- •2 Биполярные транзисторы.
- •3 Дифференциальные усилители переменного напряжения.
- •4 Полевые транзисторы.
- •Основные параметры и характеристики
- •6 Шумы в транзисторах.
- •7 Усилители с модуляцией и демодуляцией.
- •8 Параметры операционного усилителя.
- •9. Двухканальный усилитель на базе дифференциального усилителя.
- •10 Эквивалентная схема биполярного транзистора.
- •11 Ограничители на полупроводниковых диодах.
- •12 Параметрический стабилизатор напряжения.
- •14 Преобразователи сопротивления в напряжение.
- •15 Повторитель на операционном усилителе.
- •16 Схемы включения биполярных транзисторов.
- •17 Усилитель на полупроводниковом приборе.
- •18 Элементы диодно-транзисторной логики.
- •19 Элементы транзисторно-транзисторной логики.
- •20. Многовходовой сумматор-вычислитель на базе операционного усилителя
- •21 Усилитель с отрицательной обратной связью.
- •22. Интегральные микросхемы на биполярных транзисторах.
- •2 4 Основные параметры кварцевого резонатора..
- •25 Эквивалентная схема оу.
- •26 Триггеры на транзисторах.
- •27 Полупроводниковые стабилитроны и стабилизаторы напряжения.
- •28 Триггер Шмитта.
- •30.Полная частотная коррекция
- •31 Регистры
- •32 Инвертирующий усилитель
- •34 Неинвертирующий усилитель
- •35 Сумматоры ,основные понятия и определения
- •36 Преобразователи кодов, основные понятия и определения.
- •38 Селекторы-мультиплексоры.
- •41 Генераторы с кварцевой стабилизацией
- •42 Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •49 Шифраторы и дешифраторы.
- •56 Схема об.
- •57 Схема оэ.
- •58 Физика процесса в бпт.
- •59 Параллельное соединение стабилитронов.
- •60 Последовательное соединение стабилитронов.
- •62 Рабочий режим пд
- •63 Вахпд.
- •64 Переход метал-пп.
- •69 Рабочий режим бпт.
- •69 Физика процесса в пт
- •70.Схемы питания пт.
- •71 Физика процесса и устройства мдпт
- •73 Устройство и физика процесса в тиристорах.
- •74Туннельные диоды.
- •75.Типы пп резисторов, основные характеристики.
- •76 Составной транзистор, основные характеристики.
- •78 Приборы тлеющего разряда
- •7 9Фоторезисторы.
- •80 Фотодиоды.
- •81Фототранзисторы.
- •82.Светоизлучающие диоды.
- •83 Сравнение н-параметров об и оэ.
- •84Варикапы.
- •85 Фотоэлектронные умножители.
- •86 Фототиристоры.
- •87 Генератор пилообразного напряжения на тиристоре.
- •88 Приборы с гетерогенными переходами.
- •89 Цифро-аналоговые преобразователи.
- •45. Дифференциальный усилитель с оос.
- •43. Инструментальные дифференциальные усилители.
- •50. Инверторы на комплементарных транзисторах.
85 Фотоэлектронные умножители.
Фотокатод,
фокусирующая система, умножительная
система (диноды), анод (коллектор)-
основные элементы ФЭУ. Все эти элементы
располагаются в стеклянном баллоне,
откаченном до высокого вакуума ( 10-6мм
рт.ст.).
Фотокатод обычно располагается на внутренней поверхности плоской торцевой части баллона ФЭУ для целей спектрометрии ядерных излучений. В качестве материала фотокатода выбирается вещество достаточно чувствительное к свету, испускаемому сцинтилляторами. Наибольшее распространение получили сурьмяно-цезиевые фотокатоды, максимум спектральной чувствительности которых лежит при l= 3900¸4200 А, что соответствует, максимумам спектров люминесценции многих сцинтилляторов.
Свойства фотокатода характеризуются также интегральной чувствительностью, представляющей собой отношение фототока (мка) к падающему на фотокатод световому потоку (лм).
Квантовый выход катода, т. е. вероятность вырывания фотоэлектрона фотоном, попавшим на фотокатод также является одной из его характеристик. Величина e может достигать 10-20%.
Фотокатод наносится на стекло в виде тонкого полупрозрачного слоя. Толщина этого слоя имеет значение. С одной стороны, для большого поглощения света она должна быть значительной, с другой стороны, возникающие фотоэлектроны, обладая очень малой энергией не смогут выходить из толстого слоя и эффективный квантовый выход может оказаться малым, поэтому подбирается оптимальная толщина фотокатода. Также важно обеспечить равномерную толщину фотокатода, чтобы его чувствительность была одинакова на всей площади.
В сцинтилляционной g-спектрометрии часто необходимо использовать твердые сцинтилляторы больших размеров, как по толщине, так и по диаметру, поэтому возникает необходимость изготавливать ФЭУ с большими диаметрами фотокатодов.
Фотокатоды в отечественных ФЭУ делаются с диаметром от нескольких сантиметров до 15¸20 см. фотоэлектроны, выбитые из фотокатода, должны быть сфокусированы на первый умножительный электрод. Для этого используется система электростатических линз, которые представляют собой ряд фокусирующих диафрагм. Для получения хороших временных характеристик ФЭУ важно создать такую фокусирующую систему, чтобы электроны попадали на первый динод с минимальным временным разбросом.
Важной
характеристикой ФЭУ является коэффициент
умножения М.
Если значение s для всех динодов одинаково
(при полном сборе электронов на динодах),
а число динодов равно n,
то
A и B постоянные, u – энергия электронов.
Коэффициент умножения М
не равен коэффициенту усиления М',
который характеризует отношение тока
на выходе ФЭУ к току, выходящему из
катода
М' = СМ,
где С<1 — коэффициент сбора электронов, характеризующий эффективность сбора фотоэлектронов на первый динод.
Очень важным является постоянство коэффициента усиления М' ФЭУ как во времени, так и при изменении числа электронов, выходящих из фото катода. Последнее обстоятельство позволяет использовать сцинтилляционные счетчики в качестве спектрометров ядерных излучений.
