- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
Ц
е
найбільш поширений клас підсилювачів.
Їх називають RC-підсилювачами
(рис.8.4.). Особливістю таких підсилювачів
є наявність виокремлюючих
конденсаторів
між джерелом ЕІС та першим каскадом,
між каскадами, між кінцевим підсилювачем
і навантаженням. Такий міжкаскадний
зв`язок
створює суттєві переваги для забезпечення
необхідного режиму активних компонентів
за постійним струмом. Кожний каскад в
такому режимі розраховується окремо,
що дозволяє оптимізувати початковий
стан підсилювача. Так, при підсилені
гармонічних та біполярних імпульсних
сигналів за допомогою подільників
напруги R1
-
R2
та
R
6
-
R7
(зміщення за напругою) забезпечується
початковий стан транзисторів VT1
та
VT2
на
середині лінійної ділянки характеристик
(активний режим). Для лінійного підсилення
однополярних сигналів без взаємного
впливу один каскад налаштовується на
режим відсікання, а наступний – в режим
насичення, або навпаки в залежності від
полярності вхідних сигналів.
В той же час наявність виокремлюючих конденсаторів створює відповідні проблеми для передачі ЕІС з допустимими спотвореннями. Такі конденсатори та вхідний опір каскаду створюють диференціюючу схему, яка обумовлює спад АЧХ аж до нуля в області нижніх частот , а в підсилювачах імпульсних сигналів – спад вершини імпульсів (розд.1.6.5.). При цьому як вхідний опір необхідно розглядати паралельне вмикання за змінним струмом резисторів подільників зміщення та вхідних опорів транзисторів ( rБЕ1, rБЕ2 ). Таке ствердження справедливе тому, що через великі ємності конденсаторів фільтра та джерела живлення резистори R1 та R6 за змінним струмом приєднуються до спільної точки ( до землі). Таким чином, RC-підсилювачі з достатньою точністю в області низьких частот можливо моделювати диференціюючою схемою та віднести до них всі висновки щодо частотних спотворень та спаду вершини імпульсів, викладені в розділі 1.10.
Звертаємо увагу також на наступне. З метою зменшення впливу зміни температури на параметри ЕП, широко використовуються елементи термостабілізації. В поданій схемі такими елементами є резистори R4 та R8 , наявність яких створює послідовний внутрішньокаскадний негативний зворотний зв`язок за струмом, а відтак дещо стабілізує положення робочої точки. Температура змінюється повільно, а тому такий зв`язок повинен діяти лише за постійним струмом. Негативний зворотний зв`язок зменшує коефіцієнт підсилення корисного ЕІС. Щоб це виключити вказані резистори шунтують конденсаторами C4 та C5 великої ємності (десятки мкФ) і таким чинок виключають зменшення коефіцієнта передачі в робочому діапазоні частот. Але в області низьких частот, коли опір цих конденсаторів зростає, їх шунтувальна дія падає, що доповнює спад АЧХ, викликаний наявністю виокремлюючих конденсаторів.
8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
Викладене вище дозволяє при проектуванні та налаштовуванні ЕП враховувати вплив окреслених компонентів на нижню межову частоту та допустимий спад вершини імпульсів при аналізі в області низьких частот та великих тривалостей. Спотворення імпульсів за різних співвідношень сталої часу диференціюючої схеми та тривалості імпульсів, які подані на рис.1.18 та 1.19 можуть бути використані при аналізі RC-підсилювачів.
Властивості ЕП в області великих частот та малих тривалостей можуть бути проаналізовані шляхом моделювання та дослідження інтегруючої схеми зі сталою часу, ємність якої формується частотними властивостями транзисторів, ємністю навантаження (вхідною ємністю наступного каскаду) та паразитними ємностями. Опір резистора інтегруючої схеми – це вихідні опори попереднього каскаду, за які можна прийняти з невеликими похибками опори резисторів R3 та R9. Таким чином, для аналізу RC-підсилювачів, їх АЧХ та ПХ можна скористатись матеріалом, викладеним в розділі 1.6.5; 1.6.61. Частотні спотворення та тривалість переднього фронту імпульсів в залежності від співвідношення сталої часу та тривалості імпульсів, результуюча АЧХ та відповідна ПХ RC-підсилювача показані на рис.1.19 та 8.5.
Моделювання, аналіз та налаштовування RC-підсилювачів, зазвичай проводять за постійним струмом, в частотній та часовій областях. В розділах 4.6.та 4.12.1.1. графоаналітичним методом виконано розрахунок однокаскадного ЕП за постійним струмом.
Наявність виокремлюючих конденсаторів дозволяє скористатись описаною методикою для визначення номіналів резисторів подільників зміщення кожного каскаду незалежно. При цьому можливо забезпечити необхідний початковий режим транзисторів (насичення, відсічки або активний) в залежності від полярності вхідних ЕІС.
Наступним кроком стає вирішення двох задач з метою оцінка спроможності вказаної схеми підсилювати ЕІС з допустимими спотвореннями: - яким чином можливо досягти передачу ЕІС з заданою смугою частот Δƒ = ƒв.гр. – ƒн.гр, що встановлюється в процесі проведення досліджень в частотній області; - яку мінімальну та максимальну тривалість імпульсів може підсилювати ЕП з допустимими спотвореннями, що визначається дослідженнями в часовій області. Для вирішення конкретних задач корекції АЧХ та ПХ доцільно скористатись методиками дослідження диференціюючих та інтегруючих схем, описаних в розд.1.6.5 та 1.6.6.
С
лід
звернути увагу на те, що результати
дослідження в частотній та часовій
областях пов`язані між собою: -
високочастотна область АЧХ - це область
малих тривалостей ПХ; – низькочастотна
область АЧХ - це область великих
тривалостей ПХ (рис.8.5.). Оволодіння цим
матеріалом дозволить при проектуванні
та налаштуванні RC-підсилювачів
професійно приймати рішення з метою
досягнення параметрів, сформованих в
технічному завдані.
