
- •Содержание
- •1 Введение
- •2 Программа лекционного курса
- •Часть I
- •Часть II
- •3 Список рекомендуемой литературы
- •4 Контрольная работа №2 (по второй части курса уфс)
- •4.1 Пример расчета усилителя мощности с коллекторной модуляцией
- •Энергетический расчет цепи коллектора
- •Режим молчания
- •5 Контрольная работа №3
- •5.1 Пример расчета автогенератора с частотным модулятором
- •Энергетический расчет автогенератора
- •Переходим к определению параметров варикапа
- •6 Курсовое проектирование
- •6.1 Введение
- •6.2 Общие вопросы проектирования радиопередатчиков
- •6.3 Транзисторный усилитель мощности
- •6.3.1 Расчет транзисторного каскада усилителя мощности высокой частоты по схеме с общим эмиттером
- •6.3.2 Электрический расчет нагрузочной системы транзисторного каскада [5,14]
- •6.3.3 Конструктивный расчет элементов нагрузочной системы
- •6.3.4 Расчет нагрузочной системы на полосковых линиях [14, 17, 18]
- •6.4 Умножители частоты
- •6.5 Автогенераторы (aг)
- •6.5.1 Автогенераторы с параметрической стабилизацией частоты
- •6.5.2 Кварцевые автогенераторы
- •6.6 Амплитудная модуляция в передатчиках
- •6.6.1 Коллекторная модуляция
- •6.6.2 Комбинированная модуляция
- •6.6.3 Базовая модуляция
- •6.6.4 Усилитель модулированных колебаний
- •6.7 Передатчики с однополосной модуляцией
- •6.8 Частотная модуляция (чм) в передатчиках
- •6.8.1 Особенности структурных схем передатчиков с чм
- •6.8.2 Проектирование модуляторов при чм
- •6.8.3 Методика расчета возбудителя при чм
- •6.9 Заключение
- •Приложение а Варианты заданий на курсовое проектирование
- •Приложение б Параметры биполярных транзисторов
- •Приложение в Параметры полевых транзисторов с барьером Шотки средней и большой мощности
- •Приложение г Параметры умножительных диодов
- •Пояснительная записка к курсовому проекту по дисциплине "Устройства формирования сигналов" (уфс)
6.6.4 Усилитель модулированных колебаний
В многокаскадном передатчике все каскады после модулируемого работают в режиме усиления модулированных колебаний. При этом на вход транзистора подается модулированное напряжение возбуждения
,
где mвх – коэффициент модуляции на входе, а напряжение смещения Eб остается постоянным.
Режим усиления модулированных колебаний можно рассматривать как один из методов модуляции, где модулирующим фактором является напряжение возбуждения. При изменении напряжения возбуждения меняется амплитуда и угол отсечки импульса коллекторного тока также, как при изменении напряжения смещения, что делает этот вид модуляции похожим на модуляцию смещением Энергетические соотношения в режиме усиления модулированных колебаний такие же как при модуляции смещения, поскольку активный элемент работает в недонапряженном режиме, поэтому транзистор выбирается с номинальной мощностью не меньшей мощности в максимальном режиме Р1mах.
Особо нужно поговорить о выборе смещения при усилении модулированных колебаний.
При
угол отсечки коллекторного тока
и не меняется при изменении амплитуды
возбуждения. СМХ есть
и представляет собой прямую, проходящую
через начало координат.
В этом случае происходит линейное усиление модулированных колебаний, причем глубина модуляции на выходе mвых такая же, как на входе mвх.
При
угол отсечки коллекторного тока
и изменяется в процессе модуляции от
до
.
СМХ в этом случае
может быть представлена в первом
приближении прямой, сдвинутой относительно
начала координат вправо. В этом случае
глубина модуляции на выходе получается
больше чем на входе, т.е. такой режим
позволяет осуществить углубление
модуляции. Если глубина модуляции на
входе mвх, а на
выходе требуется
,
то угол отсечки для максимального режима
можно вычислить по формуле
,
После выбора
транзистора и определения угла отсечки
рассчитывается максимальный режим,
причем для повышения к. п.д. максимальный
режим выбирается критическим. В результате
расчета определяются все необходимые
величины, в том числе Еб,
,
,
,
которые нужны для построения СМХ. Для
построения СМХ также пользуемся известной
формулой
,
но процедура расчета несколько иная,
чем при модуляции смещением.
Задаем ряд значений
от
до
(порядка десяти точек) и для каждого
значения определяем высокочастотный
угол отсечки
.
По графику
(рисунок 6.4) находим соответствующие
низкочастотные углы отсечки, по ним
определяем амплитуду напряжения
возбуждения и, наконец, соответствующие
токи. Расчет удобнее вести в форме
табл. 6.4.
Таблица 6.4
Порядок определения
|
|
|
|
|
Примечание |
|
|
|
|
|
|
По данным табл. 6.4 строится СМХ и на ней отображаются три режима модуляции – максимальный, несущий, минимальный. По этим трем точкам можно определить величину искажений, возникающих при усилении модулированных колебаний аналогично тому, как это делалось для модуляции смещением.
Следует отметить, что проверка на допустимые токи и напряжения проводится для максимального режима, а на допустимую мощность рассеяния транзистора в несущем режиме.