- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
9.2 Генератори гармонічних коливань
Генератором гармонічних коливань називають електронний пристрій, який перетворює електричну енергію джерела постійного струму в енергію незатухаючих синусоїдальних коливань заданої частоти f та потужності. До складу генератора входить активний елемент та частотно–вибіркова система (чотириполюсник).
Як активні елементи використовують транзистори, інтегральні підсилювачі (особливо операційні). Гармонічні коливання в генераторах підтримуються частотно–вибірковими чотириполюсниками: резонансними LС – контурами або іншими резонуючими елементами (кварцами, об'ємними резонатор і т. ін.) або за допомогою фазуючих RС – кіл, які вмикаються у коло зворотного зв'язку. Тому розрізняють LС – генератори і RС – генератори гармонічних коливань. Підкреслимо: в генераторах гармонічних коливань умови самозбудження створюються лише на одній частоті f.
В залежності від генерованих частот генератори гармонічних коливань поділяють на низькочастотні (0,01...100 кГц), високочастотні (0,1...100 МГц) і надвисокочастотні (> 100 МГц).
9.2.1 LC – автогенератори
У
схемі автогенератора з резонансним LС
– контуром
(рис. 9.1)
використовується
індуктивний зв'язок обмотки резонансного
контура LKСК,
що є
навантаженням однокаскадного підсилювача
за схемою СЕ , з другою обмоткою LБ,
ввімкненою
в коло ЗЗ ( в коло збудження підсилювача,
в коло бази). Елементи R1,
R2,
R5
та
С3
призначені
для забезпечення режиму за постійним
струмом і його термостабілізації. Опори
R3
та R4
враховують
активні втрати відповідно в колекторній
і базовій обмотках. За рахунок конденсатора
С1,
реактивний опір якого на частоті
генерації незначний, заземлюється один
кінець базової обмотки.
Опір
контура па резонансній частоті має
чисто активний характер і дорівнює
Lк
/R3С2
. Тому при
виникненні на базі сигналу змінного
струму ( флюктуаційних шумів) на виході
підсилювача ( на колекторі ) виділяється
лише сигнал з частотою, що дорівнює
частоті резонансу. Це забезпечує
баланс амплітуд лише на резонансній
частоті. Але напруга на колекторі, буде
зсунута за фазою на 1800,
відносно напруги на базі (як для каскаду
підсилення за схемою СЕ). Тому безпосередня
передача сигналів з виходу на вхід не
забезпечить балансу фаз. Ця задача
вирішується шляхом зустрічного вмикання
колекторної та базової обмоток. В
результаті загальний фазовий зсув у
замкнутому колі підсилювач – ланка
зворотного зв'язку дорівнює нулю, що
забезпечує виконання умови балансу
фаз. Частота генерації визначається
частотою резонанса контура за виразом:
f
=1/
2π
Високі технічні показники мають LС – автогенератори гармонічних коливань, в яких використані як підсилювальні ланки операційні підсилювачі. В зв'язку з надлишковістю коефіцієнта підсилення таких підсилювачів є можливість, крім позитивного зворотного зв'язку через частотно–ви6ірковий резонансний контур, вводити досить глибокий негативний зворотний зв'язок, що суттєво підвищує ста6ільність частоти вихідних коливань.
9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
Т
ехнічні
характеристики LС
– автогенераторів
у діапазоні низьких частот суттєво
знижуються, оскільки непомірно
з6ільшуються індуктивність і ємність
коливального контура. Це призводить до
з6ільшення омічного опору обмотки
котушки і струмів витоку конденсатора,
зниженню до6ротності коливального
контура і ста6ільності частоти
автогенератора. Тому в автогенераторах
гармонічних коливань низькочастотного
діапазону для забезпечення умов
самозбудження використовують
частотно–ви6іркові кола з елементів R
та С.
На відміну від резонансної частоти f0 коливального LС – контура для частотно–ви6іркових RС – кіл частоту f0 , на якій забезпечуються умови самозбудження, називають квазірезонансною частотою. Такі автогенератори називають RС – генераторами. За га6аритними і ваговими характеристиками в області частот від частин герца до десятків кілогерц вони мають значні переваги перед LС–автогенераторами.
Структурна схема RС – автогенератора аналогічна схемі, показаній на рис.1.8. Для того, щоб із всього можливого спектра частот автогенератор генерував лише одну гармонічну складову, частотно-вибіркові RC - кола повинні забезпечити умови самоз6удження генератора на вибраній частоті. Для цього використовують два типи таких схем. Перший тип – RC – схеми, які забезпечують необхідний зсув за фазою (баланс фаз ) тільки на квазірезонансній частоті. Це фазуючі або фазообертальні схеми. Другий тип – це схеми, за допомогою яких відбувається селективне підсилення сигналів, а відтак – баланс амплітуд на заданій частоті, як в LC- генераторах.
Рис.9.2. Трьохелементна фазообертальна
ланка
к
фазообертальні використовують кола,
що складаються з простих Г – подібних
RС – ланок
(трьох або чотирьох). На рис. 9.2
зображена триланкова
схема, так звана R–
паралель. Стала часу кожної ланки
однакова τ
= RC.
