- •Поверхневі фіз-хім процеси
- •1. Основні поняття і особливості стану поверхні твердого тіла, суть поверхневих перекручквань
- •2 Поняття фізичної і хімічної неоднорідності поверхні твердого тіла.
- •3 Порівняльна характеристика поверхневої енергії і поверхневого натягу, їхня розмірність.
- •4 Поверхневий шар твердого тіла, згущення поверхневої енергії.
- •Поняття поверхневої та повної енергії кристалічних тіл.
- •6. Основні поняття з термодинаміки, термодинамічні параметри, функціх стану.
- •7 Основні термодинамічні рівняннядля опису енергії поверхневих шарів.
- •8 Характеристичні функції(6), термодинамічні потенціали, оцінка спрямованості протікання реакцій
- •9 Загальна характеристика методів розрахунку вільної енергії Гібса..
- •10. Охарактеризувати поняття адсорбції. Основне рівняння адсорбції.
- •11. Фізична і хімічна адсорбція. Відміна між ними.
- •12.Хімічна адсорбція, перехід від фізичної до хімічної адсорбції.
- •13. Змочування і розтікання рідини на поверхні твердих тіл.
- •14. Умова рівноваги при контакті рідини з твердим тілом. Міра змочувальної здатності рідини.
- •15. Розтікання, рівняння Юнга.
- •16. Адгезія, робота адгезії рідини.
- •17. Порівняльний аналіз явищ адгезії і когезії.
- •18. Енергія границь зерен кристалла.
- •19. Обгрунтувати умови можливості протікання процесу кристалізації.
- •20. Поняття зародкоутворення. Критичний розмір зародку
- •21. Закон дифузії Фіка
- •22. Поверхнева диффузія, самодиффузія, гетеродиффузія.
- •23. Основні параметри, що характеризують диффузію.
- •24. Коефіцієнт диффузії, фактори, що впливають на коефіцієнт диффузії.
- •25. Механізми спікання твердих тіл, що контактують у точці.
- •26. Поверхнева дифузія при спіканні твердих тіл, при поверхневий шар.
- •27. Основні поняття фізики міцності та пластичності поверхневих шарів твердих тіл. Теоретична та реальна міцність твердих тіл.
- •28. Типи дефектів твердих тіл. Поверхневі дефекти.
- •29. Дислокації, їх види, взаємодія і переміщення дислокацій.
- •30. Вплив поверхні на процесс пластичної деформації твердих тіл.
- •31. Дати оцінку поведінки поверхневих шарів при пластичній деформації; Особливості переміщення дефектів поблизу вільних поверхонь; градієнт щільності та швидкості дислокацій поблизу поверхні тіла.
- •32.Стадії мікропластичної деформації в при поверхневих шарах кристалів.
- •33. Бар”єрний ефект приповерхневих шарів при деформуванні матеріалів, його фізична суть.
- •34. Загальна характеристика середовищ, групи середовищ.
- •35. Елементарні процеси взаімодії металів з газами.
- •36. Адсорбційний ефект Ребіндера(зміна механічних властивостей тіл під дією адсорбційно-активних середовищ).
- •37. Загальна класифікація методів нанесення покриттів; поняття процесів осадження плівок і покритів.
- •38. Класифікація методів нанесення покриттів за станом матеріалу, що наноситься на поверхню твердого тіла.
- •39. Фізичне і хімічне осадження із парової фази; стадії процесу осадження плівок і покриттів.
- •40. Характеристика процесів випаровування та розпилення металів.
- •41. Вплив плівок на фізико-механічні властивості матеріалів(ефекти Роско, Крамера і інші)
- •42. Адгезія і когезія плівок та покриттів. Робота адгезії.
- •43. Визначити основні процеси, що супроводжують відрив плівок; Складові, від яких залежить адгезійна міцність та сила зчеплення плівок до твердих тіл.
- •44. Теоретичні критерії адгезії та контактної активності плівок і покриттів.
- •45. Класифікація методів нанесення газотермічних покриттів.Загальна характеристика процесів утворення контакту при газотермічному напилюванні.
