3. Дигитайзер. Принцип действия, характеристики.

Принцип действия- это кодирующее устройство которое обеспечивает ввод двухмерного или трехмерного изображения в виде растровой таблицы, используется совместно с двумя устройствами (световое перо и курсор). Планшет является устройством векторной графики. Предоставляет собой две пластины из диэлектрика между которыми находится сетка с проводниками, воздействие на сетку осуществляется электростатическим и электромагнитным способом где сетка приемник. Точность составляет 100 линий на мм. Ведущие производители 2D Wacom и для 3D Immersion

Принцип действия 3D дигитайзеров используют лазерное излучение, ультразвуковое и электромагнитное. Дигитайзеры работают в комплекте с указующими устройствами (световое перо и курсор). Для графических работ применяется световое перо в котором учитывается:

1)Сила нажатия2)Цвет3)Тип инструмента

Курсоры в основном используют электро-статический метод регистрации координат в котором определяется тип линий и толщина.

Интерфейсы проводные и беспроводные.Характеристики:1)Технология2)Тип манипулятора

3)Разрешающая способность (Точность (количество линий на мм))4)Рабочая поверхность (формат)

5)Гибкая основа или жесткая6)Сканирование в ручном и автоматическом режиме7)2D, 3D

4. Flash память. Устройство и принцип действия ячейки flash памяти

В основе флэш накопителя находится специальный транзистор с управляющим и плавающим затвором запись информации осуществляется подачей на управляющий затвор высокого напряжения когда транзистор открывается и между стоком и истоком протекает ток и часть электронов отклоняются на плавающий затвор это метот инжекции горячих электронов (CHE). Для удаления заряда с плавающего затвора используется метод тунелирования- на исток подается отрицательное напряжение и электроны с плавающего затвора удаляются.При считывание изменяется пороговое напряжение которое нужно подать на сток для открытия транзистора.На ряду с одноуровневыми ячейками используются многоуровневыми которые позволяют хранить 4 градации заряда и хранят два бита информации.

Архетиктура Флэш памяти.

NOR (NOT OR, ИЛИ- НЕ).В этом типе памяти транзисторы объединяются в слова и используется произвольный доступ к каждому байту. Применяется для хранения кода програм БИОС и в качестве ЕЕПРОМ запись и стирание на двух напряжениях CHE/FN.

NAND (NOT AND, И-НЕ).Ячейки группируются в блоки фиксированой длины, размер зависит от контролера допускается произвольный доступ к блокам, но последовательный к байтам. Для записи чтения используется одинаковый способ тунелирования FN/FN.

AND (И).Интерфейс потдерживается паралельный но ддопускается мультиблочное стирание. Доступ к блокам последовательный для чтения записи используется один способ FN/FN. В этой архетиктуре каждый блок делится на блоки меньшего размера которым допускается произвольный доступ.

DiNOR (Divided bit-line NOR, ИЛИ-НЕ с разделенными разрядными линиями).

Архетиктура использует разделеные разрядные линии где каждый разряд может записываться отдельно. В структуре предусматревается специальные транзисторы выборки. Использует один способ чтения записи FN/FN. Ячейки защишаются от перегревания. Используются в качестве ЕЕПРОМ и в качестве записи кода БИОС.Устройства могут функционировать в двух режимах:

Карта памяти- требуется внешний контролер.Устройство хранения