- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
7.5 Поточний самоконтроль
7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
1. Сформувати модель лабораторного стенда для дослідження світлодіода (рис.7.15).Дослідження провести з наступною метою:
Ознайомлення з різновидами світлоіндікаторів, побудованих на базі напівпровідникових світло діодів.
Набуття навиків узгодження опору індикаторів при підключені до пристроїв з високим вихідним опором.
Набуття навиків вмикання світлодіодів в стуктури оптоелектронних пристроїв та забезпечення їх оптимального режима роботи з генераторами струму.
В лабораторному стенді використовуються: - одноточковий сигнальний індикатор X 1, активація якого свідчить про підключення джерела живлення; - багаторозрядні цифрові мікроамперметри (U2, U3, U5 DC 1e-0.09); -багаторозрядні цифрові вольтметри (U1, U4 DC 10 MOhm)) та вольтметр U5 (DCD BARGRAPH), за допомогою якого рівень напруги фіксується числом активованих сегментів. Діапазон виміру напруги цього індикатора необхіднозмінити з 10 В на 2 В. Всі згадані оптоелектронні прилади розміщені в бібліотеці панелі індикаторів. Слід звернути особливу увагу на наступне. При одержані цього індикатора з бібліотеки компонентів MS в ньому установлено значення внутрішнього опору 500 Ом.
Д
ля
проведення першого експеримента залишіть
це значення. В даному випадку паралельно
світлодіоду
LED1,
опір якого становить біля 400 Ом,
підключається
опір 500 Ом. Це суттєво змінює коефіцієнт
передачі подільника напруги (див. 1.6.2).
Вхідний струм (фіксується U2)
розділяється на струм діода
ІД
та струм ІВ,
що небажано споживається вольтметром
U6.
Це приклад грубого порушення вимог
міжкаскадного зв’язку (RВИХ>>
RВХ).
Спробуйте забезпечити режим випромінювання
діода, змінюючи положення движків
потенціометрів R1
та R3.
В такому стані схеми не забезпечується
необхідний стум діода. Випромінювання
відсутнє. Вказаний опір вольтметра може
бути використаний при підключені до
навантаження, опір якого не перевищує
50…70 Ом, тому для проведення подальших
дослідів необхідно відкрити передню
панель U6
(подвійна
ліва кнопка миші) та виставити опір 500
кОм і діапазон вимірів напруги 2 В.
В такому режимі стум ІВ майже відсутній ( 3.775 мкА). Режим схеми не порушується.
Дослідити залежність струму діода від напруги джерела живлення, коли R3 = 0 ( 0%). Для цього використовується потенціометр R1, опір якого значно менший опору резистора R2. Відтак, маємо генератор напруги (1.6.3). Для фіксації рівня напруги використовується вольтметр U1, струму діода - міліамперме U3. Зафіксувати пороговий струм діода, за якого виникає випромінювання.
Дослідит залежність струму діода від опору потенціометра R3 при постійній напрузі на вході 10 В.Зафіксувати пороговий струм діода, за якого виникає випромінювання.
2. Побудувати модель підсилювача на базі транзисторної оптопари (рис.7.16). Проаналізувати подану схему та пояснити призначення компонентів.
Провести дослідження схеми за постійним струмом.Для цього доповнити схему джерелом напруги 5 В з потенціометром 50 Ом, до якого приєднати резистор R 1. У вхідне коло включити вольтметр U1 та міліамперметр U2 (див. рис.7.15). У вихідне коло (коло колектора транзисторої опт опари) вмикнути мікроамперметр та вольметр
Д
ослідити
залежність вихідної напруги та струму
від вхідного струму та вхідної напругиї.
Зафіксувати початковий поровий вхідний
струм (початок впливу вхідного струму
на вихідний) Побудувати характеристики,
визначити коефіцієнти підсилення за
струмом та напругою.
Змінюючи значення вхідної напруги перевести підсилювач в активний режим, коли UВИХ = ЕС /2 = 6 В.(див.4.13.1.).
Через відокремлювальний конденсатор ємністю 20 мкФ до входу підсилювача підключити функціональний генератор XFG1 та перевести його в режим формування гармонічного сигналу частотю 1 кГц.
Встановити на виході генератора амплітуду сигналів, за якої на виході підсилювача формується гармонічний сигнал з мінімальним спотворенням. Включити в схему вимірювач АЧХ (Bode Plotter)/ Провести дослідження підсилювача в частотній області. Визначити нижню та верхню межові частоти і коефіцієнт підсилення при зміні опору резистора R2(500 Ом; 3 кОм; 5 кОм).
Дослідити підсилювач (рис.7.16.) в часовій області. Визначити тривалість переднього фронту імпульсу.
3
.
Побудувати модель підсилювача на базі
транзисторної оптопари з електричним
та оптичним керуванням (рис.7.17).
Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