- •46. Плазмове напилювання; утворення фізичної площі контакту при ударній взаємодії частинок з поверхнею твердого тіла.
- •47. Механізм активації при газотермічному напилюванні (канали активації).
- •48. Температурний режим у між фазній зоні в умовах плазмового напилювання.
- •49. Роль поверхневої енергії і дефектів у підвищенні контактної температури при плазмовому напилюванні.
- •50. Формування хімічних зв”язків і міжфазної зони при плазмовому напилюванні.
Поняття поверхневої та повної енергії кристалічних тіл.
Полная энергия связи для атома или иона для кубической кристаллической решётки: Е=6Е1+12Е2,
Е1-энергия связи по поверхности между кубами, Е2- энергия связи по граням куба.
Частицы кристаллической решётки ( атом, ион, молекула) расположенные внутри кристалла испытывают силы взаимодействия со стороны всех окружающих соседних частиц и находятся в состоянии равновесия.
Равнодействующая всех этих сил со стороны окружающих частиц на эту частицу = 0.
В иных условиях находится частица кристалла на его поверхности, т.к. взаимодействующие с ней частицы находятся только с одной стороны ( со стороны кристалла). Чтобы при таком несиметричном силовом поле равнодействующая всех сил, действующих на поверхность частицы равнялась «0» частицы кристалла вблизи поверхности должны распологаться иначе, чем на внутренних участах кристалла. Эти участки образуют поверхностный слой.
Чтобы переместить внутреннюю частицу тела на поверхность твёрдого тела нужно совершить определённую работу, которая переходит в потенциальную энергию поверхностной частицы. Отсюда следует, что все частицы в поверхностном слое обладают большим запасом потенциальной энергии, чем внутрение частицы. На поверхности твёрдого тела сосредотачивается избыток энергии.
Избыток энергии поверхностного слоя отнесённый к единице площади называется удельной потенциальной энергией (σ).
Работа(энергия), которую необходимо затратить на образование единицы новой поверхности ПЭ
σ [ Эрг/см2 ]
Всякий кристалл обладает внутренней и поверхностной энергией.
Внутрення энергия измеряется той работой, которую нужно затратить чтобы разделить кристалл на частицы и удалить их на такое расстояние друг от друга при котором прекращается взаимодействие между ними.
Эта внутренняя энергия пропорциональна объёму кристалла и для двух кристаллов одного и того же вещества имеющего одинаковый объём она одинакова.
Поверхностная энергия пропорциональна поверхности кристалла, следовательно – полная энергия кристалла состоит из внутренней энергии и поверхностной энергии.
Если взять два кристалла одного и того же вещества с одинаковыми объёмами на разных поверхностях, то полная энергия будет больше у кристалла с большей поверхностью.
Поверхностная энергия – сила, которую необходимо приложить к единице длины, чтобы разорвать поверхностный слой. В этом случае σ имеет размерность [ дин/см].
Поверхностная энергия и поверхностное натяжение – синонимы.
6. Основні поняття з термодинаміки, термодинамічні параметри, функціх стану.
В качестве переменных параметров используются: температура, число молей, объём, давление, образованные от функции – термодинамические функции.
Функции, которые не зависят от процесса, т.е. пути перехода от одного состояния к другому – функции состояния.
Среди термодинамических функций есть характеристические функции – функции состояния при помощи которых в явной форме могут быть выражены термодинамические свойства системы.
Основные характеристические функции:
U- внутрення энергия тела, которая зависит от его внутреннего состояния. Состоит из энергии теплового движения атомов или молекул и энергии межмолекулярных и внутриатомных взаимодействий.
H=U+pV – энтальпия (количество тепла сообщённое системе)
F=U-TS – свободная энергия Гельмгольца (убыль определяет работу, совершаемую системой в обратимом изотермическом процессе).
G=H-TS=U+pV-TS – свободная энергия Гибба, та часть энергии которая выделяется или поглощается при химической реакции, протекающей при постоянной температуре и давлении.
S-энтропия, функция состояния термодинамической системы, характеризующая направление протекания процесса теплообмена между системой и окружающей (внешней) средой.
Схема взаимосвязи между характеристическими функциями.
