- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
Такий ПТ має два омічні переходи, які забезпечують підключення електродів витоку і стоку, та один або два керувальні переходи, які зміщуються напругою у зворотному напрямі (рис. 5.1).
Зі зміною зворотної напруги на керувальному p-n‑переході (на затворі) змінюється ширина збідненої зони, а отже, і поперечний переріз провідного каналу.
К
а б
Рис.
5.1.
Структура
ПТ з керувальним
p-п
переходом: а
– з одним переходом; б
– з двома переходами.
Таким чином, ПТ з керувальним p‑n‑переходом за принципом дії нагадує вакуумний тріод. Витік ПТ – це катод, затвор – сітка, стік – анод. Але при цьому ПТ суттєво відрізняється від вакуумного тріода: для роботи ПТ не потрібно розігрівати електроди, витік та стік можна міняти місцями.
П
ольові
транзистори можуть бути сформовані як
з p-каналом,
так і з n‑каналом
(рис. 5.3, а).
У ПТ з керувальним p-n‑переходом
з n‑каналом
полярність напруг на затворі (–) і на
стоці (+) відносно витоку відповідає
полярності напруг на сітці та аноді
відносно катода вакуумного тріода,
який, як і інші підсилювальні лампи, має
«ліву» анодно-сіткову характеристику.
Це дозволяє при
використанні
ПТ з керувальним
переходом створювати підсилювачі
сигналів з колом автоматичного зміщення,
тобто авт
оматичного
забезпечення початкового стану приладу,
початкової напруги між електродами
(рис. 5.3, б).
Статичні характеристики.
Польовий транзистор має великі вхідні та вихідні опори. Тому на відміну від БТ статичні характеристики ПТ досліджуються як залежності від напруг. Вхідна характеристик I G =f(U GS ) через дуже малий вхідний струм не несе інформації і не використовується. Для оцінки ПТ як активного елемента електронних схем використовують дві сім’ї статичних характеристик:
характеристики керування (стокзатворні), що відображають залежність струму стоку від напруги на затворі при різних напругах на стоці: ID = f (UGS), якщо UDS = const;
вихідні характеристики (стокові), що відображають залежність струму стоку від напруги на стоці відносно витоку при різних постійних напругах на затворі:
ID = f (UDS), якщо UGS = const.
Стокзатворну характеристику ПТ з керувальним p-n‑переходом показано на рис. (5.4, а). Якщо UGS = 0, канал не перекривається, його поперечний переріз має максимальне значення, а тому і струм стоку за наявності напруги між витоком і стоком має максимальне значення IDmax. Зі збільшенням зворотної напруги на переході (напруги між затвором та витоком UGS) збіднені ділянки переходів розширюються, зменшуючи поперечний переріз каналу, струм ID зменшується.
П
ри
напрузі
відсікання UGS(off)
канал практично перекривається,. витік
і стік стають ізольованими один від
одного,. струм стоку зменшується до
нуля.
Вихідні характеристики ПТ мають дві ділянки (рис.5.4, б). Перша ділянка вирізняється різкою залежністю ID зі збільшенням UDS. Розглянемо спочатку залежність ID = f (UDS), якщо UGS = 0. Струм стоку, протікаючи по каналу, створює його нееквіпотенціальність. Потенціал каналу зростає від нуля біля витоку до UD біля стоку, а це, у свою чергу, збільшує зворотну напругу на p-n‑переході в напрямі до стоку. Таким чином, найбільша ширина збідненої зони і відповідно найменший поперечний переріз каналу формуються біля стоку (див. рис. 5.2). Навіть тоді, коли затвор буде закорочений з витоком, із збільшенням напруги UDS канал звужується. При деякій напрузі на стоці UDS sat (напрузі насичення) поперечний переріз каналу біля стоку досягає мінімального значення. Подальше збільшення UDS не викликає збільшення струму стоку. Мінімальний переріз каналу автоматично підтримується на деякому рівні. Дійсно, збільшення UDS повинно було б перекрити канал, але тоді значення струму стоку досягло б нуля і припинилося б розподілення напруги вздовж каналу, а це, у свою чергу, усуває причини, які зумовлюють перекриття каналу. Зрештою з подальшим збільшенням UDS (коли UDS > UDSSat) струм стоку залишається незмінним, формується полога ділянка вихідних характеристик ПТ. Режим пологої ділянки ВАХ умовно називають режимом насичення. Зауважимо, що як такого процесу насичення у цьому випадку немає. За умови, коли UGS = 0, напруга насичення дорівнює значенню напруги відсікання UGS (off).
