Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лекции / ЛЕКЦИЯ23_09

.pdf
Скачиваний:
52
Добавлен:
15.06.2014
Размер:
262.37 Кб
Скачать

23 КОМПЬЮТЕРНЫЕ

СИСТЕМЫ

СХЕМОТЕХНИЧЕСКО

ПРОЕКТИРОВАНИЯ. МОДЕЛИ КОМПОНЕНТОВ

(Сост. Никонов А.В.)

Разработчики и исследователи в различных направлениях науки и техники ши-

роко применяют средства моделирования и имитаторы, способные отражать

формальную логику и логику с ошибками, представлять аналоговые и цифро-

вые устройства, участвовать в безошибочном проектировании крупных и слож-

ных систем. Разработчик получает в своё распоряжение большое количество - со

вершенных моделей, отражающих различные компоненты. Это привело к измене-

нию стиля проектирования.

Изначальные вопросы, решаемые при моделировании, – это получение (соз-

дание) всех вариантов и разновидностей объекта, причём на полученные модели не должно затрачиваться очень большое время(напр., несколько дней). Количество машинного времени и величина вычислительной мощности, необходимые для эф-

фективной работы систем моделирования, являются главными факторами, опреде-

ляющими целесообразность внедрения моделирования.

Составление модели, достоверно, но не избыточно отражающей объект, в

первую очередь позволяет минимизировать все сдерживающие факторы. По-

этому обучение по направлению 230100 «Информатика и вычислительная техника»,

в котором модель объекта является одной из важнейших инстанций проектирования,

требует ясного понимания механизма отображения объекта в модели.

При моделировании процесс функционирования системы представляется в виде определённого алгоритма, который и реализуется на ЭВМ. По результатам

реализации делаются выводы относительно исходного процесса.

Требования к моделированию следующие:

а) законы, которым подчиняется функционирование системы, должны быть известны;

б) при создании модели учитывают целевую функцию – ясное понимание то-

го, что же разработчик хочет узнать об объекте моделирования. Это определяет вы-

бор модели.

Так, в настоящее время для специалистов, занимающихся разработкой теле-

коммуникационных систем, необходимо моделировать не только аналоговую часть их систем, но и цифровые модули, причем в тесной взаимосвязи с аналоговыми.

Этапы построения модели следующие.

1 Формируются основные вопросы, отражающие поведение системы или

объекта.

2 Из всего множества законов учитывают лишь те, которые существенно проявляются при поиске ответов.

3 Если необходимо, формулируются определённые гипотезы о функциони-

ровании системы или подсистемы (объекта). Гипотезы, как и законы, выражаются в форме определённых математически соотношений.

4 Проводится исследование модели с помощью аналитических или вычисли-

тельных методов.

После составления систем уравнений, описывающих электрофизический процесс, и исследования математической моделиметодами теории алгебраиче-

ских, интегродифференциальных уравнений, необходимо установить возмож-

ность:

а) наличия единственного эффективного решения;

б) алгоритмизации задачи;

в) оптимизации вычислительного процесса.

На всех этапах моделирования должна действовать цепочка связей: расчёт

– экспериментальное подтверждение – новый расчёт.

Любая электрическая цепь и электронный компонент, в зависимости от ус-

ловий работы, должны рассматриваться как сложные системы.

Модель должна в достаточной степени отображать исследуемую сторону функционирования объекта. Любая математическая модель описывает реаль-

ный объект с некоторой степенью приближения.

Общий принцип по моделированию устройств отражает требования в рамках электрических и электронных изучаемых дисциплин: необходимо понимать физические процессы в объекте исследования; знать, какие элементы схемы или компонента и каким образом определяют характеристики объекта, уметь их предопределить, не прибегая к глубокому проектированию.

Можно привести примеры программных пакетов схемотехнического моделирования и проектирования.

