’язком (рис.6.1) відповідно до вихідних даних, наведених в табл. 6.1.
Таблиця 6.1 – Вихідні дані до схеми рис.6.6
№ |
, кОм |
кОм |
кОм |
Ом |
, кОм |
кОм |
мкФ |
В |
0 |
18 |
15 |
2 |
20 |
3,9 |
3 |
10 |
11 |
1 |
20 |
16 |
2,1 |
30 |
4,3 |
3,1 |
20 |
12 |
2 |
24 |
20 |
2,2 |
40 |
4,7 |
3,2 |
50 |
13 |
3 |
26 |
21 |
2,3 |
10 |
5,1 |
3,3 |
10 |
14 |
4 |
28 |
18 |
2,4 |
20 |
4,7 |
3,4 |
20 |
15 |
5 |
31 |
19 |
2,5 |
30 |
4,9 |
3,5 |
50 |
16 |
6 |
34 |
20 |
2,6 |
40 |
5,1 |
3,6 |
10 |
17 |
7 |
36 |
23 |
2,7 |
10 |
5,8 |
3,7 |
20 |
18 |
8 |
36 |
24 |
2,8 |
20 |
6,3 |
3,8 |
50 |
19 |
9 |
39 |
25 |
2,9 |
30 |
6,5 |
3,9 |
10 |
20 |
,
,
,
,
,
,
Увага !
- номер варіанту відповідає останній цифрі в паролі для доступу до курсу дистанційного навчання «Електронні пристрої інформаційно-вимірювальної техніки», модуль «Аналогові електронні пристрої» або номеру бригади;
- для всіх варіантів транзистор вибирати типу 2N4400 фірми National Instruments з меню компонентів (NPN Transistor Properties) (рис.6.2);
-
для всіх варіантів ємність конденсаторів
=
=10000
мкФ;
- параметри транзистора типу 2N4400, які потрібно використовувати при розрахунках, можна отримати з меню компонентів (NPN Transistor Properties → Edit). Позначення параметрів транзистора в середовищі EWB та їх відповідність параметрам, які використовуються при розрахунку, потрібно вивчити самостійно.
6.3 Послідовність розрахунку параметрів схеми
6.3.1 Розрахувати параметри каскаду підсилювача
- значення постійної напруги на базі транзистора - за формулою (6.1);
- значення постійної напруги на емітері транзистора - за формулою (6.2);
- значення постійного струму емітера транзистора - за формулою (6.3);
-
значення постійної напруги на ланці
колектор-емітері
транзистора
- за формулою (6.4);
- значення коефіцієнту підсилення каскаду без зворотного зв’язку за змінним сигналом (тобто за умови, що верхній полюс конденсатора з’єднаний з емітером транзистора ) коефіцієнт підсилення в області середніх частот розрахувати за формулою (6.6)
- значення коефіцієнту підсилення каскаду без зворотного зв’язку в області середніх частот в логарифмічних одиницях - за формулою (5.11);
- значення коефіцієнту підсилення каскаду зі зворотним зв’язком в області середніх частот - за формулою (6.7);
-
значення вхідного опору каскаду
в області середніх частот розрахувати
за формулою (6.8);
-
значення вихідного опору каскаду
в області середніх частот - за формулою
(6.9);
- значення частоти зрізу в області верхніх частот , - за формулою (6.10);
- значення частоти зрізу в області нижніх частот , яка зумовлена тільки конденсатором - за формулою (6.11);
-
значення частоти зрізу в області нижніх
частот
,
яка зумовлена тільки конденсатором
- за формулою (6.12);
- значення частоти зрізу в області нижніх частот , яка зумовлена тільки конденсатором - за формулою (6.13).
Результати розрахунків занести в табл. 6.2
Таблиця 6.2 – Значення параметрів схеми підсилювача
Значення параметру: |
|
,В |
,В |
|
K0зз |
K0зздБ |
R0вх.ззкОм |
R0вих.ззкОм |
fн.ззГц |
fв.ззМГц |
K0 |
R0вхкОм |
fн0, Гц |
fв0, МГц |
за результатами розрахунку |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
за результа-тами експери-ментальних досліджень |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
,В
,мА