- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
9.6 Завдання для самоконтролю
9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
1. Дослідити LC-генератор:
Сформувати модель LC-генератора на базі польового транзистора з керувальним р-п переходом (рис.9.15).
Д
ослідити
вибірний резонансний підсилювач. За
допомогою перемикача S1
до затвора транзистора підключити
функціональний генератор та зафіксувати
на екрані Bode-Plotter
АЧХ
підсилювача з резонансним контуром в
колі стоку. При
дослідженні АЧХ функціональний генератор
працює в режимі автоматичного формування
гармонічного сигналу в широкому
діапазоні частот та не вимагає установки
параметрів, але його необхідно підключити
до входу підсилювача.
Визначити
резонансну частоту контура f0,
виставити у віконцях діапазон частот
I
≈
f0
–
50
кГц;
F
≈
f0
+ 50
кГц
зафіксувати
смугу частот
на рівнях спаду коефіцієнта передачі
на -3 дБл. Визначити добротність контура
Q
=f0
/∆f.
За допомогою перемикача S1 відключити від входу підсилювача функціональний генератор та підключити вторинну обмотку трансформатора, тобто побудувати модель LC- автогенератора.
Відкрити панель осцилографа, зафіксувати наявність коливань. Проаналізувати осцилограми, що формуються на затворі та стоці. Пояснити умови самозбудження.
Для виміру частоти коливань доцільно скористатись частотоміром XFC1.
Визначити індуктивність, за якої встановлюється одержане значення f0.
Розрахувати та експериментально дослідити шляхом моделювання величину ємності конденса- тора C2, за якої на виході сформуються несгасаючі гармонічні коливання частотою 300 кГц.
2. Дослідити R-панель:
С
формувати
модель триланкової фазообертальної
схеми (рис.9.16). Ємності конденсаторів
та опори резисторів визначаються за
формулою f0
=1/2π
RC
=0.065/RC,
враховуючи задану квазірезонансну
частоту. Наприклад, для забезпечення
f0
в межах 5…10 Гц можна використати С1=
С2
=
С3
=
10 мкФ; R1
=R2
=R3=
1 кОм.Для вказаних величин ємностей конденсаторів та опорів резисторів одержуєм f0 = 65 Гц. Вибором відповідних значень компонентів забезпечується задана квазірезонансна частота.
Відкрити панель Bode Plotter виставити режим формування лагорифмічної фазочастотної характеристики. Для попереднього визначення f0 межі зміни частоти фіксуються на рівнях F=f0 + 50 Гц; I = 1 Гц. Зміна фази від -2200 до +2200. Для більш точного визначення f0 частотний діапазон звужується (рис.9.17,а).
На виході функціонального генератора сформувати синусоїдальний сигнал амплітудою 10 В та частотою квазірезонанса. Спостерігати осцилограми вхідного та вихідного сигналів на вході та виході. За допомогою візірної лінії зафіксувати амплітуди вхідного та вихідного сигналів і зсув їх за фазою. Визначити коефіцієнт послаблення трифазної фазообертальної панелі. Для цього слід скористатись показниками на екрані оцилографа (рис.9.17,б).
Повторити експерименти за частоти f0 + 4 Гц та f0 – 2 Гц. Визначити та проаналізувати зміни коефіцієнтів передачі та зсуви вхідного та вихідного сигналів за фазою.
3
.
Дослідити RC-генератор
з трьохелементною фазообертальною
ланкою та узгоджувальним каскадом
(емітерним повторювачем).
П
обудувати
модель генератора(рис.9.18). Включити
моделювання та дослідити на екрані
осцилографа незатухаючі електричні
коливання. Визначити їх частоту. Для
цього доцільно скористатись вимірювачем
частоти XFC1.Розрахувати значення ємностей конденсаторів та опорів резисторів для одержання необхідної квазірезонансної частоти (наприклад, 15 Гц).
Дослідити та пояснити вплив на умови збудження і форму вихідних сигналів положення повзунка потенціометра R6. Зафіксувати умови формування незатухаючих гармонічних коливань з мінімальними нелінійними спотвореннями. Для цього доцільно скористатись вимірювачем нелінійних спотворень XDA1.
4. Дослідити низькочастотний RC - генератор гармонічних коливань на базі нульового фазообертача та операційного підсилювача.
Сформувати модель RC - генератора (рис.9.19).
Р
озрахувати
значення ємностей конденсаторів та
опорів резисторів для одержані
необхідної квазірезонансної частоти.
Для визначення частоти коливань
доцільно скористатись вимірювачем
частоти XFC1
(наприклад, 15 Гц).Дослідити вплив на частоту коливань компонентів С1, С2 та R1, R2.
Дослідити та пояснити вплив глибини негативного зворотного зв`язку (положення движка потенціометра R3) на умови збудження коливань та форму вихідного сигналу. Досягти формування вихідного сигналу з мінімальними нелінійними спотвореннями.
5. Дослідити несиметричний автоколивальний мультивібратор на базі операційного підсилювача.
Сформувати модель несиметричного мультивібратора (рис.9.20).
Користуючись формулами, наведеними в розділі 9.3, розрахувати частоту та тривалість імпульсів за різних положень перемикачів J1 та J2. Експериментально дослідити ці параметри в процесі моделювання.
Повторити дослідження після обопільної зміни опорів резисторів R5 та R6.
Зафіксувати та пояснити осцилограми сигналів на інвертувальному, неінвертуальному входах та на виході генератора.
6
.
Дослідити
загальмований мультивібратор.
Сформувати модель формувача імпульсів на базі загальмованого мультивібратора (рис. 9.21).
К
ористуючись
формулами, наведеними в розділі 9.3,
розрахувати тривалість імпульсів на
виході за різних положень перемикача
J1.
Експериментально дослідити ці параметри
в процесі
моделювання.
Для цього перевести функціональний
генератор XFG1
в режим формування прямокутних імпульсів
частотою
1 кГц, амплітудою 2…3 В, за їх тривалості
5…10 % від періоду імпульсів синхронізації.Зафіксувати та пояснити осцилограми сигналів на вході, інвертувальному, неінвертувальному входах операційного підсилювача та на виході формувача (рис. 9.22).
7
.
Дослідити формувач пилкоподібної
напруги.
Сформувати модель формувача напруги, яка лінійно наростає (рис.9.23).
В такому присторї тривалість вхідних сигналів співпадає з тривалістю прямого ходу. На виході функціонального генератора необхідно сформувати прямокутні імпульси амплітудою 2…4 В, часто-тою 4…6 кГц, тривалістю 95…98% від тривалості періода.
Ш
ляхом
моделювання одержати та проаналізувати
осцилограми імпульсів на вході та
виході.Дослідити зміни форми вихідних імпульсів при зменшені та збільшені частоти вхідних сигналів за межі окресленого вище частотного діапазону.
9.23.Формувач пилкоподібної напруги, що лінійно зростає
Експериментально дослідити вплив на форму вихідних сигналів опору резистора R3 (500 Ом…3 кОм) та ємності конденсатора С1 (5…22 нФ). Зафіксувати осцилограму за умов: f=12 кГц, R3=3кОм, С1=10 нФ, tI=96. Пояснити одержані результати.