APLAC – моделирование в том числе устройств диапазона сверхвысоких частот(СВЧ). Большой набор библиотек элементов аналоговых и цифровых систем связи. Расчёт трёхмерных электромагнитных полей микрополосковых конструкций. Возможность ввода результатов измерений и вывода управляющих сигналов в интер-

фейсе стандарта IEEE-488 (http://www.aplac.hut.fi/aplac).

DesignLab – кроме прочего, выполняет синтез устройств программируемой логики и аналоговых фильтров. Проводится синтез как устройств программируемой логики(PLD), так и перепрограммируемых логиче-

ских устройств (FPGA) (http://www.microsim.com).

Electronics WorkBench – при моделировании на экране изображаются измерительные приборы с органами управления, в ходе работы которых измеряются соответствующие параметры сигналов или характеристи-

ки электрических цепей (http://www.interactiv.com).

SystemView – позволяет строить и моделировать функциональные схемы с задаваемыми параметрами функциональных узлов и подключаемыми измерительными устройствами (http://www.elanix.com).

23.1Пакет МicroСАР и моделирование электрических цепей на постоянном

ипеременном токе

Начиная с пакета MicroCAP-5, – это программное средство используются для моделирования электрических схем (аналоговых, цифровых и смешанных), ра-

ботают под ОС Windows и под эмулятором wine в ОС Linux. Ниже даны сведения о

пакетах MCAP версий. 5.0–9.0.

Первый вариант пакета MicroCAP фирмы Spectrum Software появился в 1981 г.

По своим функциям, этот пакет, как минимум, обладает возможностями:

графический ввод электрических принципиальных схем;

расчёт режимов на постоянном токе, частотных характеристик, пере-

ходных характеристик (анализ во времени);

расчёт шумов, спектров, вариация температуры;

статистический анализ по методу Монте-Карло и расчёт наихудшего слу-

чая;

применение функциональных зависимых источников;

учёт задержек распространения сигналов в цифровых компонентах;

наличие программы идентификации параметров моделей;

возможность описания цифровых компонентов с помощью логических вы-

ражений.

моделирование динамических систем, заданных и функциональными схе-

мами.

Круговая частота w

Ниже приведено описание моделей ряда часто используемых в практике

компонентов.

1 Источник синусоидального напряжения (Sine source)

Гармонический сигнал описывается выражением u(t) = Umsin(wt + j0) c указа-

нием смещения исходного (нулевого) значения сигнала относительно начала сис-

темы координат (рисунок 23.1).

Рисунок 23.1 – Представление гармонического сигнала в различных системах коор-

динат

Здесь Um – это амплитуда сигнала, т. е. максимальное отклонение от нулевой линии.

Круговая частота сигнала w и частота повторения (циклическая) f связаны

выражением w = 2pf.

Фазовый угол j выражается в радианах или градусах.

выражается в радианах в секунду, один полный цикл ко-

лебания (один период) содержит 2p радиан.

Параметры модели этого источника задаются по директиве: .MODEL <имя модели> SIN ([список параметров]).

Например: .MODEL SINUSSS SIN (F=2meg A=2.4 PH=pi/3 RS=0.2m

Параметры модели источника синусоидального напряжения приведены в таблице 23.1, а его форма – на рисунке 23.2.

Таблица 23.1 – Параметры модели источника синусоидального напряжения

Обозна-

Параметр

Значение по

чение

 

умолчанию

 

 

 

F

Частота, Гц

106

A

Амплитуда, В

1

 

 

 

DC

Постоянная составляющая, В

0

 

 

 

PH

Начальная фаза, рад

0

 

 

 

RS

Внутреннее сопротивление, Ом

0,001

 

 

 

RP

Период повторения затухающего сигнала, с

0

TAU

Постоянная времени изменения амплитуды

0

 

затухающего сигнала по экспоненциально-

 

 

му закону

 

 

 

 

Примечание. При моделировании в режиме частотного анализа(АС) ам-

плитуда сигнала принимается равной 1 В.

