Контрольные вопросы:

1. Обьясните принцип работы биполярного транзистора.

2. Каким образом в транзисторе происходит усиление электрических сигналов?

3. Охарактеризуйте схемы включения биполярного транзистора.

4. Объясните семейство выходных характеристик транзистора в схеме с общей базой.

5. Объясните семейство выходных характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером.

6. Влияет ли температура на характеристики транзистора?

7. Поясните, как определяются h-параметры по характеристикам транзистора.

Литература

1. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Лань. 2001, 2006, 2009.

2. Гуртов В.А. Твердотельная электроника (учебное пособие). – М. Техносфера. 2005.

Лабораторная работа №1п изучение работы полевых транзисторов

Цель работы.

Изучение устройства, принципа действия, типов и схем включения полевого транзистора. Измере­ние входных и выходных характеристик транзистора в ста­тическом режиме.

Приборы и принадлежности: лабораторный стенд.

Порядок выполнения работы

1. Ознакомиться с порядком выполнения работы (смотри "Дополнение к лабораторной работе №1П", которое находится на рабочем месте).

2. Снять и построить семейство выходных характеристик МДП-транзистора I_c = f(U_CИ) |_{UЗИ = const} при прямом и обратном включении. Набор значений U_3И, указан в "Дополнении к лабораторной работе № 1П".

3. По крутому участку ВАХ оценить внутреннее или дина-мическое сопротивление R_i транзистора, исходя из формулы

4. Из полученного набора ВАХ определить тип исследованного МДП-транзистора (с индуцированным или встроенным каналом).

Внимание: Строго придерживаться указаний по ходу выполнения лабораторной работы, изложенных в "Дополнении к лабораторной работе № 1П ", находящемуся на рабочем месте.

Контрольные вопросы

1. Какие разновидности полевых транзисторов существуют?

2. Как происходит управление током стока в полевых транзисторах с управляющим р-n-переходом?

3. Какие физические факторы могут влиять на характер зависимости тока стока от напряжения сток-исток полевого транзистора с управляющим переходом?

4. Какими физическими явлениями, происходящими в полевом транзисторе, ограничивается диапазон рабочих частот этого прибора?

5. Какие физические явления лежат в основе работы полевых транзисторов?

6. Чем отличаются структуры МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами? Как это отличие отражается на статических характеристиках передачи?

7. Каковы основные достоинства различных типов полевых транзисторов?

Литература

1. Лебедев А.Ю. Физика полупроводниковых приборов. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 488 с.

2. Бобров И.И. Физические основы электроники: Учеб. пособие. Перм. гос. тех. ун-т. – Пермь, 2003.- 158 с.

3. Толмачев В.В., Скрипник Ф.В. Физические основы электроники. / В.В. Толмачев, Ф.В. Скрипник – М.: Ижевск, НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", Институт компьютерных исследований, 2009. – 464 с.

Составители Максимов С.М., Ершов И.В.

Физические основы работы полупроводниковых приборов (оптопар, биполярного и полевого транзисторов)

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ №1, 1П, 24, А

Корректор Т.В. Колесникова

Компьютерная обработка: С.Ю. Матузова

____________________________________________________________

В печать 30.07.2014.

Объём 1,9 усл. п. л. Формат 60х84/16.

Заказ № . Тираж 60 экз. Цена свободная

____________________________________________________________

Издательский центр ДГТУ

Адрес университета и полиграфического предприятия:

344000, г. Ростов-на-Дону, пл. Гагарина,1.

34