- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
Поданий вище матеріал дозволяє сформувати основні положення, які виділяють особливості побудови та функціонування сучасних ЕС. Їх треба запам`ятати, розуміти та використовувати при вивчені та засвоєнні подальшого матеріалу. Це перший крок в освоєнні основ електроніки та схемотехніки
Отже:
1. Найбільш досконалими та поширеними є електронні системи обробки та відображення інформації;
2. Виявлення та ідентифікація різноманітних фізичних процесів, явищ та їх зміни в часі і просторі фіксуються за допомогою відповідної зміни електричних параметрів (струму, напруги, ємності, опору, індуктивності), тобто шляхом формування електричних інформаційних сигналів;
3. Формування, обробка, передача та відображення інформації відбувається за допомогою майже без інерційного керування електронними потоками;
4. Реалізація запрограмованих шляхів переміщення носіїв зарядів в просторі та часі відбувається побудовою різноманітних електронних пристроїв, які складаються з пасивних та активних компонентів;
5 Підсилення потужності електричних інформаційних сигналів та формування незатухаючих електричних коливань відбуваються за рахунок потужності джерел живлення;
З метою оцінки спроможності передачі ЕІС з допустимими спотвореннями, компоненти, пристрої та ЕС розраховуються та аналізуються за постійним струмом, в частотній та часовій областях, для чого використовують ВАХ, АЧХ та ПХ.
1.11 Поточний самоконтроль
1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
1
.
Дослідити подільник напруги. Побудувати
модель ПН (рис.1.22) Дослідити зміни
вихідної напруги та зробити висновки
за умов вмикання перемикачів: лише -J1;
- J1,
J2;
- J1,J3;
- J1,
J2,
J3;
лише - J3
.
Визначити, за яких опорів навантаження коефіцієнт передачі ПН зберігається на рівні K ~1, якщо опір джерела живлення становить 10 Ом, 20 кОм, 1 МОм.
2
.
Сформувати модель та дослідити
диференціюючу RC-схему
(рис.1.23). Визначити сталу часу та номінали
компонентів за яких, забезпечується
10% та 100% спади вершин імпульсів тривалістю
3 мкс. Для вказаних випадків розрахувати
та дослідити за допомогою Bode
Ploter
межові частоти (рис. 1.23).
П
ри
виконанні цієї вправи слід враховувати,
що 100% спад вершини відбувається за 3τН
=
3/RC,
а заряд конденсатора на 0.1UМАКС,
тобто коли забезпечується 10% спад
вершини, відбувається приблизно за 0.1
τН.
При використанні Bode Ploter спочатку визначається приблизне значення межової частоти, коли виставляється широкий діапазон (наприклад, F = 1 МГц, І= 1 мГц). Після попереднього. визначення частоти діапазон звужується, що дає можливість майже точно виставити -3дБ та визначити fН = wН/2π.
П
ри
дослідженнях спад вершини імпульсів
доцільно визначати за допомогою візирних
лінійок осцилографа(рис.1.24). Вихідний
сигнал поступає в канал «В»,
де
для вказаного положення лінійки
фіксується 50% спад вершини імпульсу
тривалістю 331.439 мкс. Аналогічно, зміщуючи
лінійку, можна визначити тривалість
вихідного імпульсу, за якої забезпечується
допустимий спад вершини.
3. Сформувати та дослідити моделі диференціюючих схем RC- та LR - типів (рис.1.25).
-
Для
показаних опорів, ємностей та індуктивностей
розрахувати сталі часу, межові частоти
та визначит межову частоту в коливання
за секунду (в герцах).
- Вмикнути моделювання, виставити параметри осцилографів для відображення вихідних імпульсів, поданих на рис.1.26. Порівняти ці імпульси з тестовими сигналами (рис.1.18.) та зробити висновки відносно співвідношень tі та . На всі входи подається імпульс однакової тривалості, визначити її. Для вказаних положень візирних лінійок встановити спади вершин.
- До генератора та виходів ДС підключити Bode Plotter (рис.1.23), визначити межові частоти та допустиму тривалість імпульсів, за якої спад вершини не перевищить 10%.
- Сформулювати висновки.
С
формувати
та дослідити моделі інтегруючих схем
RC-
та
LR
-
типів (рис.1.27).
- Для показаних опорів, ємностей та індуктивностей розрахувати сталі часу, межові частоти та визначит межову частоту в коливання за секунду (в герцах).
-
Вмикнути моделювання, виставити параметри
осцилографів для відображення вихідних
імпульсів, поданих на рис.1.28. Порівняти
ці імпульси з тестовими сигналами
(рис.1.19.) та зробити висновки відносно
співвідношень
tі
та
.
На всі входи подається імпульс однакової
тривалості, визнач
ити
її. Для вказаних положень візирних
лінійок встановити ступень заряду
конденсатора.
Для кожної схеми визначити тривалість імпульсу, за якої вихідний імпульс формується з допустимими спотвореннями (t ФР = 0.1 t і ).
- Розрахувати та дослідити за допомогою Bode Ploter межові частоти.
- Провести аналіз, Сформувати висновки.
Дослідити генератор струму ( ГС ). Сформувати модель ГС (
рис.1.29).
Джерело енергії має внутрішній опір
10 кОм (R1).
Дослідити в MS
залежність струму від опору навантаження.
Визначити
межі
зміни опору.
Повторити експеримент , збільшивши опір навантаження до 5кОм (замінити потенціометр R2).
Сформулювати висновки. В яких межах зміна опору навантаження суттєво не впливає на режим джерела живлення?
Дослідити генератор напруги (ГН). Побудувати модель ГН (рис.1.30).
Джерело
енергії має внутрішній опір 100 Ом (R
1). Дослідити залежність напруги на
навантажені від опору навантаження.
Виз
начити
межі зміни напруги.
Повторити експеримент, зменшивши опір навантаження до 500 Ом
Сформулювати висновки. В яких межах зміна опору навантаження суттєво не впливає на режим джерела живлення?