Струм стоку, якщо UGS = 0 і UDS = UDSSat, називають початковим струмом стоку IDss (рис. 5.4, б).
Розглянемо тепер зміщення та зміни вихідних статичних характеристик зі зміною напруги на затворі. З подачею на затвор зворотної напруги та з її збільшенням за абсолютним значенням зменшується початковий поперечний переріз каналу. Тому початкові ділянки вихідних характеристик за умови |UGS| > 0 мають менший нахил, що зумовлено більшим початковим опором каналу. При цьому на розмір збідненої зони впливають одночасно дві напруги: напруга на звороті, що формує поперечне електричне поле, і напруга на стоці, що створює поздовжне електричне поле. Напруга насичення зменшується, і для будь-якого значення напруги на затворі становить:UDS sat = UGS (off) – UGS.
Зі зменшенням напруги насичення зменшується також струм насичення стоку. Характеристики зміщуються вниз. У робочому режимі використовують пологі ділянки вихідних характеристик. За умови великої напруги на стоці, коли UDS перевищує максимальну допустиму напругу UDSmax, настає пробій структури. Тому в робочому режимі перевищення максимально допустимої напруги стоку неприпустиме.
Основні параметри польових транзисторів.
Для оцінки ПТ як компонента схеми та визначення доцільності его використання в конкретному електронному пристрої спираються на такі параметри:-крутість стокзатворної характеристики (характериститки керування); - внутрішній опір транзистора; - вхідний опір; - статичний коефіцієнт підсилення за напругою.
Крутість стокзатворної характеристики визначається як
Фізичне значення цього параметра полягає в тому, що він показує на скільки міліамперів змінюється струм стоку при зміні напруги на затворі на 1В, якщо UDS = const. Крутість характеризує підсилювальні властивості приладу. Для її визначення можна скористатися стокзатворною характеристикою (рис. 5.4, а). Числові значення цього параметра становлять 0,5…30 мА/В;
Внутрішній опір транзистора
Значення цього параметра для конкретного приладу можна визначити за вихідними характеристиками на пологій (робочій) ділянці (рис. 5.4, б). Оскільки струм стоку на цій ділянці змінюється дуже мало, то цей параметр має значення сотень кілоомів – одиниць мегомів.
Вхідний
опір
Він являє собою диференціальний опір p-n‑переходу, зміщеного у зворотному напрямі. Оскільки струм затвора IG визначається зворотним струмом переходу, то вхідний опір ПТ з керувальним p-n‑переходом досягає значень 106…109 Ом.
Статичний коефіцієнт підсилення за напругою:
Цей коефіцієнт показує, наскільки дужче на зміну струму стоку впливає зміна напруги на затворі, ніж зміна напруги на стоці. Для визначення цього параметра беруть взаємно компенсуючі за дією на струм ID прирости напруги ∆UDS і ∆UGS. Якщо UGS = const, приріст +∆UDS викликає +∆ID, тому за умови UDS = const необхідно підібрати таке значення –∆UGS, щоб струм стоку зменшився на таку саму величину –∆ID, і таким чином забезпечити ID = const. Оскільки вказані прирости мають різні знаки, то беруть модуль відношення.
Цей коефіцієнт визначає потенційні можливості ПТ як підсилювача напруги. Ураховуючи наведені співвідношення , одержуємо:
Значення статичного коефіцієнта підсилення за напругою ПТ з керувальним переходом дорівнює декілька сотень.
Крім розглянутих параметрів, ПТ характеризується граничною частотою, на якій модуль крутизни характеристики керування зменшується в 1/Ö2 раз, вхідною CGS, прохідною CGD і вихідною CDS ємностями та максимально допустимою потужністю розсіювання PDmax. Слід зазначити, що параметри ПТ, як і в інших напівпровідникових приладах, залежать від режиму роботи, температури навколишнього середовища, а також від геометрії елементів структури.
Використовують схеми зі спільним витоком, спільним затвором та спільним стоком. Схема зі спільним витоком подібна до схеми зі спільним катодом, яка використовується в схемах на вакуумних лампах. Вона вносить постійний зсув за фазою (інвертує сигнал, виконує логічну операцію НІ), підсилює струм, напругу та забезпечує максимальний коефіцієнт підсилення за потужністю.
Схема зі спільним стоком так само, як схема зі спільним анодом (катодний повторювач) та схема зі СК (емітерний повторювач), широко використовується як трансформатор провідності для узгодження вихідних і вхідних опорів плат, блоків та ін. Коефіцієнт підсилення за напругою такої схеми менший за одиницю.
