Питання для самопідготовки:

1.Яке призначення підсилювача?

2.За якою схемою вмикають транзистор у підсилювачі напруги звукової частоти?

3.Як діє негативний зворотний зв’язок на роботу підсилювача?

4.Який параметр підсилювача визначається в децибелах?

Виконання роботи:

Розрахувати однокаскадний транзисторний підсилювач підсилювач (рис.2) за вихідними даними:

Опір навантаження R_К = ____ Ом

Напруга джерела живлення Е_К = ____ В.

Напруга вхідного сигналу U_ВХ = ____ B.

Внутрішній опір джерела сигналу R_Е = ____ кОм.

Діапазон підсилюваних частот F_Н = ____ Гц; F_ВХ = ________ Гц.

Допустимі частотні спотворення М_Н = М_В = _____.

Вхідний опір наступного каскаду R_ВХ2 = _____ кОм.

Схема однокаскадного підсилювача на транзисторі,

ввімкненого за схемою із спільним емітером

Рис.2

1.Вибираємо режим роботи транзистора за постійним струмом.

1.1.Вибираємо транзистор (якщо він не заданий) з таких умов:

; (5)

. (6)

За будь-яким довідником з транзисторів потрібно вибрати такий, у якого:

4

1.2.Будуємо графіки вхідних і вихідних характеристик транзистора (рис.3)

Графіки вхідних і вихідних характеристик транзистора

Рис.3

1.2.На вихідних характеристиках (рис.3) будуємо навантажувальну пряму АБ з координатами точок

= мА, (7)

В.

Наносимо ці точки на вихідні характеристики і з'єднуємо їх прямою. Робоча (активна) ділянка транзисто-ра обмежується точками А', Б', тому робочу точку Р вибираємо посередині відрізка А'Б'.

1.3.Визначаємо координати робочої точки:

І_кр = ______ мА; U_Kep = ______ В; І_6р= _____ мА.

1.4.Наносимо робочу точку Р^І на вхідні характеристики. Робочу точку наносять на характеристику, зняту при .

Визначаємо напругу зміщення на базі для робочої точки:

_____ В.

1.5.Наносимо напругу вхідного сигналу на вхідні характеристики. Для цього до постійної напруги змі-щення додаємо 0,1 В вхідної напруги, а потім віднімаємо 0,1 В вхідної напруги.

Отримуємо ______В і ______В - межі зміни вхідного сигналу на вхідних характеристиках, тобто змінна складова напруги на базі .

1.6.Визначаємо змінну складову струму бази транзистора. Для цього з точок на осі абсцис, для яких ______ В і =_______ В, проводимо прямі, паралельні осі ординат, до перетину з вхідною характеристикою.

З точок перетину L і М проводимо прямі, паралельні осі абсцис, до перетину з віссю ординат. Визна-чаємо змінну складову струму бази:

= ________мА. (8)

1.7 На вихідні характеристики (рис.3) наносимо змінну складову струму бази і знаходимо змін-ну складову колекторного струму. Для цього з точок L^I M^I проводимо прямі, паралельні осі абсцис, до перетину їх з віссю ординат ( та ).

= мА. (9)

1.8.Визначаємо змінну складову колекторної напруги. Для цього з точок L^I i M^I проводимо прямі, паралельні осі ординат, до перетину їх з віссю абсцис (точки і ).

= В. (10)

2.Визначаємо параметри підсилювача.

2.1.Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою:

= (11)

5

2.2.Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за струмом:

= (12)

2.3.Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за потужністю:

= (13)

2.4.Визначаємо вхідний опір каскаду:

= Ом. (14)

2.5.Визначаємо вихідний опір каскаду:

= Ом. (15)

2.6.Визначаємо опір навантаження каскаду:

= кОм. (16)

3.Розрахунок елементів схеми.

3.1.Розрахуємо опір резисторів дільника напруги:

= кОм, (17)

де = мА - струм дільника напруги. Дуже великим брати не слід, тому що чим більший , тим потужнішим повинно бути джерело живлення.

Визначаємо потужність розсіювання резистора :

= Вт. (18)

Вибираємо резистор типу___________________________________.

= кОм. (19)

Найближчий номінал за шкалою опорів___________________________.

Визначаємо потужність розсіювання резистора :

= Вт. (20)

Вибираємо резистор типу___________________________________.

Найближчий номінал за шкалою опорів___________________________.

3.2.Визначаємо опір в емітерному колі транзистора:

= кОм. (21)

Найближчий номінал за шкалою опорів___________________________.

Визначаємо потужність розсіювання резистора :

= Вт. (22)

Вибираємо резистор типу___________________________________.

3.3.Визначаємо ємність блокуючого конденсатора:

= мкФ. (23)

Найближчий номінал за шкалою ємностей________________________.

Визначаємо напругу на конденсаторі :

= В. (24)

Вибираємо конденсатор типу_________________________________.

3.4.Визначаємо ємність розділових конденсаторів:

= мкФ. (25)

6

Найближчий номінал за шкалою ємностей________________________.

Вибираємо конденсатор типу_________________________________.

= мкФ. (26)

Найближчий номінал за шкалою ємностей________________________.

Оскільки постійна напруга на колекторі __________В, тому вибираємо конденсатор типу_________________________________.