- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
Безтрансформаторні ПП працюють у режимах А, В і АВ та широко використовуються в дискретній електроніці і аналогових ІМС. Особливістю таких каскадів є послідовне ввімкнення активного приладу та навантаження до джерела живлення (рис.8.16, а), що дозволяє безпосередньо направляти потужність джерела живлення в навантаження за законами зміни вхідних малопотужних ЕІС. Наприклад, при надходженні гармонічного сигналу в позитивний напівперіод опір резистора R1 зменшується і в навантажені наростає струм IR1 досягаючи максимального значення +(Ec – UR1)/Rн. При цьому опір резистора R2 залишається незмінним і великим. В негативний напівперіод відбувається аналогічне підключення джерела -Ec.
Я
к
керовані опори використовуються
транзистори. Схема на транзисторах
одного типу провідності показана на
рис.8.16, б).
В даному. В даному випадку використовується
комбіноване вмикання транзисторів СК
– СЕ. Для того, щоб реалізувати описаний
процес формування потужних сигналів
на виході в такій схемі необхідно
передбачити фазоінверсний резистивний
каскад на транзисторі
VT1,
на колекторі та емітері якого виділяються
сигнали протилежної полярності. Таким
чином, сигнали надходять на входи
транзисторів VT1
та
VT2
зі
зміщенням за фазою на 180 ел. град., що
забезпечує поперемінне їх відкриття
позитивними на півперіодами, сформованими
на виході фазоінверсного каскаду,
зумовлюючи поперемінне протікання
струму в навантаженні назустріч один
одномуТаким чином, сигнали надходять
на входи транзисторів VT1
та
VT2
зі
зміщенням за фазою на 180 ел. град., що
забезпечує поперемінне їх відкриття
позитивними напівперіодами на виході
фазоінверсного каскаду, зумовлюючи
поперемінне протікання струму в
навантаженні назустріч один одному..
Якщо транзистори однакові, а сигнал
симетричний, паразитний постійний струм
через навантаження не протікає.
Перевага такої схеми: а - відсутність трансформатора ( вкрай нетехнологічного компонента РЕА з небажаними масогабаритними показниками0; б – можливість підсилювати потужність постійної складової ЕІС.
Недоліки: підсилювач забезпечує виділення максимальної потужності тільки за умови наближення опору навантаження до оптимального, що завжди досягається при використанні трансформаторів.
Принципова електрична схема дво-тактного безтрансформаторного підсилювача потужності на комплементарних парах (p-n-p та n-p-п транзистори) подана на рис.8.17.
К
ерувальний
сигнал, що поступає на базу VT1
в позитивний напівперіод відкриває
його, збільшується струм колектора і
відповідно - спад напруги на R1,
тобто збільшується негативна напруга
–UБЕ.
Відкривається VT2,
через який протікає струм IR
Н.
До навантаження підключається джерело
живлення +EC.
Заряджається конденсатор, на навантажені
RН
формується позитивний на півперіод. В
негативний напівперіод вхідного ЕІС
VT
1
закривається, потенціал його колектора
збільшується, а відтак відкривається
VT
3.
Тепер джерелом енергії стає конденсатор,
який розряджається через
VT
3
та створює на навантажені струм, що
протікає вверх. В результаті на R
Н
формується негативний напівперіод
синусоїди. Таким чином, в навантаженні
протікає змінний струм протягом усього
періоду. Бази вихідних потужних
транзисторів можуть бути об`єднані.
Діод ( або декілька діодів вмикають при
налагоджені схеми для забезпечення
початкового стану транзисторів ( режиму
АВ).
Наявність конденсатора виключає
протікання струму в навантажені за
відсутності вхідних ЕІС.
Вдосконалення схемотехніки безтрансформаторних ПП забезпечило розробку двотактних підсилювачів потужності на комплементарних парах з симетричним живленням ( +E C ; -EC ) . Варіант такої схеми показано на рис.8.18. Транзистори в такій схемі вмикаються за схемою із СК, що суттєво зменшує нелінійні спотворення вихідних потужних сигналів, а крім того значно спрощується узгодження вихідного опору емітерних повторювачів з низькоомним опором зовнішнього навантаження.
З
а
допомогою діодів VD1
та
VD2
потенціали баз розподіляються таким
чином, щоб забезпечити роботу потужних
транзисторів в режимах підсилення
АВ.
При великому струмі колектора транзистора
VT1
диференціальний
опір діодів змінному струму значно
менший за опір постійному струму. Це
підсилює зв`язок за змінним струмом між
транзисторами VT2
та
VT3,
на які надходить вхідний сигнал,
підсилений перед цим лінійним підсилювачем
на транзисторі VT1
.
Під`єднання резистора R2
подільника зміщення до навантаження
забезпечує негативний зворотний зв`язок
за напругою, що підвищує стабільність
схеми та якість підсилення. Симетричне
живлення транзистора
VT1
дозволяє
збалансувати вихідні каскади і повністю
усунути появу постійного небажаного
струму в навантажені за відсутності
вхідного ЕІС.
Описаний тип ПП широко використовується в ІМС.
