- •1.Литературный обзор
- •1.1 Метод киб (Конденсации с Ионной Бомбардировкой)
- •1.2 Влияние плотности энергии и длительности импульса сэп на внутреннюю структуру твёрдого сплава т15к6
- •2. Методика эксперимента
- •2.1 Приготовление образца
- •2.2 Метод анализа фазового состава
- •2.2.1 Рентгенографический анализ
- •2.3 Метод получения топографии поверхности
- •2.3.1 Принцип работы рэм
- •2.4 Метод получения распределения элементного состава в глубине образца
- •2.4.1 Энерго-дисперсионный метод регистрации спектра
- •3. Изучение влияния режимов облучения на изменение структуры и фазового состава покрытий на основе Zr, облучённых сэп
- •3.1 Фазовый анализ
- •3.2 Анализ морфологии поверхности поперечного сечения модифицированного слоя
- •3.3 Исследование топографии поверхности образцов
- •3.4 Фазовый анализ после отжига
- •3.5 Анализ морфологии поверхности поперечного сечения отожжённых образцов
- •3.6 Исследование топографии поверхности отожжённых образцов
2. Методика эксперимента
2.1 Приготовление образца
Циркониевое покрытие наносилось на пластину из спечённого твёрдого сплава Т15К6 методом КИБ. Пластина была разрезана на 7 образцов, каждый из которых был облучён СЭП на импульсной электронно-пучковой установке при разных режимах работы. Образцы Ez1, Ez2, Ez3 облучались СЭП с плотностью энергии 40 Дж/см2 и длительностью импульсов 100, 150, 200 мкс соответственно, образцы Ez4, Ez5, Ez6 облучались с плотностью энергии 60 Дж/см2 с такими же длительностями импульсов, образец Ez7 облучался с плотностью энергии 80 Дж/см2 и с длительностью импульсов 200 мкс.
Отжиг производился при температуре 800 0С на воздухе в течении часа, последующее охлаждение образцов до комнатной температуры осуществлялось медленно, во избежание эффекта закалки
2.2 Метод анализа фазового состава
Фазовый анализ проводился с использованием методов рентгеноструктурного анализа, по дифрактограммам полученным на установке Дрон-2. Диапазон исследуемых углов 2𝝷: 20-120 град, скорость съёмки 2 град/мин, угловое разрешение 0,02 град. Рентгеновское излучение
CuKα (λ=1,5401 Ангстрем). Обработка дифрактограмм производилась при помощи программного обеспечения OriginPro 8,5 и электронной картотеки PCPDFWin-1997.
2.2.1 Рентгенографический анализ
Рентгенографический анализ - это совокупность методов исследования кристаллических веществ, основанных на отражении ими рентгеновских лучей. Рентгенографический анализ имеет несколько самостоятельных направлений: рентгеноструктурный анализ, задача которого состоит в нахождении точных позиций атомов в кристаллической решетке; рентгенофазовый анализ, задача которого состоит в идентификации кристаллических веществ (фаз), входящих в состав анализируемого материала; определение размеров частиц и степени микроискажений кристаллической решетки [8].
В основе рентгенографического анализа лежит явление дифракции рентгеновских лучей кристаллами. Известно, что веществу в любом агрегатном состоянии свойственна та или иная степень упорядоченности. Наибольшей упорядоченностью обладают твердые кристаллические тела: они характеризуются периодическим повторением в пространстве некоторой элементарной ячейки, узлами которой являются атомы, ионы или молекулы. Расстояния между узлами в элементарной ячейке (межатомные расстояния) составляют несколько ангстрем, т.е. имеют тот же порядок, что и длины волн рентгеновских лучей. Таким образом, кристаллы могут служить дифракционной решеткой для рентгеновских лучей. По виду дифракционной картины можно дать характеристику кристалла [8].
Дело в том, что рентгеновские лучи проникают вглубь кристалла, и отражение происходит не только от поверхности, но и от нижележащих плоскостей. Путь, пройденный лучом, отраженным от второй кристаллической плоскости, оказывается большим, чем путь, пройденный таким же лучом от первой, на величину 2d sinθ. Эта величина называется разностью хода лучей. Четкая дифракционная картина будет наблюдаться только в случае, если разность хода лучей равна (или кратна) длине волны рентгеновского излучения. Таким образом, получается уравнение Вульфа-Брэгга
пλ = 2d sin θ, [8]
где λ - длина волны монохроматического рентгеновского излучения;
n = 1, 2, 3... - порядок отражения, для простоты расчетов его принимают равным 1; θ- угол падения рентгеновского луча (причем угол падения равен углу отражения); d- межплоскостное расстояние.
Каждое кристаллическое вещество (фаза) имеет не одно, а целый набор присущих ему межплоскостных расстояний, поскольку регулярно расположенные атомы в решетке кристалла можно мысленно рассечь плоскостями в различных направлениях. Набор межплоскостных расстояний - это своеобразный «паспорт», по которому можно идентифицировать кристаллическую фазу. Рассчитать межплоскостные расстояния можно из уравнения Вульфа-Брэгга, сняв рентгеновскую дифрактограмму (рентгенограмму) анализируемого материала и определив по ней углы θ[8].
Прибор - рентгеновский дифрактометр (ДРОН-1, ДРОН-1,5, ДРОН-2) - снабжен гониометрической системой, которая включает в себя держатель плоского образца, держатель счетчика, кинематическое устройство для вращения образца и счетчика с соотношением угловых скоростей 1:2, устройство для измерения углов поворота счетчика - нониус. Точность измерения углов 0,005°.
Во время дифрактометрической съемки образец поворачивается вокруг своей оси, благодаря чему угол падения рентгеновских лучей 9 изменяется во времени. При некоторых значениях θ выполняется соотношение Вульфа-Брэгга, и происходит отражение рентгеновских лучей от плоского образца. Отраженный луч попадает в счетчик благодаря тому, что последний поворачивается вокруг образца (при повороте образца на угол θ счетчик поворачивается на угол 2θ). Кванты отраженного рентгеновского луча возбуждают в счетчике импульсы тока, они преобразуются в импульсы напряжения и подаются на самопишущий прибор - на диаграммной ленте записывается интенсивность импульсов в зависимости от угла поворота счетчика[8].
