В вигляді пасивного чотириполюсни­ка

При одночасному вимірюванні аргументу диференціали функції

(2)

Частинні похідні в рівняннях (2) називають h-параметрами:

— вхідні опори транзистора при

— коефіцієнт зворотного зв язку по напрузі при

— коефіцієнт передачі (коефіцієнт підсилення) за струмом при

(3)

— вихідна провідність транзистора при

Для малого приросту напруги U₁, U₂ і струмів i₁, і₂ рівняння (8.2) мають вигляд

(4)

Як видно з (4), параметри встановлюють зв’язки між миттєвими значеннями струмів і напруг транзистора (чотириполюсника).

В окремому випадку параметри транзистора можуть бути визначені по сімействам характеристик, як це показано на рис. 6. Замінюючи не­скінченно малі прирости аргументів на кінцеві та враховуючи (3) пара­метри транзистора для схеми зі СЕ отримаємо

(5)

3.2 Опис лабораторної установки

Робота проводиться на універсальному стенді 87Л-01 (схема стен­да №6). Транзистор типу МП40 (МП26).

3.3 Програма роботи

Вивчити методику виконання роботи, особливості застосування тра­нзистора в схемі зі СЕ. Зняти вхідні та вихідні характеристики транзистора, побудувати графіки. Визначити параметри транзистора. Оформити звіт роботи.

3.4 Порядок виконання роботи

1. Встановити на стенд схему №6. Зібрати схему для дослідження хара­ктеристик транзистора зі СЕ (Рис. 3.5).

Рис. 3.5. Схема для дослідження хара­ктеристик транзистора зі СЕ

При цьому для дослідження вхідних характеристик транзистора гнізда „+” і „−” міліамперметра РА1 з’єднати з відповідними гніздами входу АВМ1 стенда; гнізда „+” і „−” вольтметра РV1 — з виходами „+” і „−” АВМ2 стенда. Для вимірювання напруги на колекторі транзистора и КЕ (вольтметр РV2) встановити перемикач приладу „Вимірювач виходу” (ВВ) в положення „25 В ГН2”.

Примітка: Тумблер „ЧМ - ГНЧ” приладу (ВВ) потрібно встановити в положення „ГНЧ”. При цьому вольтметр приладу ВВ (зі шкалою 25 В) буде підключений до гнізда РV2 (U_КЕ).

Гнізда „+” і „−” ГС з’єднати з відповідними гніздами генератора струму (ГС) стенда, а гнізда „+” і „−” ГН2 — з відповідними гніздами генератора напруги ГН2 стенда. В гнізда V1 встановити германієвий транзистор МП40 (МП26). Гнізда „+” і „−” міліамперметра РА2 замкнути перемичкою (при дослідженні вхідних характеристик цей прилад не використо­вується).

2. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерел ГС і ГН2 в крайнє ліве положення.

3. Після перевірки викладачем правильності зібраної схеми ввімкнути жи­влення стенда (тумблер „Мережа”).

4. Зняти вхідні характеристики транзистора при при двох значеннях U_КЕ: 0 В і −10 В). Для цього переконайтесь, що відповідний вольтметр показує напругу U_КЕ близьку до нуля. Потенціометрами „Грубо” і „Точно” ГС встановлювати по міліамперметру РА1 струм бази в межах 0...0,1 мА. Для кожного значення І_Б по відповідно­му вольтметру визначати напругу U_БЕ. Дані вимірювання занести в табл. 1. По вольтметру приладу ВВ потенціометрами „Грубо” і „Точно” ГН2 встановити напругу і повторити вимірювання, як наведено вище. Дані вимірювання занести в табл. 2.

Таблиця 1