- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
Р
озвиток
електротехніки уже в 1832 р. забезпечив
створення електромагнітного телеграфу
– першої електротехнічної системи для
формування та передачі ЕІС. Використання
електричних реле дозволило вперше
вирішити задачу підсилення потужності
ЕІС. Цей принцип (принцип реле) було
використано в перших моделях радіоприймачів
А.С.Попова та Г.Марконі. Такі прилади
приймали тільки радіотелеграфні сигнали
(двох рівнів). У 1907 р. було створено
триелектродну вакуумну лампу – вакуумне
реле, що відкрило шлях до підсилення
потужності як радіотелеграфних сигналів,
так і аналогових, амплітуда яких плавно
змінюється в широких межах. Це дозволило
створити системи радіомовлення. Почалась
епоха радіотехніки та електроніки.
Особливістю електронних приладів є
здатність забезпечувати підсилення
потужності ЕІС (Кр>>1).
Такий
процес пояснюється нижче та детально
розбирається в подальших розділах.
За допомогою електроперетворювальних (активних) приладів відбувається перетворення електричних сигналів (підсилення, формування незгасаючих електричних коливань, детектування і т. ін.). До них належать: різні типи напівпровідникових діодів (НД), біполярні транзистори (БТ), польові транзистори (ПТ), інтегральні мікросхеми (ІМС); оптоелектронні прилади. Ці прилади детально розглядаються в частині 3.
Інтегральні мікросхеми являють собою закінчені функціональні вузли, що дозволяють виконувати різні електроперетворювальні процеси керування потужністю, яка надходить із зовнішнього джерела живлення у навантаження. Інтегральні мікросхеми – це найбільш досконалий тип електронних приладів.
Активні прилади дозволяють за рахунок потужності джерела живлення сформувати на виході ЕІС потужність яких може значно перевищувати потужність вхідного сигналу.
1.3 Типові процеси обробки еіс
В процесі передачі та перетворення ЕІС реалізується ряд маніпуляцій, серед яких найбільш поширеними є: підсилення (струму, напруги, потужності), генерація незгасаючих електричних коливань різної форми, випрямлення, модуляція, детектування, перетворення частоти, селекція (виділення) за амплітудою, частотою, тривалістю імпульсів та ін.
Підсилення потужності ЕІС. Це найбільш поширений процес обробки ЕІС. В наступних розділах будуть детально розглянуті питання побудови різноманітних підсилювачів. Тут зупинимось лише на поясненні принципу підсилення.
Підсилення потужності ЕІС було реалізовано в перших електричних телеграфних системах шляхом використання електромагнітних реле та джерел живлення.
Реле як елементи електричних схем використовують для комутацій і керування потужністю, що надходить у кероване навантаження. Цікаво, що термін реле (від. франц. relais – реле) вживався у минулому для позначення процесу заміни коней на поштових станціях. Це, так би мовити, забезпечувало підсилення потужності за рахунок зміни контура.
В електричних колах за допомогою реле малопотужний інформаційний сигнал керує майже необмеженою потужністю, яка спрямовується від зовнішнього джерела живлення у навантаження Rн (рис. 1.6 а).
А
налогічно
працюють і активні прилади. До речі,
вакуумні тріоди після їх винайдення
називали пустотілими реле. У літературі
та серед спеціалістів зустрічається
вислів «Транзистор
(лампа)
підсилює
потужність». Мається на увазі, що за
допомогою активних приладів керують
потужністю, яка надходить від зовнішнього
джерела живлення в навантаження. Цей
процес відбувається за законом зміни
сигналу на вході. Потужність вхідного
інформаційного сигналу, так само як і
при використанні реле, може бути значно
меншою від потужності джерела живлення
(рис.1.6
б),
що і забезпечує необхідний коефіцієнт
підсилення за потужністю Кр
>>
1.
З
а
допомогою реле в електричній схемі
можна забезпечувати тільки два стани:
«Ввімкнено» і «Вимкнено». Це дозволило
використовувати реле в радіотелеграфній
апаратурі,
телефонії,
різних системах комутації, зокрема в
обчислювальній техніці.
