Практична робота № 1

Тема: Визначення h-параметрів біполярного транзистора.

Мета: Навчитись визначати h-параметри транзистора за його статичними характеристиками.

Література:

1.Б.С.Гершунський. Основи електронної і напівпровідникової техніки. -К.: Вища школа, 1997.-с.153-157

2.Б.С.Гершунский. Основи электроники и микроэлектроники. - К.: Вища школа, 1987.-с 126-133.

3.Казидуб О.Г. Основи електроніки і мікропроцесорної техніки -Навч.посібник -НМЦ, 2002.-с.4-8

Питання для самопідготовки:

1.Що називається біполярним транзистором?

2.Які є структури біполярного транзистора?

3.Які характеристики має біполярний транзистор?

4.Ознайомитись за довідником з параметрами транзисторів та занести їх у таблицю 1.

Параметри транзисторів Таблиця 1

№	Тип транзистора	Статичний коефіцієнт передачі струму	Зворотний струм колектора, Іко	Початковий струм колектора, Ік	Зворотна напруга емітер – бази, В	Гранична частота, Гц	Ємність колекторно-го переходу, пФ	Середня потужність, що розсіюється транзистором, Вт	Максимально допустима напруга колектор - -бази, .В	Коефіцієнт шуму, дб

5.Розшифрувати позначення 2-3 транзисторів за власним вибором.

_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Виконання роботи

За вхідними і вихідними характеристиками транзистора _________ визначаємо h-параметри, якщо робоча точка задана напругами U6e=_______В і Uке=____В. Схема ввімкнення із спільним емітером.

1.Будуємо графіки вхідних і вихідних характеристик транзистора рис.1

Графіки вхідних і вихідних характеристик транзистора

Рис.1

2.На вхідних характеристиках знаходимо робочу точку А. Для цього з точки на осі абсцис Uбе=_____В піднімаємо перпендикуляр до пересічення його з характеристикою, знятою при Uке=_____В.

3.Виконуємо решту побудов. З точки А проводимо прямі, паралельні осям координат, і знаходимо на характеристиках точки В і С.

4.Визначаємо вхідний опір транзистора:

= Ом. (1)

2

5.Визначаємо коефіцієнт зворотного зв'язку за напругою між виходом і входом:

= %. (2)

6.Для визначення параметрів h _21е і h_22ез точки на осі абсцис, для якої U_кe=____В, проводимо перпен-дикуляр до перетину з характеристикою, знятою при струмові бази І6=_____ __А (або з будь якою іншою) і знаходимо точку А¹.

7.Виконуємо решту побудов: з точки А' проводимо пряму, паралельну осі ординат, і знаходимо точку Д.

8.Визначаємо коефіцієнт передачі транзистора за струмом:

= (3)

9.Для визначення h_22e з точки А' проводимо пряму АК, паралельну осі абсцис, тобто змінюємо колектор-ну напругу з U_кез до U_re4. З точки на осі абсцис, яка відповідає напрузі ,піднімаємо перпендикуляр до пере-тину його з тією ж характеристикою і отримуємо точку L.

10.Визначаємо вихідну провідність транзистора:

= мСм. (4)