Рисунок 23.2 – Гармонический сигнал в пакете МСАР

2 Источник импульсного напряжения (Pulse source)

Импульсный сигнал, согласно отечественному стандарту, имеет вид, пока-

занный на рисунке 23.3.

Рисунок 23.3 – Импульсный сигнал

Для оценки импульса используется ряд основных параметров:

длительность импульса t: определяется по уровню 0,5Um;

длительность фронта tф и длительность среза (спада) tС определяются по интервалу времени, соответствующему уровням импульса 0,1Um и 0,9Um.

Если минимальное мгновенное значение импульса не равно нулю, то для та-

кого сигнала дополнительно вводятся параметры:

напряжение низкого значения (уровня) ul и напряжение высокого значе-

ния (уровня) uН.

При описании последовательности импульсовможет вводиться параметр

«скважность» Q, равный отношению периода следования импульсов к длитель-

ности импульса Q = T/t.

В MCАР принято более простое представление импульсного сигнала(ри-

сунок 23.4).

u(t)

VONE

 

P5

 

 

 

VZERO

0 P1

P2

P3

P4

t

Рисунок 23.4 – Описание импульсного сигнала в формате MicroCAP

Значения параметров Р1, Р2, Р3 и Р4 задаются относительно начала сис-

темы координат.

Параметры модели этого источника задаются по директиве:

.MODEL <имя модели> PUL ([список параметров]). Например: .MODEL

IMPULSS PUL (VZERO=0.3 VONE=2.4 P1=80n P2=90n P3=480n P4=490n

P5=1.2u)

Параметры модели источника импульсного напряжения приведены в таб-

лице 23.2, а его форма – на рисунке 23.4.

Таблица 23.2 – Параметры модели источника импульсного напряжения

Обозначение

Параметр

Значение по

 

 

умолчанию

 

 

 

VZERO

Напряжение низкого уровня, В

0

 

 

 

VONE

Напряжение высокого уровня, В

5

 

 

 

P1

Начало переднего фронта, с

10-7

P2

Начало плоской вершины им-

1,1×10-7

 

пульса, с

 

 

 

 

P3

Конец плоской вершины им-

5×10-7

 

пульса, с

 

 

 

 

P4

Момент достижения нулевого

5,1×10-7

 

уровня, с

 

 

 

 

P5

Период повторения, с

10-6

Примечание. Амплитуда сигнала в режиме частотного анализа(АС) прини-

мается равной 1 В.

3 Диод (Diode)

Для работы с нелинейными элементами необходимо иметь представление о фи-

зических процессах в полупроводниковом диоде[5, с. 20–42] и о модели диода в

MCAP [6, с. 86–89].

Описание ВАХ диода в модели выполняется согласно системе уравнений:

ì

 

 

u

 

+

 

 

u + uz

,

u £ -uz ;

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

R

 

ï

 

 

ОБР

 

 

 

 

 

 

z

 

 

 

 

ï

 

 

u

 

 

 

 

 

 

u

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i = í

 

 

 

 

 

+

Is [ e

 

 

Т

- 1 ],

- uz < u < Uc ;

 

 

RОБР

 

 

ï

 

 

 

 

u - U

 

 

 

 

ï

 

u

+ Ic +

 

c

,

u ³ Uc .

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

r

f

 

ï

ОБР

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

î

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

()

()

()

Здесь jТ = kT/qe

= 26 мВ при Т = 300 К тепловой

потенциал p-n-перехода;

k = 1,38×10–23 Дж/К – постоянная Больцмана; qe = 1,6×10–19 Кл.

