51.Гибридные интегральные микросхемы

Гибридные микросхемы изготавливают на диэлектрической под­ложке, их пассивные элементы R, С, L, межсоединения и контакт­ные площадки выполняют по пленочной технологии, т. е напыле­нием. Применяют групповой метод обработки, при котором на одну подложку наносят до 16 — 18 идентичных групп элементов и меж­соединений, затем подложку разрезают на части — платы каждая из которых содержит элементы и межсоединения одного функцио­нального узла.

Транзисторы для гибридных микросхем изготавливают отдель­но, в целях экономии объема в бескорпусном оформлении иногда в виде сборки. Их параметры имеют примерно те же численные зна­чения, что и у дискретных аналогов. Бескорпусные транзисторы защищают от воздействий внешней среды специальным влагостой­ким покрытием.

Монтаж транзистора на плате осуществляют тер­мокомпрессионной сваркой шариковых или балочных выводов с контактными площадками либо с помощью проволочных вы­водов.

52. Полупроводниковые интегральные микросхема.

Полевые и биполярные транзисторы, полупроводниковые диоды и резисторы, конденсаторы и прочие электронные приборы и радиодетали часто называют элементами радиоэлектронной аппара­туры (РЭА), или электро радиоэлементами, так как они составляют основу функциональных структур, реализующих обусловленные на­значением аппаратуры алгоритмы формирования, преобразования хранения, обработки и воспроизведения сигналов.

Наибольшее распространение получили ИС, у которых все эле­менты и межэлементные соединения выполнены в объеме и на по­верхности полупроводника. Их называют полупроводниковыми.

Для изготовления полупроводниковых микросхем используют кремниевые монокристаллические пластины диаметром не менее 30 — 60 мм и толщиной 0,25 — 0,4 мм. Элементы микросхемы — бипо­лярные и полевые транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы — формируют в полупроводниковой пластине методами, известными из технологии дискретных полупроводниковых приборов (селективная диффузия, эпитаксия и др.) Межсоединения выполняют напы­лением узких проводящих дорожек алюминия на окисленную (т. е. электрически изолированную) поверхность кремния, имеющую окна в пленке окисла в тех местах, где должен осуществляться контакт дорожек с кремнием (в области эмиттера, базы, коллектора тран­зистора и т. д.). Для соединения элементов микросхемы с ее выво­дами на проводящих дорожках создаются расширенные участки —контактные площадки. Методом напыления иногда изготавливают также резисторы и конденсаторы.

Системы обозначения интегральных микросхем.

53.Интегральные микросхемы представляют собой микроэлектронные приборы, состоящие из активных элементов (транзисторов, диодов) и пассивных элементов (в основном резисторов). Микросхемы классифицируются по технологическим принципам их изготовления и их функциональному назначению.

54 .БЕСТРАНСФОРМАТОРНЫЕ ДВУХТАКТНЫЕ КАСКАДЫ

Бестрансформаторный усилители. такие каскады работают только при нагрузке на специальные громкоговорители с повышенным сопротивлением звуковой катушки. Особенностью такого каскада является необходимость удвоенного напряжения анодного питания, так как по постоянному току лампы включены последовательно. Чтобы выполнить усилитель при обычном напряжении источника питания (250—300 в), необходимо применять лампы, которые при низком анодном напряжении (100—150 в) имеют малое внутреннее сопротивление и отдают достаточную мощность. Последовательный двухтактный каскад, собранный на лампах типа 6П18П, при напряжении источника питания 300 в отдает мощность 6—8 вт (при сопротивлении нагрузки около 800 ом).  В бестрансформаторный усилителях сопротивление в цепи питания экранной сетки верхней лампы оказывается включенным параллельно нагрузке по переменному току, вследствие чего снижается полезная выходная мощность. При увеличении сопротивления в цепи экранной сетки лампы снижается напряжение на этой сетке, в результате чего уменьшается мощность, отдаваемая лампами.