- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
Оптрон – це оптоелектронний прилад, який складається з одного або декількох випромінювачів та приймачів випромінювання, між якими є оптичний зв’язок і забезпечена електрична ізоляція. Найпоширенішими оптронами є оптопари, що складаються з одного випромінювача і одного приймача (однієї пари). Конструктивно оптопари містяться у спільному корпусі і являють собою одне ціле (рис. 7.11).
Як випромінювачі в оптопарах використовують інфрачервоні випромінювальні діоди, світлодіоди, електролюмінесцентні порошкові або плівкові випромінювачі, а також напівпровідникові лазери. Найпоширенішими є інфрачервоні випромінювальні діоди, які відрізняються від світлодіодів та електролюмінесцентних випромінювачів більшим ККД (понад 10 %), а також простотою структури та керування.
Д
ругим
елементом оптопари – фотоприймачем –
можуть бути фоторезистори, ФД,
фототранзистори (біполярні та польові),
фототиристори. Залежно від типу
фотоприймача розрізняють резистивні,
діодні, транзисторні і тиристорні
оптопари. Приклади схемного позначення
різних оптопар показано на рис. 7.12.
Оптичне середовище розповсюдження сигналу від випромінювача до приймача являє собою оптично прозорий компаунд (клей) на основі полімерів або халькогенідного скла . Для одержання надійної електричної ізоляції виходу від входу (приймача від випромінювача) використовують волоконно-оптичні лінії зв’язку. Такий оптоелектронний напівпровідниковий прилад називають волзтроном.
Підсилюють і перетворюють вхідний електричний сигнал в оптопарах таким чином. Вхідний електричний інформаційний сигнал модулює потужність світлового потоку, який генерується випромінювачем оптопари. Через прозорий компаунд випромінювання попадає на світлочутливий елемент фотоприймача і керує його провідністю, яка вмикається в коло зовнішнього джерела живлення послідовно з навантаженням (рис. 7.13). Формування вихідного сигналу та реалізацію принципу реле розглянуто в розд. 4 (див. рис. 4.13, 4.14).
У
діодних оптопарах з надходженням на
вхід оптопари електричного сигналу на
виході формується фото-ЕРС. Перетворення
«сигнал – сигнал» за допомогою оптопар
дозволяє в широких межах зміщувати
рівень постійної напруги між входом і
виходом оптопари. Необхідно лише
враховувати рівень ізоляції між
випромінювачем і приймачем та допустиму
різницю напруг між ними. Такі параметри
наводяться в довідниках для конкретних
типів оптопар.
Для створення надійного оптичного зв’язку між елементами оптопари, крім їх відповідного розташування, необхідно забезпечити найближчий збіг спектральних характеристик цих елементів. Так, світлодіоди на основі арсеніду галію AsGa та арсеніду фосфіду галію GaAsP спектрально узгоджені з кремнієвими фотоприймачами.
Система параметрів оптронів ґрунтується на системі параметрів оптопар, використовуваних в оптроні, і складається із чотирьох груп: вхідних, вихідних, передавальних параметрів та параметрів гальванічної розв’язки.
Вхідні параметри – це параметри випромінювача (вхідна напруга, максимально допустима зворотна вхідна напруга, номінальний струм та максимально допустимий вхідний струм).
Вихідні параметри – це параметри фотоприймача (максимально допустимі зворотна напруга та вхідний струм, світловий і темновий опори, залишкова напруга та вихідна ємність).
До передавальних параметрів належать статичний коефіцієнт передачі струму (Iвих/Iвх), тривалість умикання, ємність зв’язку (між входом та виходом оптрона).
Параметри гальванічної розв’язки є найважливішими параметрами оптронів. Саме вони визначають доцільність використання таких приладів. До них належать максимально допустимі пікова та постійна напруги між виводами входу і виходу та опір гальванічної розв’язки (опір між виводами входу і виходу оптрона).
Найважливіші позитивні якості оптронів:
немає електричного зв’язку між входом і виходом та зворотного зв’язку між фотоприймачем і випромінювачем; опір ізоляції між входом і виходом може досягати 1014 Ом; прохідна ємність не перевищує 2 пФ, а в деяких приладах знижується до малих часток пікофаради;
широка смуга частот: можливість передачі сигналів із частотою від нуля до 1014 Гц;
можливість керування вихідними сигналами дією на оптичну частину;
високий завадозахист оптичного каналу, тобто він не піддається впливу зовнішніх електричних полів;
можливість суміщення в РЕА з іншими напівпровідниковими, електровакуумними та мікроелектронними приладами.
Оптронам властиві такі недоліки:
відносно велика потужність, що споживається приладами за рахунок дворазового перетворення енергії, причому ККД таких перетворень невисокий;
невисока температурна стабільність та радіаційна стійкість;
помітне «старіння», тобто погіршення параметрів з плином часу;
порівняно високий рівень власних шумів;
потреба у використанні гібридної технології замість більш зручної і досконалої планарної (в одному приладі об’єднані джерело і приймач випромінювання, що виготовляються з різних напівпровідників).
Усі ці недоліки усуваються в процесі розвитку оптоелектронної техніки. Промисловість випускає широку номенклатуру оптронів різного типу.
Особливу конструкцію мають оптопари з відкритим оптичним каналом. У них між випромінювачем та фотоприймачем є повітряний проміжок (рис. 7.14, б), в якому може рухатися перфострічка або інший носій інформації з отворами. Це дозволяє керувати світловим потоком, що широко використовується в системах автоматики.
В
іншому варіанті оптопар з відкритим
каналом світловий потік випромінювача
попадає у фотоприймач, відбиваючись
від досліджуваного об’єкта (рис. 7.14,
в). Такий прилад називають відбивним
оптроном.
Висока електрична ізоляція входу і виходу в оптронах дозволяє за допомогою низьких напруг керувати високими (сотні кіловольтів) напругами; при цьому різко підвищуються комутаційні можливості складних інформаційних систем, просто узгоджуються електричні кола, які працюють на різних частотах, підвищується їх завадостійкість і т. ін.
Оптоелектронні інтегральні мікросхеми. Обов’язковою частиною таких мікросхем є оптопара. Залежно від потрібної швидкодії обробки аналогових або цифрових сигналів від потужності на виході та від інших вимог як фотоприймальний елемент оптопари використовують один з перерахованих вище елементів. Кожний з них має свої переваги та недоліки, які визначають можливості й обмеження оптоелектронної ІМС. Зазвичай між виходом оптопари та виконавчим пристроєм вмикається узгоджувальна електронна схема. Під час використання інтегральної технології додаткове ввімкнення такої узгоджувальної схеми, об’єднаної з оптопарою у спільному корпусі, не створює принципової складності. Але завдяки наявності оптичного зв’язку оптоелектронні ІМС, як і дискретні оптопари, мають ряд суттєвих переваг.
Для передачі інформації по оптичному каналу зв’язку можуть бути використані зміни напряму, інтенсивності, спектрального складу, поляризації або фази коливань. Це відкриває можливості для паралельної обробки інформації.
