78 Приборы тлеющего разряда

С табилитроны - приборы тлеющего и коронного разряда. Наиболее распро­странены стабилитроны тлеющего раз­ряда, работающие в режиме нормаль­ного катодного падения. В последнее время они все чаще заменяются полу­проводниковыми стабилитронами.

Поскольку темный разряд, предшест­вующий тлеющему, не используется, его не показывают на вольт-амперной характеристике стабилитрона (рис. 21.6). Точку возникновения разряда А отме­чают на вертикальной оси. К тому же миллиамперметр для измерения тока тлеющего разряда не покажет ничтожно малого тока темного разряда.

Область нормального катодного па­дения, пригодная для стабилизации, ограничена минимальным током I_min и максимальным I_mах. Наиболее распространены двухэлектродные стабилитроны с цилиндрическим катодом из никеля или стали. Анодом служит проволочка диаметром 1-1.5 мм. Баллон наполнен смесью инертных газов под давлением в тысячи паскалей.

Осн. параметры стабилитрона:нормальное рабочее напряжение или напряжение стабилизации, напряжение возникновения разряда, мин и макс ток изменения напряжения стабилизации, и внутренн. сопротивление переменному току.Шир. применение получили тиратроны тлеющего разряда, с тремя ил и более электродами. Они используются в автоматике, в релейных и счетных схемах + в импульсных генераторах. В тиратронах между анодом и катодом расположен третий электрод, наз. сеткой или пусковым электродом. Изменяя напряжение сетки, можно полностью управлять анодным током. После возникновения разряда сетка теряет управляющее действие. К приборам тл. разряда также можно отнести : неоновые лампы, знаковые индикаторы тл. р-да,,ваккууные люминесцентные индикаторы, ЖКИ, и т.д.

7 9Фоторезисторы.

Фоторезистор представляет собой полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием излучения. На диэлектрическую пластину 1 нанесен тонкий слой полупроводника 2 с контак­тами 3 по краям. Схема включения фоторезистора приведена . Полярность источника питания не играет роли. Если облучения нет, то фоторези­стор имеет некоторое большое сопро­тивление R_T, называемое темновым. Оно является одним из параметров фоторе­зистора и составляет 10⁴—10⁷ Ом. Соот­ветствующий ток через фоторезистор называют темновым током. При дей­ствии излучения с достаточной энерги­ей фотонов на фоторезистор в нем происходит генерация пар подвижных носителей заряда (электронов и дырок) и его сопротивление уменьшается.

Для фоторезисторов применяют раз­личные полупроводники, имеющие нуж­ные свойства. Так, например, сернистый свинец наиболее чувствителен к инфра­красным, а сернистый кадмий — к види­мым лучам. Фоторезисторы характери­зуются удельной чувствительностью, т. е. интегральной чувствительностью ', отнесенной к 1 В приложенного напря­жения: . Ф-световой поток. Обычно удельная чувствительность составляет несколько сотен или тысяч микроампер на вольт-люмен.

Фоторезисторы имеют линейную вольт-амперную и нелинейную энерге­тическую характеристику (рис. 13.2). К параметрам фоторезисторов кроме тем-нового сопротивления и удельной чув­ствительности следует еще отнести мак­симальное допустимое рабочее напряже­ние (до 600 В). Кратность изменения сопротивления (может быть до 500), тем­пературный коэффициент фототока ТКФ= I/(I T). Значительная зависи­мость сопротивления от температуры, характерная для полупроводников, яв­ляется недостатком фоторезисторов. Су­щественным недостатком надо считать также их большую инерционность.