- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
П
ринцип
дії таких пристроїв грунтується на
використанні електронних приладів, які
мають нелінійні вольт-амперні
характеристики. Як основні регулюючі
компоненти в параметричних стабілізаторах
напруги (ПСН) широко використовуються
кремнієві стабілітрони (розд.3.6.4.).
Для побудови ПСН стабілітрон вмикають паралельно навантаженню Rн (рис.10.8). Послідовно із цими компонентами вмикають обмежувальний (баластний) резистор Rоб, oпip якого має бути значно більший, ніж диференціальний опір стабілітрона rz. Чим більше відношення Rоб/rz, тим краща стабілізація напруги.
Стабілізатори напруги повинні забезпечити збереження постійної напруги на навантажені (Uн = сonst), у разі зміни напруги в електричній мережі або струму навантаження. У першому випадку змінюється напруга на виході випрямляча, тобто на вході стабілізатора (Е), у другому – збільшується або зменшується струм навантаження Ін.
Якщо напруга на вході стабілізатора Е під час роботи змінюється в обох напрямах відносно деякого значення Uz, то робочу точку С на ВАХ стабілітрона вибирають посередині робочої ділянки (рис.3.8), де струм стабілітронаІz = 0,5Іz mах.
Напруги на вході, виході та струми стабілізатора зв’язані рівняннями:
Е = Uz+ І0Rоб = Uz + Rоб(Іz + Ін);
Uн = Uz = E – І0Rоб;
UВХ = I0Rобм + UВИХ;
I0 = Iz + IH.
Розглянемо стабілізацію напруги у разі коливання напруги в електричній мережі.
Припустимо, що напруга на вході стабілізатора через нестабільність електричної мережі збільшилася на Е. Тоді починаєзростати напруга на стабілітроні та навантаженні. Але навіть незначне збільшення Uz спричинить різке зростання струму стабілітрона Іz ( рис.3.8). Струм, який протікає через обмежувальний резистор Rоб,І0 = Іz+ Ін. Тому, як тільки почне збільшуватися струм стабілітрона, почне збільшуватися і струм через баластний резистор, що, в свою чергу, посилить спад напруги на цьому резисторі:Uоб = (І0 + Іz) Rоб.
Автоматична система регулювання напруги на навантаженні (Uн = = Uвх – І0Rоб), робота якої ґрунтується на властивостях ВАХ стабілітрона, забезпечує майже однакові зміни І0Rоб Е, а отже,
Uн= (Е + Е) – (І0 + Іz)Rоб сonst.
Таким чином, зі збільшенням напруги на вході E параметричний стабілізатор внаслідок особливості ВАХ стабілітрона ( Uz ≈ 0) автоматично збільшує спад напруги на баластному резисторі, що і компенсує (значною мipою) зміну Е. Зрештою напруга на виході, тобто на навантаженні, залишається майже незмінною.
Аналогічно схема працює під час зменшення вхідної напруги. Сталість напруги на виході схеми забезпечується відповідною зміною струму стабілітрона та спадом напруги на обмежувальному резисторі. Параметричний стабілізатор як схема автоматичного регулювання забезпечує необхідний коефіцієнт стабілізації тільки в заданих межах Іz, які визначаються значеннями від Іz mах до Іz mіn.
Якщо напруга мережі (вхідна напруга) нестабільна та змінюється від Еmin до Еmax) за умови, що опір навантаження Rн – постійний, значення резистора Rобм для середньої точки:
де Uсер = 0,5(Umin + Umax) – середнє значення вхідної напруги ПСН; Iсер = 0,5(Imin + Imax) – середній струм стабілітрона:
–
струм
навантаження.
Другий
можливий режим стабілізації реалізується
в тому випадку, коли Uвх
=
const, а Rн
змінюється в межах від Rmin
до
Rmax.
Як приклад розглянемо випадок, коли Rн
зменшується, тобто
збільшується. Тоді струм у нерозгалуженому
колі I0
=
Iz
+
IH
зростає. При цьому спад напруги на
обмежувальному резисторі Rобм
повинен був би збільшуватись, а на
стабілітроні та навантаженні –
зменшуватись. Зменшення напруги на
стабілітроні викликає різке зменшення
струму у ньому (рис. 3.8), внаслідок чого
вхідний струм I0,
падіння напруги I0Rобм
та напруга на навантаженні майже не
змінюються. Таким чином ріст струму
навантаження на ∆
автоматично приводить до спаду струму
стабілітрона на ∆IZ.
Причому ∆
IH
≈
–∆
IZ,
так що I0
= Iz
+
IH
= const,
що забезпечує збереження величини
напруги на навантажені. Очевидно, що
стабілізатор працюватиме в необхідному
режимі доти, доки для компенсації зміни
струму навантаження буде достатньою
зміна струму стабілітрона – від Іz mах
до Іz mіn
(рис.3.8).
Значення резистора Rобм в цьому випадку можна визначити за середнім значенням струмів:
де Iн.сер= 0,5(Iн.min + Iн. max), причому
.
Наведені формули дозволяють вибрати тип стабілітрона і розрахувати елементи параметричного стабілізатора за електричними параметрами та граничними експлуатаційними даними, які наведені у довідниках.
Якість
роботи стабілізаторів напруги
характеризується коефіцієнтом
стабілізації
,
який дорівнює відношенню відносної
зміни вхідної напруги до відносної
зміни напруги на виході:
Експлуатаційними
параметрами стабілітрона є: UZ
– напруга стабілізації; ∆UZном
– розкид значення напруги стабілізації;
IZmin
– мінімально допустимий струм
стабілізації; rст–
диференціальний опір стабілітрона;
–
температурний коефіцієнт напруги
стабілізації.
Параметричні стабілізатори найчастіше використовують для живлення малопотужних блоків ЕС. Головна їх перевага – простота. Із недоліків необхідно виділити:
неможливість регулювання вихідної напруги на навантаженні;
невисокий коефіцієнт стабілізації (одиниці, десятки).
Для стабілізації малих напруг (близько 0,7 В) у параметричних стабілізаторах використовують стабістори. Це НД, які мають ділянку ВАХ з майже постійною напругою у разі прямого вмикання. Значення цієї напруги мало залежить від значення струму в деяких його межах. Для одержання стабільної напруги в межах 1 В послідовно з’єднують декілька стабісторів.
