
Лекции / ЛЕКЦИЯ23_09
.pdf23 КОМПЬЮТЕРНЫЕ |
СИСТЕМЫ |
СХЕМОТЕХНИЧЕСКО |
ПРОЕКТИРОВАНИЯ. МОДЕЛИ КОМПОНЕНТОВ
(Сост. Никонов А.В.)
Разработчики и исследователи в различных направлениях науки и техники ши-
роко применяют средства моделирования и имитаторы, способные отражать
формальную логику и логику с ошибками, представлять аналоговые и цифро-
вые устройства, участвовать в безошибочном проектировании крупных и слож-
ных систем. Разработчик получает в своё распоряжение большое количество - со
вершенных моделей, отражающих различные компоненты. Это привело к измене-
нию стиля проектирования.
Изначальные вопросы, решаемые при моделировании, – это получение (соз-
дание) всех вариантов и разновидностей объекта, причём на полученные модели не должно затрачиваться очень большое время(напр., несколько дней). Количество машинного времени и величина вычислительной мощности, необходимые для эф-
фективной работы систем моделирования, являются главными факторами, опреде-
ляющими целесообразность внедрения моделирования.
Составление модели, достоверно, но не избыточно отражающей объект, в
первую очередь позволяет минимизировать все сдерживающие факторы. По-
этому обучение по направлению 230100 «Информатика и вычислительная техника»,
в котором модель объекта является одной из важнейших инстанций проектирования,
требует ясного понимания механизма отображения объекта в модели.
При моделировании процесс функционирования системы представляется в виде определённого алгоритма, который и реализуется на ЭВМ. По результатам
реализации делаются выводы относительно исходного процесса.
Требования к моделированию следующие:
а) законы, которым подчиняется функционирование системы, должны быть известны;
б) при создании модели учитывают целевую функцию – ясное понимание то-
го, что же разработчик хочет узнать об объекте моделирования. Это определяет вы-
бор модели.

Так, в настоящее время для специалистов, занимающихся разработкой теле-
коммуникационных систем, необходимо моделировать не только аналоговую часть их систем, но и цифровые модули, причем в тесной взаимосвязи с аналоговыми.
Этапы построения модели следующие.
1 Формируются основные вопросы, отражающие поведение системы или
объекта.
2 Из всего множества законов учитывают лишь те, которые существенно проявляются при поиске ответов.
3 Если необходимо, формулируются определённые гипотезы о функциони-
ровании системы или подсистемы (объекта). Гипотезы, как и законы, выражаются в форме определённых математически соотношений.
4 Проводится исследование модели с помощью аналитических или вычисли-
тельных методов.
После составления систем уравнений, описывающих электрофизический процесс, и исследования математической моделиметодами теории алгебраиче-
ских, интегродифференциальных уравнений, необходимо установить возмож-
ность:
а) наличия единственного эффективного решения;
б) алгоритмизации задачи;
в) оптимизации вычислительного процесса.
На всех этапах моделирования должна действовать цепочка связей: расчёт
– экспериментальное подтверждение – новый расчёт.
Любая электрическая цепь и электронный компонент, в зависимости от ус-
ловий работы, должны рассматриваться как сложные системы.
Модель должна в достаточной степени отображать исследуемую сторону функционирования объекта. Любая математическая модель описывает реаль-
ный объект с некоторой степенью приближения.
Общий принцип по моделированию устройств отражает требования в рамках электрических и электронных изучаемых дисциплин: необходимо понимать физические процессы в объекте исследования; знать, какие элементы схемы или компонента и каким образом определяют характеристики объекта, уметь их предопределить, не прибегая к глубокому проектированию.
Можно привести примеры программных пакетов схемотехнического моделирования и проектирования.
APLAC – моделирование в том числе устройств диапазона сверхвысоких частот(СВЧ). Большой набор библиотек элементов аналоговых и цифровых систем связи. Расчёт трёхмерных электромагнитных полей микрополосковых конструкций. Возможность ввода результатов измерений и вывода управляющих сигналов в интер-
фейсе стандарта IEEE-488 (http://www.aplac.hut.fi/aplac).
