- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
6.7 Поточний самоконтроль
6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
1. Побудувати модель масштабного підсилювача (рис. 6.18) та дослідити зміни коефіцієнта підсилення і верхньої межової частоти при збільшенні опору зворотного зв`язку в 50 та 100 разів.
Д
ля
цього змінювати опір потенціометра
R2
, виставляючи 20 кОм, 50 кОм, 90 кОм.
При
цьому за допомогою вимірювача АЧХ
визначити відповідні величини верхніх
межових частот. Зробити висновки відносно
зміни коефіцієнта підсилення та значення
межової частоти.
2. Побудувати модель суматора (рис.6.19, а). Розрахувати та експериментально підібрати частоти та амплітуди вхідних інформаційних сигналі з метою синтезу вихідного сумарного сигналу, осцилограма якого показана на рис.6.19, б (внизу). Співвідношення між значеннями частот функціональних генераторів доцільно вибрати таким: f, 10 f , 50 f. Дослідити форму осцилограми сумарного сигналу, послідовно змінюючи частоти генераторів та зберігаючи вказані пропорції.
3
.
Побудувати модель та дослідити
диференціатор (рис. 6.20). На виході
функціонального генератора сформувати
гармонічний сигнал частотою 30 кГц,
амплітудою 1 В.Чутливість каналу
А осцилографа
виставити
на рівні 500мВ/под..каналу
Б
– 50
В/под.
Тривалість розгортки 20 кс/под. .Сумістити осцилограми вхідних та вихідних сигналів рис.6.21,а), За допомогою візірних лінійок визначити зсув сигналів за фазою, враховуючи постійний зсув за фазою при інвертувальному вмиканні.
П
ри
підсилені сигналів за допомогою
масштабного підсилювача (за інвертувального
вмикання ОП) на виході формується
гармонічний сигнал зі зсувом за фазою
1800.
При цьому максимуму позитивної напівхвилі
вхідного сигналу відповідає максимум
негативної хвилі вихідного сигналу. В
диференціаторі (рис 6.21-а)
максимум
негативної напівхвилі вихідного сигналу
відстає від максимума позитивнвої
напівхвилі вхідного на 900.
При надходженнні синусоїди на виході
формується косинусоїда, тобто перша
похідна вхідного сигналу Зверніть увагу
на те, що вихідний сигнал за фазою
опереджає вхідний на 900.
Таким чином, на виході одержують першу
похідну вхідного сигналу.
Переключити генератор в режим формування прямокутних імпульсів частотою 30 кГц, амплітудою 1 В та 20% заповненням. Чутливість каналів А та В осцилографа відповідно 2 та 10 В/под.
Одержати та проаналізувати осцилограми, що подані на рис.6.20,б, враховуючи інверсію сигналів при інвертувальному вмиканні.
4. Побудувати модель та дослідити інтегратор на ОП (рис.6.22).
Н
а
виході функціонального генератора
сформувати гармонічний сигнал частотою
100 кГц, амплітудою 20 мВ, чутливість
каналів
А
та В
осцилографа
10 мВ/ под..
та 2 мВ
/под..
відповідно, тривалість розготоки 5 мкс/
под.
Проаналізувати осцилограми вхідного (рис.6.23, а -1) та вихідного (рис.6.23-б-2) сигналів. В інтеграторі максимум негативної напівхвилі вихідного сигналу опереджає максимам позитивнвої напівхвилі вхідного на 900.При надходженнні косинусоїди на виході формується синусоїда, тобто перша похідна вхідного сигналу.
П
еревести
функціональний генератор в режим
формування імпульсних сигналів.
Встановити параметри вхідних сигналів:
частота 500 Гц, амплітуда 1 В, заповнення
10%. Чутливість каналів А
та
В
осцилографа 2В/под.,
20 В/под..,
тривалість розгортки 200 мкс/
под.
Дослідити залежність амплітуди та форми вихідних сигналів від зміни проценту заповнення імпульсів в межах 5…30%.(рис.6.23,б).
5
.
Дослідити ефективність використання
емітерного повторювача для узгодження
високоомного опору датчика з низькоомним
опором навантаження (рис. 6.24).
В розділах 1.6.2. та 1.10.1 розглядались варіанти впливу на напругу, сформовану подільником,, при підключені малих опорів навантаження. В даному завдані пропонується провести експерименти з метою набуття навиків узгодження послідовних каскадів без спотворення ЕІС. Для цього в дискретній електроніці використовують катодний повторювач, емітерний та стоковий повторювачі. В інтегральній схемотехніці – ОП при неінвертувальному вмиканні (рис.6.15).
За допомогою джерела постійної напруги V1 та резистора R1 сформовано датчик з опором 10 кОм.
За допомогою перемикача підключити до виходу датчика потенціометр R2 та зафіксувати напруги при 10%, 50% та 90% значень опору 5 кОм. За допомогою цього опору моделюють вхідний опір підсилювача ЕІС, який необхідно підключити до датчика. Чи можлива в даному випадку передача сигналів без спотворень?
Перемикнути перемикач та підключити датчик до входу операційного підсилювача. Виконати виміри напруги на резисторі.R4 для тих самих значень опору, що і в попередньому експерименті. Зробити висновки та оцінити використання ОП.
5. Дослідити компаратор в режимах фіксації рівнів напруги (рис. 6.25, а).
Н
а
виході генератора XFG1
сформувати
гармонічний
сигнал частотою 1 кГц, амплітудою 1 В.
На виході
XFG2
–пилкоподібний частотою 1 кГц, амплітудою
1 В, заповнення 50%.В каналах
А та
В
осцилографа чутливість 1В/под.,
в каналі С
5
B/под..
Проаналізувати та пояснити осцилограми вхідних на вихідного сигналів (рис.6.25,б.).
