- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
Такий тип ЕП широко використовують також як лінійні підсилювачі імпульсних сигналів. В даному випадку необхідно забезпечити не тільки достатній коефіцієнт підсилення, але й допустимі спотворення форми вихідних імпульсів: тривалість переднього фронту та спад вершини. Для забезпечення заданих параметрів використовують низькочастотну (зменшення спаду вершини) та високочастотну (зменшення тривалості переднього фронту) корекції імпульсів (рис.8.6.).
Крім параметрів періодичної послідовності імпульсів (частота, період ) важливими є також параметри форми імпульсів та допустимі їх спотворення. Кількісну оцінку форми вихідних імпульсів та властивостей його окремих ділянок розглянемо при надходженні на вхід ЕП імпульсу прямокутної форми (рис. 8.6,а). Параметри форми імпульсів: амплітуда імпульсу Uт, тривалість імпульсу tі, тривалість фронту tф , тривалість зрізу t3, спад вершини імпульсу ΔUт.
Амплітудою імпульсу називають найбільшу напругу (струм) імпульсного сигналу. В інформаційних імпульсних пристроях амплітуда імпульсів лежить в межах від десятих частин до сотень вольт (від частин міліампера до частин ампера).
Тривалість імпульсу визначається відрізком часу між моментами виникнення та зникнення імпульсу. Тривалість реального імпульсу виміряти важко. Її заміряють на рівні 0,1 Uт або 0,5Uт, рахуючи від основи. Тривалість імпульсу для останнього випадку називають активною тривалістю tіа, оскільки результат впливу імпульсу на електричне коло реально виявляються при досягненні ним рівня, близького до 50 %.
Тривалість фронту визначається часом зростання імпульсу, а тривалість зрізу – часом спаду імпульсу. Інтервали часу, які відповідають тривалості фронту tф та зрізу t3 імпульсу, відраховують відповідно між рівнями 0,1 Uт – 0,9Uт та 0,9 Uт – 0,1Uт. Це є активні тривалості фронту та зрізу імпульсу, які становлять 5...20 %. Чим менше відношення tф /tі; та t3 /tі, тим ближче реальна форма імпульсу до прямокутної й тим доброякісніший процес обміну інформацією в імпульсних пристроях. Тривалість переднього фронту імпульсу між рівнями 0.05 та 0.95 Uт майже співпадає з тривалістю повного заряду ємності вихідної інтегруючої схеми tф ~ 3τ.
Спад вершини імпульсу ΔUт відбувається за наявності виокремлюючих конденсаторів, а відтак - вхідної диференціюючої схеми зі сталою часу τ Н. Іноді замість абсолютного визначають відносний спад ΔUт /Uт. Враховуючи зв`язок форми вихідного сигналу з процесом заряду виокремлюючої ємності UВИХ = U ВХ - UС , можна констатувати, що за тривалості вхідного імпульсу, за якої ємність диференціюючої схеми повністю зарядиться( tі ~ 3τ) , амплітуда вихідного імпульсу зменшується до нуля, тобто маємо 100% спад вершини. Бажано, щоб спад був по можливості якнайменший. У деяких імпульсах (експоненцiйних, трикутних та ін.) плоска вершина відсутня, і в точці вершини фронт переходить одразу в зріз.
RC -підсилювачі відносяться до ЕП попереднього підсилення, а тому їм притаманні дві такі особливості: вони обробляють сигнали малої амплітуди, тобто працюють в режимі малих амплітуд, що дозволяє для розрахунків та аналізу використовувати лінійні методи; - навантаженням попереднього каскаду є вхідний опір наступного, що обумовлює специфіку керування електронними потоками. Зупинимось на цьому детально.
В першому розділі при пояснені принципу підсилення потужності ( принципу реле ) навантаження вмикається послідовно з джерелом живлення безпосередньо. Потужність, що поступає в навантаження керується опором послідовного резистора (лампи, транзистора), чи контактами реле (рис.1.6.). В RC-підсилювачах такий підхід може бути використаним лише для останнього вихідного каскаду, коли навантаженням є резистор R9 , а також при розрахунках та аналізі вихідних (кінцевих) підсилювачів – підсилювачів потужності (розд.8.7).
Підсилювачі попереднього підсилення вирішують задачу підвищення амплітуди ЕІС, які поступають на вхід наступного каскаду. Це досягається шляхом керування електронними потоками від джерел живлення через управління опорами резисторів за законами зміни вхідних ЕІС. Вихідна напруга формується безпосередньо на транзисторах UВИХ = UКЕ = Ec –IсRc. Керований опір (опір лампи, транзистора) використовується для управлення струмом від джерела живлення таким чином, що при максимальному сигналі на вході створюється максимальний струм і відповідно максимальний спад напруги на резисторах в колах колекторів. В результаті на виході формується мінімальна амплітуда ЕІС. Навантаженням каскадів є вхідний опір наступного каскаду, а резистори в колі колекторів використовуються для формування спаду напруги. Вони виконують функції резистора R1 в схемі подільника напруги (див.1.6.2.), а співвідношення rТР / (rТР + Rc) визначає рівень амплітуди вихідного сигналу, потужність якого значно перевищує потужність вхідних ЕІС. Аналогічно відбувається формування сигналів в схемах зі СБ. В схемах зі СК як резистор подільника напруги R1 слід розглядати опір транзистора rТР, а рівень вихідного сигналу визначати співвідношенням RЕ / (rТР + RЕ). При цьому слід зауважити, що виділені співвідношення описують процеси формування вихідних сигналів лише за умови, коли RВХ ( n+1) >> RВИХ n. В протилежному випадку порушується режим попереднього каскаду, як це показано при досліджені подільника напруги ( розд.1.6.2.). В багатьох випадках для виключення таких проблем як узгоджувальні використовують емітерні повторювачі. Зокрема, зазвичай, їх вмикають на вході та виході функціональних багатокаскадних вузлів. Для вирішення таких проблем широко використовуються також операційні підсилювачі завдяки їх великому вхідному опору та одночасно – малому вихідному (розд.6.6.3).
