- •Билет №1
- •Устройство
- •Генераторный режим
- •Принцип действия
- •Билет №2
- •2. Трехфазные электротехнические устройства
- •2. Соединение источника энергии и приемника по схеме звезда
- •3. Соединение источника энергии и приемника по схеме треугольник
- •Билет №3
- •1. Электрические цепи постоянного тока. Понятие ветви, узла. Основные элементы электрической цепи. Источники эдс и тока.
- •1) Источники электрической энергии (питания).
- •2) Потребители электрической энергии.
- •2. Электрические измерения. Электроизмерительные приборы и их поверка.
- •Билет№4
- •1. Закон Ома и законы Кирхгофа для линейных цепей постоянного тока с одним или несколькими источниками электрической энергии.
- •2. Электронные и цифровые измерительные приборы. Преобразователи неэлектрических величин.
- •Билет № 5
- •1. Расчет электрических цепей постоянного тока
- •Билет №6
- •2 Общие сведения о полупроводниках
- •Билет №7
- •Билет №8
- •Билет № 9
- •Билет №10
- •Билет №11.
- •Билет №12.
- •Билет №13
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. В алгебре логики известны три основные логические операции:
- •Билет 14
- •Билет №15
Билет № 9
1.Трансформатором называется статический электромагнитный аппарат, предназначенный для преобразования переменного тока одного напряжения в переменный ток другого напряжения той же частоты. Простейший трансформатор состоит из замкнутого магнитопровода и двух обмоток в виде цилиндрических катушек. Одна из обмоток подключается к источнику переменного синусоидального тока с напряжением u1 и называется первичной обмоткой. К другой обмотке подключается нагрузка трансформатора. Эта обмотка называется вторичной обмоткой.
Переменный синусоидальный ток i1 , протекающий по первичной обмотке трансформатора, возбуждает в магнитопроводе переменный магнитный поток Ф0 , который пронизывает витки обеих обмоток и наводит в них ЭДС e1 и e2 с амплитудами пропорциональными числам витков w1 и w2. Величина ЭДС первичной обмотки E1 практически равна напряжению питания U1 и действует почти в противофазе. Поэтому величина тока в первичной обмотке определяется разностью U1 − E1. При подключении нагрузки ко вторичной обмотке в ней под действием ЭДС e2 возникает переменный синусоидальный ток i2 , который возбуждает в магнитопроводе магнитный поток, направленный встречно по отношению к магнитному потоку, создаваемому первичной обмоткой. В результате поток в магнитопроводе Ф0 уменьшается, что приводит к уменьшению ЭДС E1 и увеличению разности U1 − E1. Вследствие чего ток первичной обмотки I1 увеличивается и восстанавливает величину магнитного потока Ф0 . Таким образом, посредством ЭДС первичной обмотки в магнитопроводе трансформатора автоматически поддерживается постоянный магнитный поток.
Идеальным трансформатором называется такой трансформатор, в котором нет потерь энергии на нагрев обмоток и вихревые токи. В идеальном трансформаторе энергия первичной цепи превращается полностью в энергию магнитного поля, а затем – в энергию вторичной обмотки. Уравнение идеального трансформатора:
или
P1 — мгновенное значение поступающей на трансформатор мощности, поступающей из первичной цепи,
P2 — мгновенное значение преобразованной трансформатором мощности, поступающей во вторичную цепь.
N1 u N2 – Количество витков на первой и второй обмотках.
Для упрощения анализа электромагнитных процессов в трансформаторе вводится cхема замещения, в которой магнитная связь заменяется электрической и коэффициентом трансформации n:
R0 – учитывает потери в магнитопроводе (на вихревые токи и на гистерезис);
X0 – учитывает намагниченность материала сердечника и зависит от марки материала (в идеальном трансформаторе Z0 );
R1, R2 – учитывают потери на нагрев обмоток первичной и вторичной цепей;
XS1, XS2 – индуктивности рассеяния основного потока в обмотках первичной и вторичной цепей;
2.Интегральная микросхема (ИМС) — это изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов, которые могут рассматриваться как единое целое, выполнены в едином технологическом процессе и заключены в герметизированный корпус.
Наибольшее распространение получили ИС, у которых все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.Их называют полупроводниковыми. Для изготовления полупроводниковых микросхем используют кремниевые монокристаллические пластины диаметром не менее 30 — 60 мм и толщиной 0,25 — 0,4 мм. Элементы микросхемы — биполярные и полевые транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы — формируют в полупроводниковой пластине. Межсоединения выполняют напылением узких проводящих дорожек алюминия на окисленную (т. е. электрически изолированную) поверхность кремния, имеющую окна в пленке окисла в тех местах, где должен осуществляться контакт дорожек с кремнием (в области эмиттера, базы, коллектора транзистора и т. д.). Для соединения элементов микросхемы с ее выводами на проводящих дорожках создаются расширенные участки —контактные площадки. Методом напыления иногда изготавливают также резисторы и конденсаторы.
