- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
8.5 Підсилювачі постійного струму
8.5.1 Визначення та класифікація
Підсилювачі постійного струму (ППС) призначені для підсилення як постійної так і змінної складових електричних інформаційнх сигналів (періодичних або неперіодичних). Тому в таких ЕП зв`язок між каскадами повинен бути безпосереднім або за допомогою активних опорів чи інших елементів, опір яких не залежить від чистоти. Таким чином, в ППС відсутні виокремлюючі конденсатори, модель підсилювача виключає диференціюючу схему та може бути представлена лише інтегруючою схемою, в якій резистор визначається вихідним опором, а ємність відображає високочастотні властивості активного копонента, ємність навантаження та празитну ємність, як і в RC-підсилювачах. Тобто, при аналізі ППС в частотній та часовій областях можливо скористатись АЧХ та ПХ інтегруючої схеми (див.розд. 1.6.6.). Підкреслимо: відсутність виокремлюючих конденсаторів виключає низькочастотні (лінійні) спотворення і відповідно спад вершини імпульсів, але водночас створює суттеві труднощі узгодження першого каскаду ППС з джерелом ЕІС, міжкасдного зв`язку та вихідного підсилювача з навантаженням.
Для вирішення сформованих проблем реалізують два принципи побудови ППС: - ППС з безпосереднім зв`язком; - ППС з модуляцією та демодуляцією.
Для побудови ППС використовують вакуумні електронні лампи, біполярні та польові транзистори, оптоелектронні схеми і ІМС.
Безпосередній зв'язок приводить до того, що любі зміни постійної напруги на виході одного каскада, які спричинені внутрішніми та зовнішніми дестабілізуючими факторами ( температурною та часовою нестабільністю параметрів активних компонентів та резисторів, нестабільністю джерела живлення, низькочастотними шумами і завадами) сприймаються в ППС як рівноцінні діючому корисному сигналу.
Небажена зміна напруги на виході ППС за відсутності вхідного ЕІС називається дрейфом нуля підсилювача. Цей параметр визначають при закороченому вході ППС шляхом виміру зміни вихідної напруги ∆.Uвих за визначений час. Для порівняння підсилювачів між собою використовують поняття приведенного до входу дрейфу нуля едр=∆ Uвих /Кu , де Ku – коефіцієнт підсиленняППС. Значення цього параметру обмежує чутливість підсилювача – мінімальну вхідну напругу, яку можна виокремити на його виході з урахуванням дрейфів. Мінімальний вхідний сигнал, який можна виділити на рівні дрейфу, повинен бути у 2-3 рази більшим едр. Тому при розробці ППС основною задачою є зменшення дрейфу. Для цього використовують нагативний ЗЗ, включення температурнозалежних компонентів, застосування паралельно-балансовихих і диференціальних каскадів (див.розд. 6).
Важливим параметром для ППС яляється коефіцієнт пригнічення синфазної завади, який детально проаналізовано в розділі 6.
8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
Для побудови інформаційно-вимірювальних систем широко використовують аналогові інтегральні схеми, базові структури таких ІМС розглянуті в розділі 6. Вони зазвичай є ППС, тому що формування виокремлюючих та шунтівних конденсаторів великої ємності в ІМС не виконують через технологічні складності.
При проектувані та налагодженні ППС вирішують наступні питання:
узгодження джерела вхідного сигналу із входом підсилювача без зміни його режиму за постйним струмом;
узгодження навантаження з виходом ППС; - організація безпосереднього зв`язку між каскадами багатокаскадного ППС.
Д
а б в Рис.8.9.
Узгодження датчиків з вхідними каскадами
ППС:
а -
вмикання
додаткового
джерела;
б
-
використання
подільника
напруги; в.-
вмикання
двох
джерел
живлення.
На рис.8.9, в показана схема з двома джерелами живлення, яка поширена при використані ІМС. Таке вмикання джерел дозволяє забезпечити початкове положення робочої точки (UБЕ) при UБ = 0 за рахунок формування відповідного потенціалу емітера за допомогою джерела -Е. Такий варіант найприйнятніший та найзручніший.
А
налогічні
проблеми вирішуються при узгоджені ППС
з навантаженням, для чого використовують
ті ж самі способи. Найбільш поширеним
є використання двох джерел живлення
(рис.8.10 ). В початковому режимі на колекторі
встановлюється потенціал UК
= 0 (напруга між колектором та спільною
шиною), що забезпечує безпосереднє
підключення навантаження до виходу
ППС.
Розглянемо міжкаскадні зв`язки у ППС. Для цього використовують:- безпосередні (гальванічні) з`єднання (рис.8.11, а); - через стабілітрони (рис.8.11,б); - шляхом використання комплементарних пар (чергування транзисторів типу р-п-р та п-р-п, рис.8.11, в). В схемі ППС із безпосереднім зв`язком мають виконуватись такі умови: RЕ1< R Е2< RЕ3 та RК1> RК2> RК3. Оскільки коефіцієнт підсилення каскаду орієнтовно визначають за виразом КU = R K / RE, то , починаючи з третього каскаду, важко забезпечувати К3 > 1. Отже, такими зв`язками можна користатись для побудови двокаскадних ППС.
Для узгодження відносно великого потенціалу колектора попереднього каскаду з малим потенціалом бази наступного ефективно використовують спад напруги на стабілітронах (рис.8.11, б). В режимі пробою на стабілітронах спадає постійна напруга Uст. Для забезпечення такого режиму необхідно, щоб напруга джерела живлення та величини опорів резисторів RK і RE створювали необхідний робочий струм стабілітрона ( ІСТ >Imin СТ). В такій схемі зміна ЕІС передається через стабілітрон без втрат завдяки малому динамічному опору. Тип стабілітрона визначається необхідним спадом напруги. На рис.8.11,б виділено потенціали напруг на колекторі U к, базі U Б та емітері U Е. При узгоджені виходу першого каскаду зі входом другого необхідно забезпечити початковий стан транзистора Q2, тобто – відповідне значення UБЕ = UБ - UЕ. Це досягається спадом напруги на стабілітроні UБЕ=UК - UСТ . При надходженні ЕІС потенціал колектора транзистора Q1 змінюється (збільшується або зменшується). Спад напруги на стабілітроні залишається постійним, а тому зміна ЕІС на колекторі без втрат передається на базу Q2.
Е
фективним
для забезпечення міжкаскадного зв`язку
є використання комплементарних пар
транзисторів (рис.8.11,
в).
В такій схемі відсутні вимоги до
збільшення опору в колі емітера та
зменшення опору в колі колектора зі
зростанням номера каскаду, тому вона
знаходить практичне застосування, як
і схема з двома джерелами живлення.
Необхідна початкова напруга транзисторів наступного каскаду в такій схемі забезпечується відповідним спадом напруги на резисторах в колах колекторів та резисторах в колах емітерів, які попарно приєднані або до +E, або до 0. Це забезпечує переваги таких схем.
