- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
Г
енератори
лінійно–змінної (пилкоподібної) напруги
призначені для отримання напруги, яка
за деякий час зростає або зменшується
за лінійним або близьким до лінійного
законом. У
радіоелектронних пристроях такі
генератори використовують у пристроях
порівняння, які фіксують момент
досягнення напругою заданого рівня
(зокрема в аналого-цифрових перетворювачах0,
для часової затримки і розширення
імпульсів, для отримання часової
розгортки в осцилографах, в пристроях
сканування і т. д.
Пилкоподібна напруга створюється під час заряджання або розряджання конденсатора С через резистор R. Найпростіша схема формувача лінійно – наростаючої напруги, в якій транзистор виконує функції ключового елемента подана на рис.9.12. У вихідному стані транзистор закритий (знаходиться в режимі відсічки). Для запобіганню впливу зовнішніх завад, які можуть викликати небажане перемикання ключа, зазвичай, при використанні біполярних транзисторів в коло бази через резистор R1 вмикають додаткове джерело – Еб. Таким чином забезпечується високий захист від завад. У режимі відсічки транзистор має великий опір, що забезпечує заряд конденсатора С2 через резистор R2 від джерела живлення +ЕС. При цьому UВИХ = UС ~ ЕС . Це стійкий стан.
Для
формування пилкоподібної напруги, яка
лінійно зростає, на вхід ключа подається
синхроімпульс позитивної полярності
амплітудою, що забезпечить перемикння
ключа в режим насичення. Конденсатор
С2
з малою сталою часу (великим струмом
відкритого транзистора) розряджається,
а напруга на виході зменшується до
напруги насичення транзистора
UВИХ
= UС
.
Формується зворотний хід тривалістю
tЗВ.
Після закінчення вхідного імпульсу,
транзистор перемикається в режим
відсічки. Конденсатор заряджається за
експоненціальним законом, на виході
формується напруга, яка майже лінійно
зростає, наближаючись до асимптоматичного
рівня ЕС
(рис.9.13). Так формується прямий (робочий)
хід tПР.
З надходженням наступних синхроімпульсів
процес повторюється.
О
сновні
параметри напруги, що змінюється лінійно:
тривалість прямого (робочого) ходу tпр,
тривалість зворотного ходу tзв
період повторення Т,
амплітуда
імпульсу Uт
. Оскільки
строго лінійної зміни напруги U(t)
отримати
неможливо, ступінь відхилення її від
лінійного закону характеризується
коефіцієнтом нелінійності:
де
та
– відповідно швидкість зміни напруги на початку та в кінці робочого ходу.
У практичних схемах формувачів лінійно–змінної напруги tпр, дорівнює від десятих частин мікросекунди до десятків секунд, tзв – від 1 до 20 % від tпр, при Uт – від одиниць до тисяч вольт. Допустимі значення ε залежить від призначення схеми,наприклад, в осцилографії 10%.
В розглянутій схемі вихідна напруга формується в процесі заряду конденсатора, тобто змінюється за експоненціальним законом, а відтак створює значний коефіцієнт нелінійності. Це коли необхідна амплітуда пилки досягається за повний заряд конденсатора. Початкова ділянка експоненти вирізняється суттєво меншим коефіцієнтом нелінійності, а тому для використання цієї ділянки та забезпечення необхідної амплітуди, значно збільшують напругу джерела живлення.
Отже, високий ступінь лінійності пилкоподібної напруги (мале ε) можливий за умови ЕС >> Uт. Це призводить до неефективного використання напрги джерела живлення. Наприклад, коли необхідно забезпечити Uт = 10 В, а ε = 1 %, напруга джерела живлення має бути 1000 В.
Напруга на конденсаторі UС зв'язана зі струмом іС відомим співвідношенням
У випадку іС = І = const напруга на конденсаторі UС = Іt / С = kt змінюється в часі за лінійним законом. Отже, щоб напруга па конденсаторі змінювалася не за експоненційним законом, а строго пропорційно часу, зарядний струм конденсатора має бути сталим. Для цього можна застосувати струмостабілізуючі елементи, струм яких не залежить від прикладеної напруги. Для стабілізації струму заряджання або розряджання конденсатора в формувачах напруги, яка змінюється лінійно, застосовують негативний зворотний зв'язок.
Як активні ключові елементи у проектуванні таких генераторів в наш час найбільш широко використовують операційні підсилювачі. Щоб вихідна напруга була пропорційною інтегралові вхідної напруги, в ОП вмикають конденсатор в колі негативного зворотного зв'язку (див. п. 6.8). Тому формувачі пилкоподібної напруги на ОП будують за принципом пристроїв із зворотним зв'язком, що інтегрують сталу напругу джерела живлення при надходженні синхроімпульсів.
На рис.9.14,а показана схема формувача пилкоподібної напруги з інтегруючою RC- ланкою (R3, C1), яка ввімкнена в коло негативного зворотного зв`язку (інтегратор на ОП, розд. 6.6.2). За допомогою подільника напруги R1, R 2 встановлюється постійна позитивна напруга на неінвертувальному вході:
=
βЕС,
де β = R2/(R1 + R2). При цьому Uвих ≈ ЕС (рис.9.14,б ).
З
а
Конденсатор заряджається
до напруги + Uвих
(плюс на правій пластині).
Так створюється стан, який може зберігатись
до вимикання джерела живлення.
П
илкоподібна
напруга на виході формується за
надходження на вхід синхроімпульсу
позитивної полярності, тривалість якого
відповідає тривалості прямого ходу.
При цьому діод зміщується в зворотному
напрямі (має великий опір), що забезпечує
подачу постійної напруги джерела
живлення +ЕС
на
інвертувальний вхід ОП, який переводиться
в режим інтегратора. Потенціал
інвертувального входу плавно підвищується,
що забезпечує перехід ОП в активний
режим. Конденсатор починає розряджатись
через резистор R3
до нуля і перезаряджається до напруги
– ЕС,
після того як напруга
на інвертувальному вході перевищить
зафіксовану подільником R1,
R2
напругу на неінвертувальному вході. В
результаті на
виході формується пилкоподібна напруга
з незна ною нелінійністю (рис.9.14,б).
Коефіцієнт нелінійності пилкоподібної напруги ε = 1/ КU визначається підсилювальними властивостями ОП, а напруга протягом робочого ходу лінійно зменшується.
Генератор пилкоподібної напруги, яка лінійно зростає, можна створити, якщо інтегруюче RС–коло ввімкнути в коло позитивного зворотного зв'язку (9.6.1).