DesignLab – кроме прочего, выполняет синтез устройств программируемой логики и аналоговых фильтров. Проводится синтез как устройств программируемой логики(PLD), так и перепрограммируемых логиче-
ских устройств (FPGA) (http://www.microsim.com).
Electronics WorkBench – при моделировании на экране изображаются измерительные приборы с органами управления, в ходе работы которых измеряются соответствующие параметры сигналов или характеристи-
ки электрических цепей (http://www.interactiv.com).
SystemView – позволяет строить и моделировать функциональные схемы с задаваемыми параметрами функциональных узлов и подключаемыми измерительными устройствами (http://www.elanix.com).
23.1Пакет МicroСАР и моделирование электрических цепей на постоянном
ипеременном токе
Начиная с пакета MicroCAP-5, – это программное средство используются для моделирования электрических схем (аналоговых, цифровых и смешанных), ра-
ботают под ОС Windows и под эмулятором wine в ОС Linux. Ниже даны сведения о
пакетах MCAP версий. 5.0–9.0.
Первый вариант пакета MicroCAP фирмы Spectrum Software появился в 1981 г.
По своим функциям, этот пакет, как минимум, обладает возможностями:
–графический ввод электрических принципиальных схем;
–расчёт режимов на постоянном токе, частотных характеристик, пере-
ходных характеристик (анализ во времени);
–расчёт шумов, спектров, вариация температуры;
–статистический анализ по методу Монте-Карло и расчёт наихудшего слу-
чая;
–применение функциональных зависимых источников;
–учёт задержек распространения сигналов в цифровых компонентах;
–наличие программы идентификации параметров моделей;
–возможность описания цифровых компонентов с помощью логических вы-
ражений.
– моделирование динамических систем, заданных и функциональными схе-
мами.

Ниже приведено описание моделей ряда часто используемых в практике
компонентов.
1 Источник синусоидального напряжения (Sine source)
Гармонический сигнал описывается выражением u(t) = Umsin(wt + j0) c указа-
нием смещения исходного (нулевого) значения сигнала относительно начала сис-
темы координат (рисунок 23.1).
Рисунок 23.1 – Представление гармонического сигнала в различных системах коор-
динат
Здесь Um – это амплитуда сигнала, т. е. максимальное отклонение от нулевой линии.
Круговая частота сигнала w и частота повторения (циклическая) f связаны
выражением w = 2pf.
Фазовый угол j выражается в радианах или градусах.
выражается в радианах в секунду, один полный цикл ко-
лебания (один период) содержит 2p радиан.

Параметры модели этого источника задаются по директиве: .MODEL <имя модели> SIN ([список параметров]).
Например: .MODEL SINUSSS SIN (F=2meg A=2.4 PH=pi/3 RS=0.2m
Параметры модели источника синусоидального напряжения приведены в таблице 23.1, а его форма – на рисунке 23.2.
Таблица 23.1 – Параметры модели источника синусоидального напряжения
Обозна- |
Параметр |
Значение по |
чение |
|
умолчанию |
|
|
|
F |
Частота, Гц |
106 |
A |
Амплитуда, В |
1 |
|
|
|
DC |
Постоянная составляющая, В |
0 |
|
|
|
PH |
Начальная фаза, рад |
0 |
|
|
|
RS |
Внутреннее сопротивление, Ом |
0,001 |
|
|
|
RP |
Период повторения затухающего сигнала, с |
0 |
TAU |
Постоянная времени изменения амплитуды |
0 |
|
затухающего сигнала по экспоненциально- |
|
|
му закону |
|
|
|
|
Примечание. При моделировании в режиме частотного анализа(АС) ам-
плитуда сигнала принимается равной 1 В.
Рисунок 23.2 – Гармонический сигнал в пакете МСАР

2 Источник импульсного напряжения (Pulse source)
Импульсный сигнал, согласно отечественному стандарту, имеет вид, пока-
занный на рисунке 23.3.
Рисунок 23.3 – Импульсный сигнал
Для оценки импульса используется ряд основных параметров:
–длительность импульса t: определяется по уровню 0,5Um;
–длительность фронта tф и длительность среза (спада) tС определяются по интервалу времени, соответствующему уровням импульса 0,1Um и 0,9Um.
