- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
10.3 Згладжувальні фільтри
Напруга на виході випрямлячів пульсуюча, а для нормальної роботи більшості споживачів, особливо ЕС, змінна складова напруги має бути у багато разів меншою ніж постійна складова. Інакше відбуваються недопустимі спотворення електричних інформаційних сигналів. Тому на виході випрямляча ставлять згладжувальні фільтри (ЗФ), які дозволяють зменшити коефіцієнт пульсації.
На виході ЗФ коефіцієнт пульсацій стає значно меншим, ніж на його вході. Для оцінки згладжувальної дії ЗФ використовують коефіцієнт згладжуваня KЗГЛ =KП.ВХ /KП.ВИХ, який показує, у скільки разів зменшується коефіцієнт пульсацій на виході ЗФ порівняно з коефіцієнтом пульсацій на його вході. Для характеристики ЗФ використовують ще два параметри: коефіцієнт фільтрації КФ=UЗМ.ВХ/UЗМ.ВИХ та коефіцієнт передачі постійної напруги G=UСЕР.ВИХ / UСЕР.ВХ. Останній характеризує ККД.
Згладжувальні фільтри повинні забезпечувати необхідний коефіцієнт згладжування, високий ККД ( G = 1) та задовольняти такі вимоги:
невеликі габарити, вага і вартість;
висока надійність;
не вносити помітних спотворень;
не обумовлювати різкі зміни струму і перенапругу при перехідних процесах.
Найширше застосування знаходять ЗФ, побудовані на реактивних компонентах L,C(пасивні фільтри) та активних компонентах (активні фільтри).
10.3.1 Пасивні фільтри
У таких ЗФ використовується властивість реактивних компонентів накопичувати електромагнітну енергію, за її надлишка та повертати накопичену енергію коли її не вистачає. Використовують індуктивні фільтри, ємнісні, індуктивно-ємнісні, багатоланкові (рис.10.5).
В
індуктивних фільтрах дросельLвмикається
послідовно з навантаженнямRН.Пульсуюча
напруга на виході випрямляча складається
з постійної і змінної складових. Фільтр
повинен забезпечити передачу постійної
складової (по можливості без втрат) та
максимальне заглушення змінної складової.
Активний опір дроселя для постійного
струму можна вважати незначним, а тому
середня складова напруги практично
повністю передається в навантаження.
Опір дроселя для змінного струму
xL=2
fПL,
деfП
–
частота пульсацій. Ефективне заглушення
змінної складової відбувається за
умови, коли цей опір значно перевищує
опір навантаження (5…10 разів), а тому
індуктивний фільтр доцільно використовувати
за великих струмів навантаження (малих
опорах RН).
У цьому разі можна використати дросель
з меншою індуктивністю (вагою, габаритами).
Згладжувальна дія інідуктивності
базується на її здатності накопичувати
енергію підчас надходження
імпульсів
струму та віддавати енергію в навантаження
підчас їх відсутності.
Рис.10.6.Випрямляч
з ємнісним фільтром
Р
При вмиканні,протягом деякого часу позитивного півперіоду вхідного сигналу (рис.10.7,а), коли на діод подається пряма напруга, через нього проходить струм, який заряджає конденсатор до напруги, наближеної до Um (рис.10.7,в). Тепер стан діода визначається вхідною напругою u(t), яка поступово зменшується, та напругою на конденсаторі UC=Um, яка залишається майже незмінною. Як тількивхідна напруга стане менше напруги на конденсаторі діод зміщується в зворотному напрямі, струм через діод не проходить, конденсатор розряджається через опір навантаження Rн і створює на ньому напругу, яка поступово зменшується (рис.10.6,б). У кожний наступний позитивний півперіод, коли напруга живлення ( на вторинній обмотці трансформатора) за абсолютною величиною перевищує напругу на ємності ( |u| > uc = uн ) діод відкривається, конденсатор підзаряджається i його напруга знову підвищується до рівняUm.
.
Конденсатор
заряджається через порівняно малий
oпip діода, а розряджається через oпip
навантаження. Унаслідок цього напруга
на конденсаторі та навантаженні пульсує
незначно. Kpiм того, конденсатор різко
підвищує постійну складову випрямленої
напругиUCЕР,
яка за досить великої ємності наближається
до Um.
Отже, в однофазному однотактному випрямлячі конденсатор підвищує випрямлену напругу приблизно в три рази. Такі випрямлячі використовують для живлення малопотужних електричних та радіоелектронних кіл.Максимальна зворотна напруга на діоді установлюється в негативний півперіод, коли u(t) = Um. Напруга конденсатора також майже дорівнює Um, тоді найбільша зворотна напруга на діоді досягає значення 2Um. Для побудови випрямлячів за такими схемами необхідно використовувати діоди, максимально допустима зворотна напруга яких вдвічі перевищує амплітуду сигналу на вторинній обмотці трансформатора.
При використані описаного ЗФ з двопівперіодним або мостовим випрямлячами за однакових сталих часу пульсації зменшуються в два рази за рахунок збільшення їх частоти, а середня складова дещо зростає. Максимальна зворотна амплітуда діода не перевищує Um.