Використовують різні
співвідношення між параметрами елементів
(α), але так, щоб стала часу, яка визначає
квазірезонансну частоту залишалась
незмінною. Якщо α = 1, ємність конденсаторів
та опір резисторі відповідно однакові,
а квазірезонансна частота визначається
за виразом: f0
=1/ 2π
RC
.
При цьому R-паралель
зменшує амплітуду вихідного сигналу в
29 разів, що обумовлює необхідність
забезпечення коефіцієнту підсилення
не менша 29 (умова балансу амплітуд).
Необхідний коефіцієнт підсилення
можливо зменшити до 14,5 та 13, якщо α=2 або
3. При цьому С2
= С1 /α;
R2
= αR1;
C3
= C1/α2;
R3
=α2R1.
Принципова
електрична схема RC-генератора
на польовому транзисторі з фазообертальною
ланкою подана на рис.9.3. Польовий
транзистор з керувальним р-п
переходом
дозволяє для забезпечення початкового
стану використати елементи автоматичного
зміщення R5,
С4 (розділ
5.3.). Вхід ланки підключається безпосередньо
до виходу підсилювача, який визначається
опором резистора в колі стоку (R4).
Для виключення впливу ланки на режим
підсилювача необхідно забезпечити
співвідношення
Rвх.лан
>> Rвих.під.,
що необхідно враховувати при виборі
величини резисторів на етапі розрахунку
квазірезонансної частоти. Одночасно
слід враховувати наступне. Ми розглядаємо
генератори діапазону низьких частот,
де опір конденсаторів суттєво зростає,
що викликає зменшення коефіцієнту
передачі ланки на квазірезонансній
частоті. Тому при проектуванні генераторів
такого типу необхідне значення
слід забезпечувати за рахунок збільшення
ємностей конденсаторів при зменшенні
опору резисторів. Як варіант вирішення
сформованої задачі в розділі 9.6.1
досліджується генератор з фазообертальною
ланкою та каскадом узгодження –
підсилювачем на біполярному транзисторі
за схемою СК (емітерним повторювачем).
Д
ля
забезпечення балансу амплітуд підсилювач
повинен забезпечувати коефіцієнт
підсилення не менше 29. Таку задачу значно
простіше реалізувати за допомогою
операційних підсилювачів.
Для вивчення та засвоєння процесу перетворення сигналів за допомогою фазообертальної схеми рекомендую провести модулювання та дослідження, сформовані в завдані 9.6.1.
Д
ля
побудови другого типу RC-генераторів
використовують послідовно-паралельну
частотно-вибіркову ланку – міст Віна
(рис.9.4). Така схема забезпечує значне
загасання електричних сигналів в області
низьких та високих частот і лише на
квазірезонансній частоті коефіцієнт
передачі суттєво зростає (рис.9.5). Така
схема є нульовим фазообертачем і не
вносить зсув за фазою, що дозволяє
баланс фаз досягати шляхом її
безпосереднього вмикання в коло
позитивного зворотного зв`язку.
Квазірезонансна частота визначається
за виразом: f0
= w0
/2π
= 1/2π
;
коефіцієнт передачі: KU
= Uвих
/ Uвх
=1/(1+R1/
R2+C1
/C2
).
Часто R1=R2=R і C1=C2=С,тому маємо: f0 =1/2πRC; KU =1/3. Тобто, для виконання умови балансу амплітуд достатнім є коефіцієнт передачі підсилювача більше трьох.
Для побудови RC-генераторів такого типу доцільно використовувати операційні підсилювачі.
Принципова
електрична схема подана на рис.9.6.
Частотно-вибіркова ланка (R1,
C1,
R2,
C2
) ввімкнена
в коло позитивного зворотного зв`язку
між виходом ОП та його неінвертувальним
входом, тому
загальний фазовий зсув за замкненою
петлею дорівнює нулю, що забезпечує
баланс фаз.
Коефіцієнт підсилення ОП з великим
перевищенням створює умови для виконання
балансу амплітуд. Таким чином виконуються
умови самозбудження генератора.
Н
а
відміну від резонансного LC
-
контура RC
–
схема з нульовим фазовим зсувом має
суттєво меншу добротність, що може
забезпечити баланс амплітуд в деякому
діапазоні частот. В
результаті на виході формується складний
сигнал, який відрізняється від необхідного
гармонійного – однієї гармоніки з
частотою квазірезонанса. Щоб забезпечити
на виході допустимі нелінійні спотворення
(виключити вищі гармонійні складові)
та сформувати чисто синусоїдальний
сигнал, в коло негативного зворотного
зв`язку вмикається подільник напруги
R3,
R4,
R5.
За допомогою потенціометра результуючий
коефіцієнт підсилення ОП регулюється
таким чином, щоб баланс амплітуд
відбувався лише на вершині АЧХ , на
частоті квазірезонанса. Зверніть увагу
на таку можливість при дослідженнях,
описаних в розділі 9.6.1.