Если минимальное мгновенное значение импульса не равно нулю, то для та-
кого сигнала дополнительно вводятся параметры:
– напряжение низкого значения (уровня) ul и напряжение высокого значе-
ния (уровня) uН.
При описании последовательности импульсовможет вводиться параметр
«скважность» Q, равный отношению периода следования импульсов к длитель-
ности импульса Q = T/t.

В MCАР принято более простое представление импульсного сигнала(ри-
сунок 23.4).
u(t)
VONE |
|
P5 |
|
||
|
|
VZERO
0 P1 |
P2 |
P3 |
P4 |
t |
Рисунок 23.4 – Описание импульсного сигнала в формате MicroCAP
Значения параметров Р1, Р2, Р3 и Р4 задаются относительно начала сис-
темы координат.
Параметры модели этого источника задаются по директиве:
.MODEL <имя модели> PUL ([список параметров]). Например: .MODEL
IMPULSS PUL (VZERO=0.3 VONE=2.4 P1=80n P2=90n P3=480n P4=490n
P5=1.2u)
Параметры модели источника импульсного напряжения приведены в таб-
лице 23.2, а его форма – на рисунке 23.4.
Таблица 23.2 – Параметры модели источника импульсного напряжения
Обозначение |
Параметр |
Значение по |
|
|
умолчанию |
|
|
|
VZERO |
Напряжение низкого уровня, В |
0 |
|
|
|
VONE |
Напряжение высокого уровня, В |
5 |
|
|
|
P1 |
Начало переднего фронта, с |
10-7 |
P2 |
Начало плоской вершины им- |
1,1×10-7 |
|
пульса, с |
|
|
|
|
P3 |
Конец плоской вершины им- |
5×10-7 |

|
пульса, с |
|
|
|
|
P4 |
Момент достижения нулевого |
5,1×10-7 |
|
уровня, с |
|
|
|
|
P5 |
Период повторения, с |
10-6 |
Примечание. Амплитуда сигнала в режиме частотного анализа(АС) прини-
мается равной 1 В.
3 Диод (Diode)
Для работы с нелинейными элементами необходимо иметь представление о фи-
зических процессах в полупроводниковом диоде[5, с. 20–42] и о модели диода в
MCAP [6, с. 86–89].
Описание ВАХ диода в модели выполняется согласно системе уравнений:
ì |
|
|
u |
|
+ |
|
|
u + uz |
, |
u £ -uz ; |
|||||||
ï |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
R |
|
|
|
R |
|
||||||||||
ï |
|
|
ОБР |
|
|
|
|
|
|
z |
|
|
|
|
|||
ï |
|
|
u |
|
|
|
|
|
|
u |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
j |
|
|
|
|
|
|
||||
ï |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
i = í |
|
|
|
|
|
+ |
Is [ e |
|
|
Т |
- 1 ], |
- uz < u < Uc ; |
|||||
|
|
RОБР |
|
|
|||||||||||||
ï |
|
|
|
|
u - U |
|
|
|
|
||||||||
ï |
|
u |
+ Ic + |
|
c |
, |
u ³ Uc . |
||||||||||
ï |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
R |
|
|
|
|
|
|
r |
f |
|
||||||||
ï |
ОБР |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
î |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
()
()
()
Здесь jТ = kT/qe |
= 26 мВ при Т = 300 К – тепловой |
потенциал p-n-перехода; |
|||||||
k = 1,38×10–23 Дж/К – постоянная Больцмана; qe = 1,6×10–19 Кл. |
|||||||||
Ток насыщения (обратный) IS определяется при конкретной температуре по |
|||||||||
выражению: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
æ |
|
ö3 |
|
é |
(1 / T )-(1 / T |
)ù |
|
|
|
T |
|
ê-WЗ |
300 |
ú |
|
|
|||
ç |
|
÷ |
e |
ë |
k |
û |
, |
() |
|
|
|
||||||||
I s = I0 ç |
÷ |
|
|
|
|||||
è T300 ø |
|
|
|
|
|
|
где I0 – ток насыщения (обратный) при температуре 300 К;
WS – ширина запрещённой зоны (для кремния – 1,11 эВ, германия – 0,67 эВ и диодов за барьером Шотки 0,69 эВ);
UC – максимальное напряжение на переходе диода на прямой ветви(при минимальном дифференциальном сопротивлении rf);
IC – ток диода при напряжении на нём UC.
