- •2 Биполярные транзисторы.
- •3 Дифференциальные усилители переменного напряжения.
- •4 Полевые транзисторы.
- •Основные параметры и характеристики
- •6 Шумы в транзисторах.
- •7 Усилители с модуляцией и демодуляцией.
- •8 Параметры операционного усилителя.
- •9. Двухканальный усилитель на базе дифференциального усилителя.
- •10 Эквивалентная схема биполярного транзистора.
- •11 Ограничители на полупроводниковых диодах.
- •12 Параметрический стабилизатор напряжения.
- •14 Преобразователи сопротивления в напряжение.
- •15 Повторитель на операционном усилителе.
- •16 Схемы включения биполярных транзисторов.
- •17 Усилитель на полупроводниковом приборе.
- •18 Элементы диодно-транзисторной логики.
- •19 Элементы транзисторно-транзисторной логики.
- •20. Многовходовой сумматор-вычислитель на базе операционного усилителя
- •21 Усилитель с отрицательной обратной связью.
- •22. Интегральные микросхемы на биполярных транзисторах.
- •2 4 Основные параметры кварцевого резонатора..
- •25 Эквивалентная схема оу.
- •26 Триггеры на транзисторах.
- •27 Полупроводниковые стабилитроны и стабилизаторы напряжения.
- •28 Триггер Шмитта.
- •30.Полная частотная коррекция
- •31 Регистры
- •32 Инвертирующий усилитель
- •34 Неинвертирующий усилитель
- •35 Сумматоры ,основные понятия и определения
- •36 Преобразователи кодов, основные понятия и определения.
- •38 Селекторы-мультиплексоры.
- •41 Генераторы с кварцевой стабилизацией
- •42 Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •49 Шифраторы и дешифраторы.
- •56 Схема об.
- •57 Схема оэ.
- •58 Физика процесса в бпт.
- •59 Параллельное соединение стабилитронов.
- •60 Последовательное соединение стабилитронов.
- •62 Рабочий режим пд
- •63 Вахпд.
- •64 Переход метал-пп.
- •69 Рабочий режим бпт.
- •69 Физика процесса в пт
- •70.Схемы питания пт.
- •71 Физика процесса и устройства мдпт
- •73 Устройство и физика процесса в тиристорах.
- •74Туннельные диоды.
- •75.Типы пп резисторов, основные характеристики.
- •76 Составной транзистор, основные характеристики.
- •78 Приборы тлеющего разряда
- •7 9Фоторезисторы.
- •80 Фотодиоды.
- •81Фототранзисторы.
- •82.Светоизлучающие диоды.
- •83 Сравнение н-параметров об и оэ.
- •84Варикапы.
- •85 Фотоэлектронные умножители.
- •86 Фототиристоры.
- •87 Генератор пилообразного напряжения на тиристоре.
- •88 Приборы с гетерогенными переходами.
- •89 Цифро-аналоговые преобразователи.
- •45. Дифференциальный усилитель с оос.
- •43. Инструментальные дифференциальные усилители.
- •50. Инверторы на комплементарных транзисторах.
25 Эквивалентная схема оу.
При построении высокоточных схем на ОУ необходимо учитывать влияние неидеальности усилителя на характеристики схемы. Для этого удобно представить усилитель схемой замещения, содержащей существенные элементы неидеальности. Полная схема замещения ОУ для малых медленных изменений сигналов представлена на рис. У ОУ с биполярными транзисторами на входе входное сопротивление для дифференциального сигнала rд составляет несколько мегаом, а входное сопротивление для синфазного сигнала rвх несколько гигаом. Входные токи, определяемые этими сопротивлениями, имеют величину порядка нескольких наноампер. Существенно бoльшие значения имеют постоянные токи, протекающие через входы операционного усилителя и определяемые смещением транзисторов дифференциального каскада. Для универсальных ОУ входные токи находятся в пределах от 10 нА до 2 мкА, а для усилителей со входными каскадами, выполненными на полевых транзисторах, они составляют доли наноампер.
26 Триггеры на транзисторах.
Триггер представляет собой устройство с двумя устойчивыми состояниями: 0 и 1. Он удобен для обработки двоичной информации. Двум устойчивым состояниям триггера отвечают различные значения выходного сигнала, каждый из которых соответствует логическим 0 и 1. Записанная в триггере двоичная информация (0 или 1) сохраняется до тех пор, пока состояние триггера не изменится. В случае необходимости входным сигналом триггер переводится из одного устойчивого состояния в другое, тем самым изменяется записанная в нем информация. Триггеры выпускают в интегральном исполнении в виде самостоятельных изделий, из которых собирают другие типовые цифровые устройства, или включают в состав любых дискретных устройств с памятью. Для изготовления триггеров могут быть использованы приборы, вольтамперные характеристики которых содержат участки отрицательной крутизны (туннельные диоды, тиристоры, двухбазовые диоды и др.). Однако наиболее широкое применение получили триггеры, построенные на базе ключей в дискретном или интегральном исполнении. На рис. изображена наиболее распространенная схема триггера на дискретных элементах - двух активных элементах - транзисторах VT1 и VT2 с добавлением пассивных элементов типа резисторов, диодов, конденсаторов. Триггер образован соединением выхода одного резисторно-транзисторного ключа со входом другого и выхода последнего со входом первого. Нетрудно видеть, что эту же схему можно представить двухкаскадным резисторным усилителем, замкнутым в петлю положительной обратной связи. Триггер характеризуется статическим состоянием и процессом опрокидывания. В статическом состоянии один из транзисторов закрыт, а второй открыт, причем это состояние может сохраняться сколь угодно долгое время. Например, если транзистор VT1 закрыт, на его коллекторном электроде выделяется практически полное напряжение питания. Это напряжение через резистор Rб2 создает базовый ток у транзистора VT2, открывая его. При этом коллекторный электрод VT2 почти накоротко соединен с землей, следовательно, в цепи базового резистора Rб1 и базы VT1 тока нет, что соответствует его исходному закрытому состоянию. Для повышения устойчивости статического состояния на базы транзисторов VT1 и VT2 через резисторы R1, R2 подается напряжение +Eб, которое создает на базе закрытого транзистора VT1 дополнительное закрывающее смещение. Таким образом, дополнительное смещение +Еб удерживает транзистор VT1 в закрытом состоянии, предохраняя триггер от ложных срабатываний при воздействии случайных
помех. Это напряжение также создает обратный ток в цепи базы транзистора VT2, но величина этого тока выбирается в несколько раз меньше по сравнению с прямым током через Rб2 на коллекторный электрод транзистора VT1.
