1.4 Выбор спп по напряжению

CПП должны выдерживать определенные напряжения, прикладываемые к ним как в прямом, так и в обратном направлениях. В полупроводниковом преобразователе СПП подвергаются воздействию рабочего напряжения и перенапряжений.

Выбор СПП по напряжению осуществляется по формуле

k_з.u U_m≤U_DRM (1.20)

где k_з.u - коэффициент запаса по рабочему напряжению. Выбираем k_з.u=1,65÷2;

U_m-максимальное значение рабочего напряжения, прикладываемого к прикладываемого к СПП в схеме, В;

U_drm - повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В.

Поставим значения в формулу (1.20)

Для диода Д112-25

1,65 393,12≤1400

648,64≤700

Для тиристорa Т132-40

1,65 728,03≤1200

648,64≤700

Максимальное значение напряжения, прикладываемого к тиристору (диоду) в схеме определяется по формуле

U_m = U_mn K_cx, (1.21)

где U_mn - амплитуда напряжения вторичной обмотки трансформатора, В;

К_сх - коэффициент схемы [1].

Поставим значения в формулу (1.21)

U_m = 168 2,34=393,12 В

Амплитуда напряжения вторичной обмотки трансформатора рассчитывается по формуле

U_mn= U_H (1.22)

Поставим значения в формулу (1.22)

U_mn= 120=168 В

По неравенству (1.10) выбирается тиристор или диод соответствующего класса по напряжению.

Далее производится окончательный выбор силовых СПП. Технические характеристики выбранных диодов и тиристоров: оформляются в виде таблиц.

В таблице 1 приведены технические характеристики тиристора Т132-40.

В таблице 2 приведены технические характеристики диода Д112-25.

Таблица 1 - Предельно допустимые значения параметров тиристоров

Параметр	Т132-40
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии Udrm , В	700
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии Ifav, А	40
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии ITSM, кА	0.82
Пороговое напряжение UT(OTO); В	1,05
Максимально допустимая температура перехода Tjm, °С	125
Дифференциальное сопротивление в открытом состоянии rт, мОм	5,6
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии IDRM, МA	5,0
Тепловое сопротивление переход-корпус RtiljC, °С/Вт	0,62

Таблица 2 - Предельно допустимые значения параметров диодов

Параметр	Д112-25
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии Udrm , В	700
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии Iрav, А	25
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии IPSM, А	330
Максимально допустимая температура перехода Tjm, °С	190
Дифференциальное сопротивление в открытом состоянии rт, кОм	6,1
Пороговое напряжение UT(OTO); В	0,9
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии IDRM, МA	4,0
Тепловое сопротивление переход-корпус RtiljC, °С/Вт	2,0

\