ПОЛИМЕР
НАНОМАТЕРИАЛЛАР
МИКРОСТРУКТУРАС И 
5. ПН микроструктурасини ўрганишда дифракцион усуллар
Рентген дифракцияси ва РТТ Кукунли дифракция
Тохир Х.Рахимов
Тохир Х.Рахимов |
ОБЩАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ МЕТОДОВ |
specificity
• Increased resolution |
|
requirements for |
|
methods, |
|
• the ability to explore |
|
surface areas of |
|
samples with sizes less |
|
than 100-200 nm. |
Др. Тохир Х.Рахимов |
Тохир Х.Рахимов |
Рентгеновский структурный |
анализ, |
• методы исследования структуры вещества по |
распределению в пространстве и |
интенсивностям рассеянного на |
анализируемом объекте рентгеновского |
Р. с. а. наряду с нейтронографией и |
электронографией |
• |
является дифракционным структурным |
|
методом; |
• |
в его основе лежит взаимодействие |
|
рентгеновского излучения с электронами |
|
вещества, |
Дифракционная картина зависит |
|
• |
от длины волны используемых |
|
рентгеновских лучей и |
• |
строения объекта. |
|
Др. Тохир Х.Рахимов |
Тохир Х.Рахимов |
Для исследования атомной |
структуры |
• применяют излучение с длиной |
волны ~1 , т. е. порядка размеров |
атомов. |
Методами Р. с. а. изучают |
• металлы, сплавы, |
|
• минералы, |
|
• неорганические и органические |
|
соединения, |
|
• полимеры, |
|
• аморфные материалы, жидкости и |
|
газы, |
Др. Тохир Х.Рахимов |
• молекулы белков, нуклеиновых |
|
Тохир Х.Рахимов |
|
Наиболее успешно Р. с. |
|
а. применяют |
|
• для установления атомной |
|
структуры кристаллических |
|
тел. |
|
Это обусловлено тем, |
|
что |
|
• кристаллы обладают строгой |
|
периодичностью строения |
|
• представляют собой созданную |
|
самой природой |
|
дифракционную решётку для |
|
рентгеновских лучей. |
Др. Тохир Х.Рахимов |
|
Тохир Х.Рахимов
Лауэграмма произвольно |
|
установленного монокристалла |
|
берилла. |
|
• |
|
• Тонкими линиями показаны зональные |
|
кривые. |
Др. Тохир Х.Рахимов |
|
|
Тохир Х.Рахимов |
Схема получения |
|
лауэграммы. |
|
• OS — первичный |
|
пучок |
|
рентгеновских |
|
лучей; |
|
• К — |
|
монокристалл; |
|
ММ' — |
|
направление |
|
кристаллографиче |
|
ской плоскости; |
|
• KL — отраженный |
|
луч; |
|
• РР' — фотоплёнка. |
|
Др. Тохир Х.Рахимов |
Тохир Х.Рахимов Лауэграмма ориентированного |
монокристалла берилла. |
• Первичный пучок
рентгеновских лучей направлен вдоль оси симметрии 2-го порядка.
• Монокристалл состоит из двух несколько разориентированн ых блоков, поэтому некоторые пятна
двойные
Др. Тохир Х.Рахимов
|
Вульфа условие, условие, определяющее положение |
|
максимумов рентгеновских лучей, |
|
кристаллом без изменения длины волны. |
• |
межплоскостное расстояние, |
• |
|
• |
рентгеновского излучения |
• |
|
• |
m — порядок отражения |
возникают при отражении рентгеновских лучей от параллельных кристаллографических плоскостей,
отражённые разными плоскостями этой системы, хода, равную целому числу длин волн:
• |
рассеянии кристаллами не только рентгеновских лучей, но |
|
при дифракции электронов, протонов и нейтронов |
Др. Тохир Х.Рахимов
Тохир Х.Рахимов |
ОБЩАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ МЕТОДОВ |
|
Наиболее успешно Р. с. |
|
|
а. применяют |
|
|
• для установления атомной |
|
|
структуры кристаллических |
|
|
тел. |
|
|
Это обусловлено тем, |
|
|
что |
|
|
• кристаллы обладают строгой |
|
|
периодичностью строения |
|
|
• представляют собой созданную |
|
|
самой природой |
|
|
дифракционную решётку для |
|
|
рентгеновских лучей. |
Др. Тохир Х.Рахимов |
|
|
||