- •2 Биполярные транзисторы.
- •3 Дифференциальные усилители переменного напряжения.
- •4 Полевые транзисторы.
- •Основные параметры и характеристики
- •6 Шумы в транзисторах.
- •7 Усилители с модуляцией и демодуляцией.
- •8 Параметры операционного усилителя.
- •9. Двухканальный усилитель на базе дифференциального усилителя.
- •10 Эквивалентная схема биполярного транзистора.
- •11 Ограничители на полупроводниковых диодах.
- •12 Параметрический стабилизатор напряжения.
- •14 Преобразователи сопротивления в напряжение.
- •15 Повторитель на операционном усилителе.
- •16 Схемы включения биполярных транзисторов.
- •17 Усилитель на полупроводниковом приборе.
- •18 Элементы диодно-транзисторной логики.
- •19 Элементы транзисторно-транзисторной логики.
- •20. Многовходовой сумматор-вычислитель на базе операционного усилителя
- •21 Усилитель с отрицательной обратной связью.
- •22. Интегральные микросхемы на биполярных транзисторах.
- •2 4 Основные параметры кварцевого резонатора..
- •25 Эквивалентная схема оу.
- •26 Триггеры на транзисторах.
- •27 Полупроводниковые стабилитроны и стабилизаторы напряжения.
- •28 Триггер Шмитта.
- •30.Полная частотная коррекция
- •31 Регистры
- •32 Инвертирующий усилитель
- •34 Неинвертирующий усилитель
- •35 Сумматоры ,основные понятия и определения
- •36 Преобразователи кодов, основные понятия и определения.
- •38 Селекторы-мультиплексоры.
- •41 Генераторы с кварцевой стабилизацией
- •42 Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •49 Шифраторы и дешифраторы.
- •56 Схема об.
- •57 Схема оэ.
- •58 Физика процесса в бпт.
- •59 Параллельное соединение стабилитронов.
- •60 Последовательное соединение стабилитронов.
- •62 Рабочий режим пд
- •63 Вахпд.
- •64 Переход метал-пп.
- •69 Рабочий режим бпт.
- •69 Физика процесса в пт
- •70.Схемы питания пт.
- •71 Физика процесса и устройства мдпт
- •73 Устройство и физика процесса в тиристорах.
- •74Туннельные диоды.
- •75.Типы пп резисторов, основные характеристики.
- •76 Составной транзистор, основные характеристики.
- •78 Приборы тлеющего разряда
- •7 9Фоторезисторы.
- •80 Фотодиоды.
- •81Фототранзисторы.
- •82.Светоизлучающие диоды.
- •83 Сравнение н-параметров об и оэ.
- •84Варикапы.
- •85 Фотоэлектронные умножители.
- •86 Фототиристоры.
- •87 Генератор пилообразного напряжения на тиристоре.
- •88 Приборы с гетерогенными переходами.
- •89 Цифро-аналоговые преобразователи.
- •45. Дифференциальный усилитель с оос.
- •43. Инструментальные дифференциальные усилители.
- •50. Инверторы на комплементарных транзисторах.
83 Сравнение н-параметров об и оэ.
Система
h-параметров
это система низкочастотных малосигнальных
параметров. Для анализа этой системы
параметров транзистор рекомендуется
представлять в виде активного
четырехполюсника (рис. 2.8). Чтобы исключить
взаимное влияние цепей активного
четырехполюсника, h-параметры
измеряются в двух режимах: а) режим
холостого хода (Х.Х.) со стороны входа
(на входе включается большая индуктивность);
б) режим короткого замыкания (К.З.) со
стороны выхода (на выходе включается
конденсатор большой емкости, при этом
путь тока по постоянной составляющей
сохраняется, а по переменной получается
режим короткого замыкания. Физическая
сущность h
параметров 1) h11
сопротивление транзистора на входных
зажимах по переменной составляющей
тока, Ом, определяется в режиме К.З. со
стороны выхода
(при U2
= const); 2) h22
проводимость
транзистора на выходных зажимах
транзистора, Сим (определяется в режиме
Х.Х. со стороны входа) (при I1=
const). На практике
удобнее пользоваться выражением 1/h22
3) h21
статический коэффициент передачи тока
со входа на выход, определяется в режиме
К.З. со стороны выхода (h21об
;
h21оэ
)
(при U2
= const); 4)h12
коэффициент
внутренней обратной связи, показывает
какая часть выходного напряжения
через элемент внутренней связи попадает
на вход (определяется в режиме Х,Х, со
стороны входа): (при I1=
const). Система
h-параметров
называется смешанной, потому что
параметры имеют разные размерности.
1)
2
3)
4)
Параметр |
Схема ОЭ |
Схема ОБ |
ki
|
Десятки — сотни |
Немного меньше единицы |
Ku
|
Десятки — сотни |
Десятки — сотни |
kp
|
Сотни — десятки тысяч |
Десятки — сотни |
Rвх
|
Сотни ом — единицы килом |
Единицы — десятки ом |
Rвых |
Единицы — десятки килом |
Сотни килоом — единицы мегаом |
Фазовый сдвиг между Uвых и Uвх |
180° |
0 |
84Варикапы.
Эти плоскостные диоды, иначе называемые параметрическими, работают при обратном напряжении, от которого зависит барьерная емкость. Таким образом, варикапы представляют собой конденсаторы переменной емкости, управляемые не механически, а электрически, т. е. изменением обратного напряжения.
В
арикапы
применяются главным образом
для настройки колебательных контуров,
а также в некоторых специальных
схемах, например в так называемых
параметрических усилителях. На рис.
3.24 показана простейшая схема включения
варикапа в колебательный
потенциометра R обратное напряжение на варикапе, можно изменять резонансную частоту контура. Добавочный резистор R1 с большим сопротивлением включен для того, чтобы добротность контура не снижалась заметно от шунтирующего влияния потенциометра R. Конденсатор Ср является разделительным. Без него варикап был бы для постоянного напряжения замкнут накоротко катушкой L.
В качестве варикапов довольно успешно можно использовать кремниевые стабилитроны при напряжении ниже С/ст, когда обратный ток еще очень мал и, следовательно, обратное сопротивление очень велико.
