- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
В радіоелектроніці для оцінки послаблення або підсилення потужностей, напруг і струмів широко застосовуються відносні та логарифмічні коефіцієнти, які дозволяють оцінити передачу ЕІС зі входу на вихід ЕС. Ці величини відносні (безрозмірні) і використовуються для порівняння двох однойменних величин.
Поряд з відносними коефіцієнтами широко використовують логарифмічний коефіцієнт передачі - децибел (дБ). Це специфічна одиниця, не подібно ні до одної, з якими зустрічаємось у повсякденній практиці. Децибел не фізична величина, а математичне поняття. Вони безрозмірні та використовуються для порівняння двох однойменних величин, в принципі самих різноманітних, незалежно від природи. В подальшому термін «децибел» будемо використовувати для оцінки коефіцієнтів передачі пристроїв та ЕС в цілому за потужністю, напругою та струмом. Як показує приставка «деци» ця одиниця складає десяту частину іншої, більшої одиниці – бела. Бел - це десятковий логарифм відношення двох потужностей Наприклад, якщо потужність на вході підсилювача позначити Р1, потужність на його виході Р2, то підсилення потужності в белах визначається:
КБ = lg(Р2/ Р1) [Б].
Для практичного застосування бел занадто велика величина, і навіть великі відношення потужностей фіксуються невеликим числом бел. Наприклад, якщо у відносних величин маємо К= Р2/ Р1 =100, то в белах К= lg100 = 2Б, для Р2/ Р1 =1000 маємо lg1000= 3Б, тобто любі відношення потужностей в межах від 100 до 1000 будуть відображатись зміною в межах одного бела. Для більш зручного обчислення та фіксації використовується децибел, а відтак для наведених значень одержуємо зміну логарифмічного коефіцієнта в межах від 20дБ до 30дБ. При цьому К дБ = 10 lg(Р2/ Р1).
Приймальний пристрій нерідко повинен забезпечувати посилення потужності в 1012—1014 разів. Це відповідає посиленню на 60—70 дБ. При послідовному вмиканні підсилювачів загальне підсилення у відносних одиницях дорівнює добутку коефіцієнтів підсилення окремих каскадів, а загальне підсилення в децибелах рівне сумі підсилень окремих каскадів (в децибелах).
У радіоелектроніці найчастіше вимірюються не потужності, а напруги за допомогою електронних вольтметрів. Відомо, що потужності пропорційні квадратам напруг або струмів, тому відношення двох напруг, або струмів (в децибелах) можна подати як Ки = 20 lg (U2/U1 ); КІ=20 lg (I2/I1).
У
децибелах прийнято вимірювати не тільки
посилення, але і
ослаблення.
В даному випадку перед числом децибел
стоїть знаку мінус.
Якщо
при цьому знак мінус чогось упущений,
то передбачається, що замість відношення
U2/U1
під
знаком логарифма стоїть
зворотне відношення U1/U2.
Коефіцієнти підсилення не залишаються сталими в широкій смузі частот. АЧХ може мати спад в області нижніх та верхніх частот (рис.1.9).
Співвідношення між відносними та логарифмічними одиницями подані в таблиці 1.1.
Як приклад на рис.1.9 подана АЧХ найбільш поширених підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком (RC- підсилювачів), які мають спад коефіцієнта передачі як в області нижніх (fн), так і в області верхніх (fв) частот.
В таблиці 1.1.подані відносні коефіцієнти передачі та відповідні їм значення коефіцієнтів передачі за потужністю та напругою в дБ.
Таблиця 1.1.
Б |
U2/U1 |
Р2/ Р1 |
Б |
U2/U1 |
Р2/ Р1 |
Б |
U2/U1 |
Р2/ Р1 |
0 |
1 |
1 |
1,2 |
1,15 |
1,32 |
12 |
3,98 |
15,8 |
0,1 |
1,01 |
1,02 |
1,5 |
1.19 |
1.41 |
15 |
5,62 |
31,6 |
0,2 |
1,02 |
1,05 |
2 |
1,26 |
1,56 |
20 |
10 |
100 |
0,3 |
1,03 |
1,07 |
3 |
1,41 |
≈2 |
30 |
31,6 |
103 |
0,4 |
1,05 |
1,10 |
4 |
1,58 |
2,51 |
40 |
102 |
104 |
0,5 |
1,06 |
1.12 |
5 |
1,78 |
3,16 |
50 |
316 |
105 |
0,6 |
1,07 |
1,15 |
6 |
≈2 . |
≈4 |
60 |
103 |
106 |
0,7 |
1,09 |
1,18 |
7 |
2,24 |
5,01 |
70 |
3160 |
107 |
0,8 |
1,10 |
1,20 |
8 |
2,51 |
6,31 |
80 |
I04 |
108 |
0,9 |
1,11 |
1,23 |
9 |
2,82 |
7,94 |
90 |
3,16*104 |
109 |
1.0 |
1,12 |
1,26 |
10 |
3,16 |
10 |
100 |
105 |
1010 |
При
визначенні межових частот за висхідну
величину беруть максимальний коефіцієнт
передачі
(в області середніх частот). Якщо
користуються відносними одиницями, АЧХ
нормують
(
),
де
коефіцієнт підсилення на заданій частоті
Тоді в області середніх частот К = 1, а
межові частоти визначають при зменшенні
коефіцієнта
передачі до рівня 0,5
при підсиленні потужності, або до рівня
0,707 при підсиленні напруги чи струму.
Такий спад коефіцієнтів передачі
відповідає спаду на – 3 дБ.
Ці цифри визначають верхню та нижню межові частоти електронних пристроїв, в діапазоні яких інформаційний сигнал передається з допустимими частотними (лінійними) спотвореннями.
При використанні логарифмічного масштабу спочатку визначають коефіцієнт передачі в децибелах в області середніх частот (на рис. 1.10 це 30 дБ), а потім визначають межові частоти, на яких коефіцієнт передачі спадає на – 3дБ (на рис. 1.10 це 27дБ).
Спроможність радіоелектронного функціонального пристрою передавати та обробляти ЕІС з заданими похибками оцінюють за допомогою встановленого Державними стандартами переліку параметрів та характеристик. Нижче зупинимось лише на частотних та перехідних характеристиках. По-перше, вони інформативні, охоплюють ряд показників. По-друге, дозволяють при вивчені різноманітних функціональних вузлів оцінити вплив окремих компонентів на роботу та параметри пристроїв.
Елементарні вузли (електронні підсилювачі) та більш складні пристрої з метою аналізу в частотній та часовій областях можна моделювати за допомогою відповідного включення диференціюючих та інтегруючих схем. Пропоную ретельно вивчити й проаналізувати характеристики таких схем. Вони розглядаються в розділах 1.6.4, 1.6.5 та 1.6.6. Вирішивши цю задачу, одержите потужну базу для оволодіння наступним матеріалом та неформального вивчення складних пристроїв і систем.