Величины UC и IC связаны следующими выражениями:
UC = jT × ln[jT / (rf IS)] ; |
() |
Описание диода в MCAP дано в [2, с. 139–141], и отражено в таблице 23.3.
Таблица 23.3 – Основные параметры математической модели диода
Имя пара- |
Параметр |
Значение по |
метра |
|
умолчанию |
|
|
|
IS |
Ток насыщения при температуре 27оС, А |
10-14 |
RS |
Объёмное сопротивление, Ом |
0 |
|
|
|
ТТ |
Время переноса заряда, с |
0 |
|
|
|
CJ0 |
Барьерная ёмкость при нулевом смещении, Ф |
0 |
|
|
|
VJ |
Контактная разность потенциалов, В |
1 |
|
|
|
М |
Коэффициент лавинного умножения |
0,5 |
|
|
|
EG |
Ширина запрещённой зоны, эВ |
1,11 |
|
|
|
FC |
Коэффициент нелинейности барьерной ёмко- |
0,5 |
|
сти прямосмещённого перехода |
|
|
|
|
BV |
Обратное напряжение пробоя (положитель- |
¥ |
|
ная величина), В |
|
|
|
|
IBV |
Начальный ток пробоя, соответствующий на- |
10-10 |
|
пряжению BV (положительная величина), А |
|
|
|
|
МСАР также имеет модели активных компонентов.
4 Биполярный транзистор (NPN; PNP)
Описание характеристик БПТ в модели МСАР выполняется согласно мо-
дели Гуммеля-Пуна, автоматически упрощаемой домодели Эберса-Молла (если опустить некоторые параметры). Для упрощённой модели система уравнений имеет
вид
ì |
|
|
é |
uбэ |
|
|
ù |
|
|
|
|
|
|
|
ï |
|
I S |
êe |
jт |
- 1ú |
|
при |
uбэ < Uc ; |
||||||
ï |
|
|
|
|||||||||||
I эк = í |
|
|
ê |
|
|
|
ú |
|
|
|
|
|
() |
|
|
|
ë |
|
|
|
û |
|
|
|
|
|
|||
ï |
|
+ (u |
|
- U |
|
)/ r |
|
при |
u |
³ U |
|
. |
||
ïI |
c |
бэ |
c |
f |
c |
|||||||||
î |
|
|
|
|
|
|
бэ |
|
|
Здесь IЭК – ток эмиттера;
uБЭ – напряжение на переходе эмиттер–база;
jТ = kT/qe = 26 мВ при Т = 300 К – тепловой потенциал p-n-перехода; k = 1,38×10–23 Дж/К – постоянная Больцмана;
qe = 1,6×10–19 Кл.
Ток насыщения (обратный) IS определяется при конкретной температуре по выражению:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
- |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3 |
|
Т300 |
|
|
|||
æ |
|
|
|
u |
|
öæ |
T |
ö |
-WЗ |
Т |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
ç |
1 |
+ |
|
|
кэ |
֍ |
|
÷ |
e |
|
|
|
|
k |
, |
() |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
I s = I0 ç |
U |
|
֍ T |
÷ |
|
|
|
|
|
||||||||
è |
|
|
|
|
|
A øè |
300 |
ø |
|
|
|
|
|
|
|
|
где I0 – ток насыщения (обратный) при температуре 300 К;
WS – ширина запрещённой зоны (для кремния – 1,11 эВ, германия – 0,67 эВ и диодов за барьером Шотки – 0,69 эВ);
UС – максимальное напряжение нар-n-переходе (диоде) на прямой ветви
(при минимальном дифференциальном сопротивлении rf);
IС – ток перехода (диода) при напряжении на нём UС.
Величины UС и IС связаны следующими выражениями: