Вхідні характеристики транзистора при

ІК мА	0	0,01	0,02	0,03	0,04	0,05	0,06	0,07	0,08	0,09	0,1
UБЕ, В	0	0,06	0,07	0,08	0,09	0,1	0,11	0,11	0,12	0,12	0,13

Таблиця 2

Вхідні характеристики транзистора при

ІБ, мА	0	0,01	0,02	0,03	0,04	0,05	0,06	0,07	0,08	0,09	0,1
UБЕ, В	0	0,12	0,14	0,15	0,16	0,17	0,18	0,18	0,19	0,19	0,19

5. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерел ГС і ГН2 в крайнє ліве положення. Вимкнути живлення стенда.

6. Підготувати схему для дослідження вихідних характеристик транзисто­ра. Для цього зняти перемичку з приладу РА2. Зняти провідники, які з’єднують вольтметр РV1 і прилад АВМ2. З’єднати гнізда „+” і „−” мілі­амперметра РА2 з відповідними гніздами приладу АВМ2. При цьому пе­ремикач границь вимірювання приладу АВМ2 встановити в положення „5 мА”.

7. Ввімкнути живлення стенда.

8. Зняти вихідні характеристики транзистора при Для цього потенціометрами „Грубо” і „Точно” генератора струму (ГС) по приладу АВМ1 (перемикач границь вимірювання — в положення, 0,5 мА) встановити струм бази По вольтметру приладу ВВ по­тенціометрами „Грубо” і „Точно” ГН2 послідовно встановити значення U_КЕ від 0 до −12 В з кроком 1..2 В. Для кожного значення U_КЕ по приладу АВМ2 визначити значення струму колектора І_К. Дані вимірювання занести в табл. 3. Повторити вказані вище вимірювання струму колек­тора І_К при струму бази і Дані занести в табл. 3.

Таблиця 3

Вихідні характеристики транзистора при

	UКЕ, В	0	1	2	4	6	8	10	12
	ІК, мА	0	1,03	1,07	1,14	1,21	1,24	1,3	1,35
	ІК, мА	0	2,03	2,11	2,25	2,37	2,49	2,6	2,72
	ІК, мА	0	3,08	3,21	3,41	3,61	3,79	3,99	4,19

9. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерела ГС і ГН2 в крайнє ліве положення. Вимкнути живлення стенда.

10. По даним таблиць 1—3 побудувати графіки вхідних і вихідних характеристик транзистора в схемі з СЕ. Визначити h-параметри транзи­стора по його вольт-амперним характеристикам.

вхідний опір транзистора при —

коефіцієнт передачі (коефіцієнт підсилення) за струмом при —

вихідна провідність транзистора при —

Рис. 3.6. Вхідні та вихідні характеристики біполярного транзистора

Висновок: вивчили устрій, характеристики і параметри біпо­лярних транзисторів в основних схемах включення, взаємозв’язки цих ха­рактеристик і параметрів; набули навикчок розрахунків параметрів транзис­тора за його статистичними характеристиками.