Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
3-76.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
2.45 Mб
Скачать

6.6.4 Усилитель модулированных колебаний

В многокаскадном передатчике все каскады после модулируемого работают в режиме усиления модулированных колебаний. При этом на вход транзистора подается модулированное напряжение возбуждения

,

где mвх – коэффициент модуляции на входе, а напряжение смещения Eб остается постоянным.

Режим усиления модулированных колебаний можно рассматривать как один из методов модуляции, где модулирующим фактором является напряжение возбуждения. При изменении напряжения возбуждения меняется амплитуда и угол отсечки импульса коллекторного тока также, как при изменении напряжения смещения, что делает этот вид модуляции похожим на модуляцию смещением Энергетические соотношения в режиме усиления модулированных колебаний такие же как при модуляции смещения, поскольку активный элемент работает в недонапряженном режиме, поэтому транзистор выбирается с номинальной мощностью не меньшей мощности в максимальном режиме Р1mах.

Особо нужно поговорить о выборе смещения при усилении модулированных колебаний.

При угол отсечки коллекторного тока и не меняется при изменении амплитуды возбуждения. СМХ есть и представляет собой прямую, проходящую через начало координат.

В этом случае происходит линейное усиление модулированных колебаний, причем глубина модуляции на выходе mвых такая же, как на входе mвх.

При угол отсечки коллекторного тока и изменяется в процессе модуляции от до .

СМХ в этом случае может быть представлена в первом приближении прямой, сдвинутой относительно начала координат вправо. В этом случае глубина модуляции на выходе получается больше чем на входе, т.е. такой режим позволяет осуществить углубление модуляции. Если глубина модуляции на входе mвх, а на выходе требуется , то угол отсечки для максимального режима можно вычислить по формуле

,

После выбора транзистора и определения угла отсечки рассчитывается максимальный режим, причем для повышения к. п.д. максимальный режим выбирается критическим. В результате расчета определяются все необходимые величины, в том числе Еб, , , , которые нужны для построения СМХ. Для построения СМХ также пользуемся известной формулой , но процедура расчета несколько иная, чем при модуляции смещением.

Задаем ряд значений от до (порядка десяти точек) и для каждого значения определяем высокочастотный угол отсечки . По графику (рисунок 6.4) находим соответствующие низкочастотные углы отсечки, по ним определяем амплитуду напряжения возбуждения и, наконец, соответствующие токи. Расчет удобнее вести в форме табл. 6.4.

Таблица 6.4

Порядок определения

Примечание

По данным табл. 6.4 строится СМХ и на ней отображаются три режима модуляции – максимальный, несущий, минимальный. По этим трем точкам можно определить величину искажений, возникающих при усилении модулированных колебаний аналогично тому, как это делалось для модуляции смещением.

Следует отметить, что проверка на допустимые токи и напряжения проводится для максимального режима, а на допустимую мощность рассеяния транзистора в несущем режиме.