- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
Застосування резонансних підсилювачів в діапазоні низьких частот (десятки – сотні герц) недоцільне, оскільки зі збільшенням номіналів індуктивностей та ємностей погіршуються не лише технічні (добротність, вибірковість), але й експлуатаційні (маса, габаритні розміри) їх показники. В цьому випадку застосовують ВП з частотно–залежним зворотним зв'язком. На рис. 8.15, а зображена схема ВП на операційному підсилювачі зі схемою частотно–залежного зворотного зв'язку у вигляді подвійного Т– подібного мосту, який широко застосовується. Найбільшу вибірковість 2Т–міст забезпечує, коли R3 = R1R2 /(R1 + R2) і С3 = С1 + С2. При цьому квазірезонансна частота ω0 визначається виразом
,
якщо
R1 = R2 = 2R3 та С1 = С2 = 0,5С3,
то
ω0 = 1/R1С1 = 1/R3С3 = 1/R2С2.
Амплітудно–частотна характеристика 2Т–мосту показана на рис. 8.15, б.
В
а
в
она
свідчить про те, що міст пропускає майже
без пригнічення всі частоти крім
квазірезонансної. При включені його
між виходом та інвертувальним входом
ОП створюється сильний негативний
зворотний зв`язок,
оскільки 2Т-міст на квазірезонансній
частоті не вносить фазовий зсув. В
результаті на цій частоті відключається
негативний зворотний зв`язок, що
забезпечує суттєве підвищення коефіцієнта
підсилення на квазірезонансній частоті
(рис..8.15).
Х
б
в
Наявність негативного зворотного зв`язку у ВП стабілізує показники підсилювача та покращує його властивості, завдяки чому така структура має широке використання.
8.7 Підсилювачі потужності
8.7.1 Особливості побудови та класифікація
Усі розглянуті вище ЕП підсилюють потужність ЕІС, але вони відносяться до підсилювачів попередньої обробки сигналів, в яких вирішуються задачі узгодження з датчиками, виділення корисного сигналу на фоні шумів, збільшення амплітуди ЕІС (досягнення максимального коефіцієнта підсилення за напругою), передачу сигналів з допустимими спотвореннями та ін. При цьому резистори в колі колектора в схемах СЕ та СБ (рис.4.9;.4.16; 4.19) чи в колі емітера в схемі СК (рис.4.21) не являються безпосередньо навантаженням, а використовуються для формування сигналів, які передаються на вхід наступного каскаду, вхідний опір якого і є навантаженням.
Вихідні каскади – підсилювачі потужності (ПП) шляхом реалізації ефекту реле забезпечують необхідну потужність ЕІС безпосередньо в навантажені – в кінцевих пристроях (гучномовцях, технологічному обладнані та ін.). Такі пристрої працюють в режимах великих сигналів, споживають велику потужність від джерел живлення, а тому при аналізі ПП необхідно: - користуватись лише нелінійними методами (наприклад, графоаналітичним, розд.4.6.), які враховують нелінійність характеристик активних компонентів; - основними параметрами ПП слід вважати коефіцієнт нелінійних спотворень (див.8.2.) та ККД.
З електротехніки відомо, що любе джерело напруги (струму) віддає максимальну потужність в навантаження за умови, коли внутрішній опір джерела дорівнює опору навантаження. Але це справедливо лише для лінійних електричних кіл. В режимах великих амплітуд транзисторні каскади є нелінійними, а тому максимальну потужність віддають за деякого оптимального навантаження. Так як реальні навантаження ПП мають опори, які відрізняються від оптимальних, то їх підключали через узгоджувальні трансформатори. Це одночасно вирішувало проблему гальванічної розв`язки кіл.
При побудові ПП використовують такі режими роботи транзисторів: А; В; АВ. В однотактних підсилювачах в початковому стані робоча точка знаходиться на середині лінійної ділянки характеристики (рис.4.12, 4.13, точка 3). Це режим А, який забезпечує мінімальні нелінійні спотворення, але споживання енергії за відсутності ЕІС обумовлює низький ККД .
В двотактних трансформаторних та безтрансформаторних каскадах ефективно використовується режим В, коли в початковому стані обидва транзистори знаходяться в режимах відсікання, що виключає споживання енергії за відсутності вхідних ЕІС. При надходженні гармонічних або двополярних сигналів в позитивний напівперіод відкривається один транзистор, а другий знаходиться в режимі відсікання, в негативний напівперіод - навпаки. Через значну нелінійність початкової ділянки вхідних характеристик транзисторів в режимі В з`являється проміжок часу, коли один транзистор уже закрився, а другий – ще не відкрився. В результаті в гармонічних складових на навантажені формується сходинка, що суттєво збільшує нелінійні спотворення. Для виключення цього небажаного ефекту, використовують режим АВ ( точка 1, рис.4.12, що дещо зменшує максимальний ККД.
Виділяють такі основні типи ПП:однотактний каскад класу «А» з резистивним навантаженням;
Однотактний каскад класу «А» з динамічним навантаженням;
Однотактний трансформаторний каскад класу «А»;
Трансформаторний двотактний каскад класу «АВ»;
Безтрансформаторний двотактний каскад класу «АВ»:
а) на транзисторах одного типу провідності (n-p-n, або p-n-p);
б) на транзисторах протилежного типу провідності (n-p-n та p-n-p, комплементарні пари).
Однотактні каскади використовують для підсилення потужності до 3 Вт при мінімальних нелінійних спотвореннях, але з ККД не більше 25% з резистивним навантаженням та до 35 – 40% при використані трансформаторів. Максимальне значення ККД до 78% можна досягти за допомогою двотактних трансформаторних каскадів класу В.
Розробка потужних транзисторів n-p-n та p-n-p з ідентичними параметрами, а також особливості ІМС (відсутність трансформаторів) забезпечили створення безтрансформаторних ПП.