Електронні прилади є більш досконалими ключами і дозволяють плавно майже безінерційно змінювати опір електричного кола в широких межах, коли на вхід надходить аналоговий сигнал (наприклад, гармонічний).
Послідовно з джерелом постійної напруги E включено два опори: постійний опір Rн (опір навантаження), і змінний опір Rл.. Роль змінного опору виконує електронна лампа або транзистор, які під впливом напруги або струму, що підводиться до входу підсилювача (як умовно показано на рис.1.7 штриховою лінією і стрілкою), змінюють величину свого опору.
Наприклад, в радіоприймачах і передавачахі є ряд підсилювачів електричних коливань. Необхідність посилення неважко зрозуміти з порівняння потужностей. Так, потужність радіосигналу на вході приймального пристрою нерідко має величину 10-14—10-12 Вт, а для роботи кінцевого приладу (наприклад, гучномовця) зазвичай потрібна потужність порядку одного або десятків (сотень) ватів. Таким чином, в приймальному пристрої потрібне підсилення потужності в 1012— 1014 разів. Звідси витікає одна з важливих задач радіоелектроніки — підсилення потужності електричних коливань, збільшення амплітуди коливань за струмом чи напругою.
Г
енерація
незатухааючих електричних коливань.
В каналах обробки та передачі інформації
окрім сигналів, що надходять на вхід
ЕС, формують додаткові ЕІС в самій
системі, які дозволяють реалізувати
оптимальні алгоритми їх обробки. Принцип
формування таких сигналів показано на
рис.1.8.
При цьому використовуються: - потужність джерела живлення; - підсилювач потужності електричних сигналів; коло позитивного зворотного зв`язку для передача частини потужності сигналів з виходу на вхід.. Генератори різноманітних незатухаючих електричних коливань детально розглядаються нижче(розділ 9). Зараз необхідно засвоїти принцип їх побудови на рівні структури.
Слід звернути увагу на те, що підсилення потужності ЕІС та формування незатухаючих електричних коливань досягається за рахунок використання потужності зовнішніх джерел живлення.
Випрямлення – це перетворення енергії джерела змінного струму в енергію постійного струму. Зазвичай джерелом електричної енергії для РЕА є промислова мережа змінного струму напругою 220 В, частотою 50 Гц. Безпосередньо для живлення апаратури використовуються джерела постійного струму, для чого в кожному автономному пристрої (телевізорі, комп’ютері та ін.) створюються блоки живлення для формування постійних напруг необхідних величин. Основними елементами таких блоків є випрямлячі, принципи побудови та функціонування яких розглядаються в розділі 3.6.1.
Модуляція. В радіотехніці для передачі сигналу шляхом випромінювання електромагнітних коливань необхідні високочастотні коливання, так як електричні коливання, одержані від датчиків, наприклад, від мікрофону, є зазвичай низькочастотними (30 Гц…20 кГц), а тому безпосередньо не можуть достатньо ефективно випромінюватися антеною і розповсюджуватися на великі відстані. Цю проблему вирішили за допомогою модуляції.
Модуляцією називається зміна одного з параметрів високочастотного коливання (амплітуди, частоти або фази) за законами зміни вхідного низькочастотного ЕІС. Високочастотне коливання (несуче), промодульоване низькочастотним сигналом (огинаючою), називається радіосигналом.
Розрізняють три основні види модуляції: амплітудну (АМ), частотну (ЧM) і фазову.
В радіомовленні, в діапазоні довгих, середніх та коротких хвиль, а також на телебаченні в каналі зображення використовують АМ - модуляцію. В діапазоні метрових хвиль радіомовлення та в каналі звукового супроводження в телебаченні використовують ЧМ- модуляцію (англ. FM).
Детектування. Детектуванням називається процес, зворотний процесу модуляції. При детектуванні високочастотного модульованого коливання виділяється початкове модулююче низькочастотне коливання, відновлюється огинаюча.
За допомогою підсилювача низької частоти (ПНЧ) потужність ЕІС доводиться до рівня, необхідного для оптимальної роботи (гучномовців) кінцевих приладів.
