- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
7.2 Джерела оптичного випромінювання
7.2.1 Люмінесценція
Найпоширенішими напівпровідниковими джерелами оптичного вимірювання є електролюмінісцентні індикатори, світлодіоди та лазери.
Принцип дії таких напівпровідникових приладів ґрунтується на властивостях деяких напівпровідників створювати електромагнітне нетеплове випромінювання, тривалість якого значно перевищує період світлових коливань. Таке явище називають люмінесценцією. Отже, на відміну від світіння розжарених тіл для люмінесценції не потрібне нагрівання. Крім того, люмінесценція продовжується ще деякий час після вимкнення збуджувальної енергії. Якщо цей час більший ніж 10–3 c, явище називають фосфоресценцією, а якщо менший – флюоресценцією. Люмінесценція має два основні етапи. На першому етапі в них під дією збуджувальної енергії відбувається генерація носіїв заряду, на другому – генеровані носії заряду рекомбінують. Енергія, яка виділяється, перетворюється або в оптичне випромінювання, або в теплоту.
Для виникнення люмінесценції в напівпровіднику його атоми мають бути виведені із стану термодинамічної рівноваги, тобто бути збудженими. Залежно від зовнішніх чинників, що зумовлюють збудження атомів, розрізняють: електролюмінесценцію (електричним полем); катодолюмінісценцію (бомбардуванням напівпровідника електронами); фотолюмінесценцію (освітлюванням) тощо.
Акти поглинання енергії напівпровідником та випромінювання квантів світла, які властиві люмінесценції, розподілені в часі (а можливо і в просторі) проміжними процесами, внаслідок чого світіння напівпровідника триває навіть після припинення збудження.
Випромінювальна рекомбінація носіїв заряду може відбуватися мимоволі (спонтанно) або вимушено (індуковано). Спонтанне випромінювання є некогерентним (неорганізованим) і забезпечує розподіл енергії в широкому частотному діапазоні (спектрі). Індуковане випромінювання є монохроматичним або когерентним (організованим). Для цього використовують лазери
Основними характеристиками джерела світла в оптоелектронному колі є залежність яскравості від керувальної напруги або струму В = f(U, I), а також від довжини хвилі висвічування В = f(λ). Це яскравісна та спектральна характеристики.
Важливою характеристикою джерела світла є також діаграма напрямленості В = f(Q), яка визначає залежність яскравості від кута у просторі Q, відрахованого відносно осі джерела.
7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
Структуру електролюмінесцентного індикатора показано на рис. 7.2. Конструктивно такий прилад виготовляють у вигляді конденсатора, діелектриком якого служить люмінофор.
Як люмінофор використовують сполуку цинку і кадмію із сіркою та селеном і, особливо, сульфід цинку ZnS, активований домішками міді, алюмінію, марганцю. Під дією наростаючого електричного поля атоми домішок переходять у збуджений стан, а зі зменшеням поля частина енергії, яку вони поглинули, випромінюється у вигляді квантів світла. Світлове випромінювання сульфіду цинку залежно від типу та кількості введеного в нього активатора знаходиться в діапазоні довжин хвиль від 0,45 (голубе світло) до 0,6 мкм (жовто-оранжеве світло).
Я
скравість
залежить від частоти f
та амплітуди напруги накачування Uнак..
Для одержання достатньої яскравості
(30...40 кд/м2)
необхідна напруга амплітудою не менше
ніж 220...250 В при частоті 400 Гц...10 кГц.
При цьому споживається потужність до
30 мВт на кожний квадратний сантиметр
випромінювальної поверхні.
Простота побудови електролюмінесцентних конденсаторів зумовила їх широке використання в системах відображення інформації.
Промисловість випускає різні типи електролюмінесцентих індикаторів з габаритними розмірами області люмінесценції від 1115 до 116176 мм. Найпоширенішими є літерно-цифрові електролюмінесцентні індикатори, в яких знаки та цифри синтезуються з різних комбінацій збуджених сегментів, зазвичай їх 7, 8, 9. Для висвічування всіх цифр і букв українського та латинського алфавітів створено індикатор з 19 сегментами. Для відображення статичної та квазістатичної інформації на великих екранах за допомогою електролюмінесцентних індикаторів створюють мнемосхеми, на яких висвічуються схеми, карти, різні об’єкти. Залежно від ситуації їх можна доповнювати літерами, цифрами, особливими мнемонічними знаками (сектором, стрілкою та ін.). За допомогою відповідної комутації виводів можна змінювати колір знака або поля.
На основі електролюмінесцентних індикаторів створено багаторозрядні табло, а також точково-растрові індикаторні панелі з роздільною здатністю понад 10 рядків на 1 см із загальною кількістю рядків понад 700. Електролюмінесцентні індикатори застосовують як джерела світла в оптронах. Довговічність таких приладів – від 1000 до 5000 год.
Недоліком електролюмінесцентних індикаторів є потреба в потужному джерелі накачування підвищеної частоти, а також значна інерційність (10–3 с); це обмежує їх застосування у функціональних колах оптоелектроніки.
Електролюмінесцентні плівкові випромінювачі відрізняються від електролюмінесцентних порошкових тим, що в них між двома електродами знаходиться однорідна полікристалічна плівка електролюмінофора, яка створюється термічним випарюванням у вакуумі. Оскільки в таких індикаторах немає діелектричної зв’язки в електролюмінофорі, вони можуть працювати і на постійному струмі. Товщина плівки – мала. Тому робочі напруги таких випромінювачів становлять 25...30 В. Малі розміри окремих кристалів люмінофора забезпечують більшу роздільну здатність.
Електролюмінесцентні плівкові індикатори поступаються електролюмінесцентним порошковим за економічністю, терміном служби і мають значний розкид параметрів. Роботи з вдосконалення електролюмінесцентних індикаторів продовжуються і спрямовані, зокрема, на створення на їх базі твердотільних аналогів кольорових електронно-променевих приладів.
