- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
1.6 Типові схемні елементи електронних систем
1.6.1 Класифікація
Для побудови функціональних вузлів ЕС широко використовують типові поєднання розглянутих вище пасивних та активних компонентів. Такі схеми на базі електронних приладів (підсилювачі, генератори, перетворювачі) детально розглядаються в подальших розділах. Зараз зупинимось на типових схемних елементах на базі резисторів, індуктивностей та конденсаторів, які входять до складу майже всіх функціональних вузлів ЕС.
До найбільш поширених схемних елементів можна віднести: подільники напруги, генератори струму, генератори напруги, диференціюючі схеми, інтегруючі схеми, резонансні LC-контури, вибіркові RC-схеми.
Раджу детально вивчити ці схеми, їх характеристики та параметри, щоб в подальшому поданий нижче матеріал став надійним та доступним інструментом (без звернення до посібників) для вивчення простих та складних функціональних вузлів, пристроїв та систем.
1.6.2 Подільники напруги
Одним із поширених елементів електричних схем є подільники напруги (ПН), які ефективно використовують для керування потоками електронів, тобто для обробки ЕІС (рис. 1.10). Детально розглянемо процеси формування ЕІС за допомогою ПН. Звернемо увагу на наступне:
- сприйняття і розуміння процесів формування ЕІС за допомогою ПН шляхом зміни співвідношення опорів резисторів є першим кроком в освоєнні схемотехніки;
-
формування ЕІС з допомогою активних
компонентів (електронних ламп,
транзисторів) базується на тих же
процесах керування електронними
потоками, що і в ПН, але в даному випадку
комутація опорів відбувається майже
безінерційно та за законами зміни
вхідних сигналів.
Пропонуємо уважно дослідити зміни вихідної напруги при зміні опорів. При цьому необхідно звернути увагу на вплив величини опору навантаження (R2) на вихідну напругу. Дуже важливо це правильно оцінювати при побудові багатокаскадних пристроїв. Зазвичай необхідно витримувати таке співвідношення опорів: вхідний опір наступного каскаду (Rвх) необхідно витримати на рівні, що на порядок перевищує вихідний опір (Rвих) попереднього каскаду.
К
оефіцієнт
передачі ПН визначається співвідношенням:
KU
= Uвих
/ U
вх = I*R2/
Uвх,
де
I
= Uвх/
(
+ R2),
отже,
Кu = R2 / ( + R2)
Це проста, але фундаментальна формула. Використовується впродовж всього посібника.
Таке співвідношення підтверджується моделюванням подільника, за допомогою схеми, поданої на рис.1.11.
Необхідно
звернути увагу на два межових випадки:
якщо R1<<
R2,
то КU
~
1; якщо
R1
>> R2,
то КU
~ 0.
За допомогою потенціометрів (вручну) або активних компонентів (за законом зміни вхідних ЕІС) опір R2 регулюється в широких межах, а відтак коефіцієнт передачі змінюється від 0 до 1, що забезпечує відповідне керування електронними потоками, а значить - амплітудою вихідного сигналу.
При вивченні процесів формування вихідних сигналів, зокрема в електронних підсилювачах, виникають труднощі з визначенням рівнів потенціалів на електродах закритих (режим відсічки) або повністю відкритих (режим насичення) електронних приладів (електронних ламп чи транзисторів). Тому звертаємо увагу на наступне. Якщо через резистори не протікає струм, спад напруги на них відсутній, а відтак потенціали обох виводів резистора однакові та визначаються рівнем потенціалу точки, до якої підключено один з електродів. Наприклад, при відключені всіх перемикачів потенціал точки 3 дорівнює потенціалу точки 1 (на рис. 1.11 це + 12 В), тому що спад напруги на R1 відсутній. Спад напруги дорівнює нулю на резисторах R2, R3, R4, а значить потенціали точок 2, 4, 5 теж дорівнюють нулю.
В області робочих частот паразитні ємності та індуктивності резисторів можна не враховувати, а тому АЧХ подільника напруги відображається горизонтальною лінією. Відсутність частотних (лінійних) спотворень свідчить про відсутність часових спотворень, а тому форма і часові параметри імпульсів на вході та виході ПН повністю співпадають.
Зовсім інші процеси відбуваються в електричних колах при наявності конденсаторів та індуктивностей.
Подільник напруги, побудований виключно на резисторах, забезпечує постійний коефіцієнт передачі, який визначається лише співвідношенням опорів R1 та R2 і не змінюється зі зміною частоти вхідних сигналів. Для побудови ПН зі змінним коефіцієнтом передачі використовують резистори зі змінним опором – потенціометри.