Ток насыщения (обратный) IS определяется при конкретной температуре по

выражению:

 

 

 

 

 

 

 

 

æ

 

ö3

 

é

(1 / T )-(1 / T

)ù

 

 

T

 

ê-WЗ

300

ú

 

 

ç

 

÷

e

ë

k

û

,

()

 

 

I s = I0 ç

÷

 

 

 

è T300 ø

 

 

 

 

 

 

где I0 ток насыщения (обратный) при температуре 300 К;

WS ширина запрещённой зоны (для кремния 1,11 эВ, германия 0,67 эВ и диодов за барьером Шотки 0,69 эВ);

UC максимальное напряжение на переходе диода на прямой ветви(при минимальном дифференциальном сопротивлении rf);

IC ток диода при напряжении на нём UC.

Величины UC и IC связаны следующими выражениями:

UC = jT × ln[jT / (rf IS)] ;

()

Описание диода в MCAP дано в [2, с. 139–141], и отражено в таблице 23.3.

Таблица 23.3 – Основные параметры математической модели диода

Имя пара-

Параметр

Значение по

метра

 

умолчанию

 

 

 

IS

Ток насыщения при температуре 27оС, А

10-14

RS

Объёмное сопротивление, Ом

0

 

 

 

ТТ

Время переноса заряда, с

0

 

 

 

CJ0

Барьерная ёмкость при нулевом смещении, Ф

0

 

 

 

VJ

Контактная разность потенциалов, В

1

 

 

 

М

Коэффициент лавинного умножения

0,5

 

 

 

EG

Ширина запрещённой зоны, эВ

1,11

 

 

 

FC

Коэффициент нелинейности барьерной ёмко-

0,5

 

сти прямосмещённого перехода

 

 

 

 

BV

Обратное напряжение пробоя (положитель-

¥

 

ная величина), В

 

 

 

 

IBV

Начальный ток пробоя, соответствующий на-

10-10

 

пряжению BV (положительная величина), А

 

 

 

 

МСАР также имеет модели активных компонентов.

4 Биполярный транзистор (NPN; PNP)

Описание характеристик БПТ в модели МСАР выполняется согласно мо-

дели Гуммеля-Пуна, автоматически упрощаемой домодели Эберса-Молла (если опустить некоторые параметры). Для упрощённой модели система уравнений имеет

вид

ì

 

 

é

uбэ

 

 

ù

 

 

 

 

 

 

ï

 

I S

êe

jт

- 1ú

 

при

uбэ < Uc ;

ï

 

 

 

I эк = í

 

 

ê

 

 

 

ú

 

 

 

 

 

()

 

 

ë

 

 

 

û

 

 

 

 

 

ï

 

+ (u

 

- U

 

)/ r

 

при

u

³ U

 

.

ïI

c

бэ

c

f

c

î

 

 

 

 

 

 

бэ

 

 

Здесь IЭК ток эмиттера;

uБЭ напряжение на переходе эмиттер–база;

jТ = kT/qe = 26 мВ при Т = 300 К тепловой потенциал p-n-перехода; k = 1,38×10–23 Дж/К – постоянная Больцмана;

qe = 1,6×10–19 Кл.

Ток насыщения (обратный) IS определяется при конкретной температуре по выражению:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

-

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

Т300

 

 

æ

 

 

 

u

 

öæ

T

ö

-WЗ

Т

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ç

1

+

 

 

кэ

֍

 

÷

e

 

 

 

 

k

,

()

 

 

 

 

 

 

 

 

I s = I0 ç

U

 

֍ T

÷

 

 

 

 

 

è

 

 

 

 

 

A øè

300

ø

 

 

 

 

 

 

 

 

где I0 ток насыщения (обратный) при температуре 300 К;

WS ширина запрещённой зоны (для кремния 1,11 эВ, германия – 0,67 эВ и диодов за барьером Шотки – 0,69 эВ);

UС максимальное напряжение нар-n-переходе (диоде) на прямой ветви

(при минимальном дифференциальном сопротивлении rf);

IС ток перехода (диода) при напряжении на нём UС.

Величины UС и IС связаны следующими выражениями:

Соседние файлы в папке Лекции