- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
Така схема вмикання ОП показана на рис. 6.14. Напруга зворотного зв’язку з виходу подається на інвертувальний вхід підсилювача, а вхідний сигнал - на неінвертувальний вхід. За умов ідеального ОП коефіцієнт передачі за напругою визначають співвідношенням між вихідною напругою Uвих і напругою зворотного зв’язку Uз.з, яка формується на опорі Z:
Враховуючи принцип віртуального замикання (рис. 6.9), одержують Uзв = Uвх, а відтак:
При неінвертувальному вмиканні ОП коефіцієнт передачі за напругою так само як і при інвертувальному, визначають зовнішніми навісними елементами.
Я
кщо
Zз.з
= 0, то GU
= 1. Це дозволяє побудувати повторювач
напруги Uвих
= Uвх.
Вихідна напруга повторює вхідну за
фазою і амплітудою. Схема повторювача
показана на рис. 6.15. Вона відрізняється
дуже високим вхідним опором та малим
вихідним опором. Останнє дозволяє
підключати до ОП навантаження з опором
0,3…1 кОм.
Повторювачі напруг широко застосовуються як вхідні та вихідні вузли радіоелектронних пристроїв.
Промисловість випускає багато типів ОП.Операційні підсилювачі 140УД6; 140УД14 побудовані за двокаскадними схемами з використанням супербета транзисторів. Завдяки таким транзисторам ці ОП мають вхідний опір 2·103 і 30·103 Ом при дуже малих струмах (30 і 2 мкА) відповідно. Коефіцієнт підсилення згаданих ОП GU = (50…70)·103. У схемі ОП типу 544УД1 вхідний опір підвищений до 100 МОм завдяки використанню у вхідному диференціальному каскаді ПТ.
Розроблені також інтегральні прецизійні ОП з високою стабільністю характеристик, малими шумами і низьким рівнем дрейфу нуля. До таких схем належить ОП 153УД5.
6.6.4 Імпульсний режим оп
П
ри
використанні ОП в аналогових (лінійних
) пристроях (підсилювачі та ін. ), вхідний
сигнал повинен змінюватись лише в межах
нахиленої ділянки передавальної
характеристики ОП (. рис. 6.16), коли вихідна
напруга пропорційно залежить від
вхідної. В імпульсному режимі роботи
рівні вхідного сигналу перевищують
значення, які відповідають лінійній
області передавальної характеристики,
а тому вихідна напруга досягає U+вих.mах
або U-вих.mах.
Ці рівні вихідної напруги є сталими і
майже дорівнюють напругам джерел
живлення E
та E
ОП.
Горизонтальні ділянки кривих передавальної характеристики ОП відповідають режиму повністю закритого (режим відсікання) або повністю відкритого (режим насичення) транзистора вихідного каскаду (найчастіше емітерний повторювач) ОП.
Таким чином, ОП, як і дискретний біполярний транзистор, може працювати як у лінійному, так і в імпульсному режимі.
Властивості та параметри ОП дозволяють ефективно використовувати їх для побудови імпульсних пристроїв, зокрема компараторів. У таких функціональних вузлах порівнюються дві напруги, що надходять до входів (чи на один вхід) підсилювача: вхідна: UВХ , що змінюється, і опорна U0 , яка заздалегідь визначається. Опорна напруга позитивної або негативної полярностей незмінна за величиною. Коли вхідна напруга досягає рівня опорної, компаратор перемикається, на виході ОП відбувається зміна полярності напруги, наприклад, з U – вих.mах на U + вих.mах.( чи навпаки). Аналогічно відбувається процес перемикання при співпадінні амплітуд двох сигналів, що надходять на входи компаратора.
Для порівняння різнополярних напруг на вході використовують одновходовий компаратор (рис.6.17,а), в якому опорний сигнал і досліджуваний надходять до інвертувального входу ОП. В початковому стані за відсутності вхідного інформаційного сигналу на інвертувальному вході діє + U0 , виконується нерівність |UВХ |<UО |, тому результуюча напруга на інвертувальному вході UІН > 0 а напруга на виході компаратора Uвих = U – вих.mах E –С (напруги на інвертувальному вході і на виході різнополярні). На цей же вхід подається наростаючий вхідний сигнал протилежної полярності. Результуючий сигнал на інвертувальному вході змінюється і як тільки досягне встановленого порогового рівня та перевищить його за абсолютним значенням на вході буде діяти негативний по-тенціал (Uін < 0), що викликає перемикання компаратора в інший стан, в якому U+вих.mах E+С. Завдяки великому коефіцієнту підсилення ОП перемикання відбувається за дуже незначного перевищення амплітуди вхідного сигналу над пороговим рівнем. Цьому також сприяє відсутність зворотного зв’язку. Пороговий рівень визначається співвідношеням опорів:
Uвх.пор = U0 R1| R2
Таке визначення рівня напруги відрізняється від традиційного для подільника напруги (розд.1.6.2.), тому що одержано з урахуванням віртуального замикання. За відсутності вхідного ЕІС резистор R1 фактично підключається до загальної точки схеми ( до «землі»). Вхідний струм ОП вважаємо відсутнім, а тому на R3 спад напруги не створюється, а відтак резистор R2 фактично теж приєднаний до «землі». Струм, що створюється джерелом опорної напруги I = UO/R2 .Великий вхідний опір ОП обумовлює протікання цього струму через резистор R1, на якому формується спад напруги, означений наведеною формулою.
У
двовходовому компараторі (рис. 6.17, б)
сигнали, які порівнюють,
надходять
до обох входів ОП. Тому стан виходу
компаратора (полярність вихідної
напруги) визначається більшою за рівнем
напругою одного з входів Якщо вхідні
напруги однакові, вихідна напруга
компаратора дорівнює
нулю аналогічно
роботі аналогового ОП.
Якщо необхідно зафіксувати появу позитивного ЕІС, або перевищення його рівня, на неінвертувальний вхід подається відповідна опорна напруга + U0. При цьому на виході ОП одежуєм початковий стан ОП U+вих.mах E+С. Як тільки сигнал на інвертувальному вході перевищить встановлений пороговий рівень, ОП перемикається.На виході встановлюється Uвих = U – вих.mах E –С .
Перемикання одновходових та двоходових компараторів широко використовують в автоматизованих системах для визначення часу співпадіння за амплітудою двох сигналів (« 0-органи»), чи появи сигналів тривоги, при перевищені параметрів в технологічних процесах та ін...
Основним показником ОП, що працюють в імпульсному режимі, є їх швидкодія, яка оцінюється затримкою спрацьовування та часом зростання вихідної напруги. Найбільшу швидкість мають спеціалізовані ОП, що отримали загальну назву “компаратори”, які призначені для імпульсного режиму роботи. Затримка спрацьовування таких мікросхем менше 1 мкс, а час зростання вихідної напруги становить соті частки мікросекунди.
