- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
Паразитний ЗЗ завжди є небажаним і погіршує параметри ЕП. Запрограмований ЗЗ широко використвується для необхідної корекції параметрів ЕП. Розглянемо основні напрями використання позитивного та негативного ЗЗ.
Позитивний ЗЗ збільшує результуючий коефіцієт підсилення (передачі) пристроїв, але обумовлює погіршення решти параметрів та характеристик ЕП. Використовують такий ЗЗ з метою підвищення чутливості ЕП при обовязковому вирішені питань стійкості для усунення умов самозбудження, а також широко для побудови вибірних підсилювачів та генераторів незатухаючих електричних коливань.
Негативний ЗЗ зменшує коефіцієнт підсилення ЕП, що відноситься до недоліків його використання, але створює можливості для корекції та покращення якісних характеристик і параметрів пристроїв:
Зменшуються лінійні спотворення за рахунок розширення смуги частот, що відповідно зменшує спотворення форми імпульсів;
Амплітудна характеристика (рис.8.2) стає більш пологою, що обумовлює збільшення динамічного діапазону;
Нелінійні спотворення зменшуються в (1 + βКп) раз, що важливо для прикінцевих та вихідних каскадів підсилення;
Зміна вхідного опору ЕП при використані ЗЗ залежить тільки від способу його вмикання у вхідне коло і не залежить від того, яким чином підключена петля зворотного зв`язку до виходу. Вхідний опір ЕП з послідовним ЗЗ суттєво (в (1 + βКп) раз ) зростає. Такий ЗЗ створюється в емітерних (катодних, витікових) повторювачах, що дозволяє ефективно узгоджувати ЕП з датчиками, які вирізняються великим внутрішнім опором. Одночасно такий тип ЗЗ в стільки ж разів зменшує вихідний опір. Це також важлива перевага, тому що стає можливим підключити низькоомне навантаження. Наприклад, емітерні повторювачі широко використовуються для побудови безтрансформаторих підсилювачів потужності.
При створені паралельного ЗЗ, навпаки, вхідний опір зменшується, а тому такий ЗЗ доцільно використовувати обережно, враховуючи можливий вплив на режим попереднього какскаду.
Вихідний опір підсилюючого пристрою з колом ЗЗ залежить тільки від способу зняття сигналів ЗЗ (за напругою чи струмом ) та не залежить від того яким способом ці сигнали вводяться у вхідне коло ( послідовно чи паралельно). Наприклад, негативний ЗЗ за напругою в (1 + βКп) зменшує вихідний опір та не впливає на вхідний опір. Включення НЗЗ за струмом – збільшує вихідний опір.
Створення кола НЗЗ зазвичай використовують для підвищення стабільності роботи як однокаскадних так і багатокаскадних ЕП, виконаних на дискретних та інтегральних компонентах. Так, в транзисторних підсилювачах за схемою СЕ зазвичай передбачається темперетурна стабілізація за допомогою послідовного НЗЗ за струмом (розд. 4).
8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
Паразитні ЗЗ виникають в результаті індуктивних та ємнісних з`язків між елементами схеми та каскадами. Для зменшення таких з`язків використовують екранування окремих елементів схеми, головним чином вхідних кіл ЕП, де корисні інформаційні сигнали ще дуже малі. Для цього окремі елементи розміщують в екранах з металів, які мають велику провідність або велику магнітну проникливість. Послабити паразитні ЗЗ можливо раціональним консруюванням ЕП (використання екранованих провідників, рознесення кіл входа та вихода та ін.).
Звернемо увагу на ще один тип празитного ЗЗ – це небажаний з`язок через використання спільного джерела живлення ЕП. На рис.8.4 подана принципова електрична схема двокаскадного підсилювача на біполярних транзисторах зі спільним джерелом живлення +E, яке має внутрішній опір R10. Реальні джерела зазвичай мають такі опори. При надходжені вхідних сигналів на цьому опорі виділяється змінна складова головним чином від протікання змінної складової другого каскаду, що значно перевищує за величиною стуми попереднього каскаду. Розглянемо випадок за відсутності конденсатора та резистора фільтра (С1 та R5). При надходжені на вхід позитивного напівперіода на колекторі VT1 формується негативний. При цьому значний струм вихідного каскаду зменшується, а значить зменшується спад напруги на внутрішньому опорі (R10). Напруга живлення колектроних кіл зростає і у відповідній пропорції через резистор R1 позитивний сигнал поступає на базу VT1. Фаза сигнала, який виникає за рахунок використання спільного джерела живлення, співпадає з фазою вхідного сигналу. В результаті утворюється позитивний ЗЗ. За достатньої глибини ПЗЗ підсилювач самозбуджується, що недопустимо. При цьому генерація зазвичай виникає на низьких частотах, де джерело живлення має найбільший внутрішній опір (на виході джерела живлення вмикаються ємнісні фільтри, опір яких зростає зі зменшенням частоти).
Для усунення паразитних ЗЗ через джерело живлення використовують розв`язувальні фільтри, які складаються з опору R5 (вмикається послідовно з колекторним резистором першого каскаду) та конденсатора С1 ( рис.8.4). В результаті змінна складова джерела живлення відфільтровується на землю через конденсатор і не попадає в коло бази VT1.
Зниження паразитного ЗЗ через спільне джерело живлення досягається також використанням стабілізованих джерел живлення з малим внутрішнім опором (розд.10).
